【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制备热电材料用的Cu3SbSe4纳米晶体，其特征在于该纳米晶体尺寸为20～50nm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：樊先平，吴一民，乔旭升，万军，程文煜，高骏，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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