高增益运算放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高增益运算放大器。高增益运算放大器包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第五NPN管、第六NPN管、第七NPN管、第八NPN管、第一PNP管和第二PNP管。利用本实用新型专利技术提供的高增益运算放大器能够输出高增益的输出信号。

【技术实现步骤摘要】
高增益运算放大器
本技术涉及集成电路技术，尤其涉及到高增益运算放大器。
技术介绍
在电路系统中运算放大器是常用的一个模块，需要放大倍数大的运算放大器。
技术实现思路
本技术旨在解决现有技术的不足，提供一种高增益的运算放大器。 高增益运算放大器，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第 六电阻、第七电阻、第八电阻、第一 PM0S管、第二PM0S管、第三PM0S管、第四PM0S管、第五 PM0S管、第六PM0S管、第七PM0S管、第一 NM0S管、第二NM0S管、第三NM0S管、第四NM0S 管、第五NM0S管、第六NM0S管、第一 NPN管、第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第五NPN 管、第六NPN管、第七NPN管、第八NPN管、第一 PNP管和第二PNP管： 所述第一电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一 NPN 管的基极； 所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一 NPN管的基极，另一端接 地； 所述第三电阻的一端接所述第一 NPN管的发射极，另一端接地； 所述第四电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第二NPN管的集电极和所述第四 NPN管的基极； 所述第五电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第三NPN管的集电极和所述第五 NPN管的基极； 所述第六电阻的一端接所述第五PM0S管的栅极和所述第六PM0S管的栅极和漏极 和所述第七PM0S管的栅极，另一端接所述第六NPN管的基极和所述第五NM0S管的栅极和 漏极； 所述第七电阻的一端接输出V0UT和所述第八电阻的一端，另一端接所述第二PNP 管的发射极； 所述第八电阻的一端接输出V0UT和第七电阻的一端，另一端接所述第八NPN管的 发射极； 所述第一 PM0S管的栅极接漏极和所述第二PM0S管的栅极和所述第一 NPN管的集 电极，源极接电源VCC ; 所述第二PM0S管的栅极接所述第一 PM0S管的栅极和漏极和所述第一 NPN管的集 电极，源极接电源VCC，漏极接所述第一 NM0S管的栅极和漏极和所述第二NM0S管的栅极和 所述第三NM0S管的栅极和所述第四NM0S管的栅极和所述第六NM0S管的栅极； 所述第三PM0S管的栅极接漏极和所述第四PM0S管的栅极和所述第四NPN管的集 电极，源极接电源VCC ; 所述第四PM0S管的栅极接所述第三PM0S管的栅极和漏极和所述第四NPN管的集 电极，源极接电源VCC，漏极接所述第五NPN管的集电极和所述第五PM0S管的源极； 所述第五PM0S管的栅极接所述第六PM0S管的栅极和漏极和所述第七PM0S管的 栅极和所述第六电阻的一端，源极接所述第四PM0S管的漏极和所述第五NPN管的集电极， 漏极接所述第六NPN管的集电极和所述第一 PNP管的基极和所述第七NPN管的基极； 所述第六PM0S管的栅极接漏极和所述第七PM0S管的栅极和所述第五PM0S管的 栅极和所述第六电阻的一端，源极接电源VCC ; 所述第七PM0S管的栅极接所述第六PM0S管的栅极和漏极和所述第五PM0S管的 栅极和所述第六电阻的一端，源极接电源VCC，漏极接所述第八NPN管的基极和所述第一 PNP管的发射极； 所述第一 NM0S管的栅极接漏极和所述第二PM0S管的漏极和所述第二NM0S管的 栅极和所述第三NM0S管的栅极和所述第四NM0S管的栅极和所述第六NM0S管的栅极，源极 接地； 所述第二NM0S管的栅极接所述第一 NM0S管的栅极和漏极和所述第二PM0S管的 漏极和所述第三NM0S管的栅极和所述第四NM0S管的栅极和所述第六NM0S管的栅极，源极 接地，漏极接所述第二NPN管的发射极和所述第三NPN管的发射极； 所述第三NM0S管的栅极接所述第一 NM0S管的栅极和漏极和所述第二NM0S管的 栅极和所述第二PM0S管的漏极和所述第四NM0S管的栅极和所述第六NM0S管的栅极，源极 接地，漏极接所述第四NPN管的发射极和所述第五NPN管的发射极； 所述第四NM0S管的栅极接所述第一 NM0S管的栅极和漏极和所述第二NM0S管的 栅极和所述第三NM0S管的栅极和所述第二PM0S管的漏极和所述第六NM0S管的栅极，源极 接地，漏极接所述第六NPN管的发射极； 所述第五NM0S管的栅极接漏极和所述第六NPN管的基极和所述第六电阻的一端， 源极接地； 所述第六NM0S管的栅极接所述第一 NM0S管的栅极和漏极和所述第二NM0S管的 栅极和所述第三NM0S管的栅极和所述第四NM0S管和所述第二PM0S管的漏极，源极接地， 漏极接所述第七NPN管的发射极和所述第二PNP管的基极； 所述第一 NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，集电极接 所述第一 PM0S管的栅极和漏极和所述第二PM0S管的栅极，发射极接所述第三电阻的一 端； 所述第二NPN管的基极是VN端，集电极接所述第四电阻的一端和所述第四NPN管 的基极，发射极接所述第三NPN管的发射极和所述第二NM0S管的漏极； 所述第三NPN管的基极是VP端，集电极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管 的基极，发射极接所述第二NPN管的发射极和所述第二NM0S管的漏极； 所述第四NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第二NPN管的集电极，集电 极接所述第三PM0S管的栅极和漏极和所述第四PM0S管的栅极，发射极接所述第五NPN管 的发射极和所述第三NM0S管的漏极； 所述第五NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第三NPN管的集电极，集电 极接所述第四PM0S管的漏极和所述第五PM0S管的源极，发射极接所述第四NPN管的发射 极和所述第三NMOS管的漏极； 所述第六NPN管的基极接所述第六电阻的一端和所述第五NM0S管的栅极和漏极， 集电极接所述第五PM0S管的漏极和所述第一 PNP管的基极和所述第七NPN管的基极，发射 极接所述第四NM0S管的漏极； 所述第七NPN管的基极接所述第五PM0S管的漏极和所述第一 PNP管的基极和所 述第六NPN管的集电极，集电极接电源VCC，发射极接所述第六NM0S管的漏极和所述第二 PNP管的基极； 所述第八NPN管的基极接所述第七PM0S管的漏极和所述第一 PNP管的发射极，集 电极接电源VCC，发射极接所述第八电阻的一端； 所述第一 PNP管的基极接所述第七NPN管的基极和所述第五PM0S管的漏极和所 述第六NPN管的集电极，集电极接地，发射极接所述第七PM0S管的漏极和所述第八NPN管 的基极； 所述第二PNP管的基极接所述第七NPN管的发射极和所述第六NM0S管的漏极，集 电极接地，发射极接所述第七电阻的一端； 所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻、所述第一 NPN管、所述第一 PM0S管、 所述第二PM0S管和所述第一 NM0S管构成整个电路的偏置电路产生偏置电流； 所述第四电阻、所述第五电阻、所述第二NPN管、所述第三NPN管和所述第二NM0S 管构成第一级放大电路； 所述第三本文档来自技高网...

【技术保护点】
高增益运算放大器，其特征在于包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第五NPN管、第六NPN管、第七NPN管、第八NPN管、第一PNP管和第二PNP管：所述第一电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极，另一端接地；所述第三电阻的一端接所述第一NPN管的发射极，另一端接地；所述第四电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第二NPN管的集电极和所述第四NPN管的基极；所述第五电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第三NPN管的集电极和所述第五NPN管的基极；所述第六电阻的一端接所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极，另一端接所述第六NPN管的基极和所述第五NMOS管的栅极和漏极；所述第七电阻的一端接输出VOUT和所述第八电阻的一端，另一端接所述第二PNP管的发射极；所述第八电阻的一端接输出VOUT和第七电阻的一端，另一端接所述第八NPN管的发射极；所述第一PMOS管的栅极接漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第一NPN管的集电极，源极接电源VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NPN管的集电极，源极接电源VCC，漏极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极；所述第三PMOS管的栅极接漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第四NPN管的集电极，源极接电源VCC；所述第四PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第四NPN管的集电极，源极接电源VCC，漏极接所述第五NPN管的集电极和所述第五PMOS管的源极；所述第五PMOS管的栅极接所述第六PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第六电阻的一端，源极接所述第四PMOS管的漏极和所述第五NPN管的集电极，漏极接所述第六NPN管的集电极和所述第一PNP管的基极和所述第七NPN管的基极；所述第六PMOS管的栅极接漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六电阻的一端，源极接电源VCC；所述第七PMOS管的栅极接所述第六PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六电阻的一端，源极接电源VCC，漏极接所述第八NPN管的基极和所述第一PNP管的发射极；所述第一NMOS管的栅极接漏极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极，源极接地，漏极接所述第二NPN管的发射极和所述第三NPN管的发射极；所述第三NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极，源极接地，漏极接所述第四NPN管的发射极和所述第五NPN管的发射极；所述第四NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极，源极接地，漏极接所述第六NPN管的发射极；所述第五NMOS管的栅极接漏极和所述第六NPN管的基极和所述第六电阻的一端，源极接地；所述第六NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管和所述第二PMOS管的漏极，源极接地，漏极接所述第七NPN管的发射极和所述第二PNP管的基极；所述第一NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，集电极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，发射极接所述第三电阻的一端；所述第二NPN管的基极是VN端，集电极接所述第四电阻的一端和所述第四NPN管的基极，发射极接所述第三NPN管的发射极和所述第二NMOS管的漏极；所述第三NPN管的基极是VP端，集电极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的基极，发射极接所述第二NPN管的发射极和所述第二NMOS管的漏极；所述第四NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第二NPN管的...

【技术特征摘要】
1.高增益运算放大器，其特征在于包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五 电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一 PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS 管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第一 NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第 四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一 NPN管、第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、 第五NPN管、第六NPN管、第七NPN管、第八NPN管、第一 PNP管和第二PNP管： 所述第一电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一 NPN管的 基极； 所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一 NPN管的基极，另一端接地； 所述第三电阻的一端接所述第一 NPN管的发射极，另一端接地； 所述第四电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第二NPN管的集电极和所述第四NPN管 的基极； 所述第五电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第三NPN管的集电极和所述第五NPN管 的基极； 所述第六电阻的一端接所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和漏极和所 述第七PMOS管的栅极，另一端接所述第六NPN管的基极和所述第五NMOS管的栅极和漏极； 所述第七电阻的一端接输出V0UT和所述第八电阻的一端，另一端接所述第二PNP管的 发射极； 所述第八电阻的一端接输出V0UT和第七电阻的一端，另一端接所述第八NPN管的发射 极； 所述第一 PMOS管的栅极接漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第一 NPN管的集电 极，源极接电源VCC ; 所述第二PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第一 NPN管的集电 极，源极接电源VCC，漏极接所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所 述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极； 所述第三PMOS管的栅极接漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第四NPN管的集电 极，源极接电源VCC ; 所述第四PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第四NPN管的集电 极，源极接电源VCC，漏极接所述第五NPN管的集电极和所述第五PMOS管的源极； 所述第五PMOS管的栅极接所述第六PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极 和所述第六电阻的一端，源极接所述第四PMOS管的漏极和所述第五NPN管的集电极，漏极 接所述第六NPN管的集电极和所述第一 PNP管的基极和所述第七NPN管的基极； 所述第六PMOS管的栅极接漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极 和所述第六电阻的一端，源极接电源VCC ; 所述第七PMOS管的栅极接所述第六PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极 和所述第六电阻的一端，源极接电源VCC，漏极接所述第八NPN管的基极和所述第一 PNP管 的发射极； 所述第一 NMOS管的栅极接漏极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极 和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极，源极接 地； 所述第二NMOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐盛，
申请(专利权)人：浙江商业职业技术学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33