涂覆技术改进制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】涂覆技术改进本专利技术涉及对涂覆技术的改进，更特别地涉及对通过电镀沉积钼镀层的改进。甚至更特别地，本专利技术涉及对在商业或工业过程中通过电镀沉积钼镀层的改进。电镀是用于将钼和其他钼族金属的镀层施加到导电基底上的公知技术。尽管用于依照本专利技术的镀覆的大多数基底是导电金属或石墨，但也可以考虑结合有导电纤维或颗粒的复合材料以及具有锁结(keying)金属沉积物或金属喷镀层(flash coating)的塑料。该镀层可以是用于珠宝的薄的“光泽(flash)”镀层，或者厚度为几个微米，通常至多约20μπι，其取决于经镀覆产品的预期用途；对于某些应用该镀层可以更厚。功能性(包括保护性镀层以及催化性镀层)或装饰性镀层有多种主要用途，在珠宝中、在用于存储应用或导电迹线的沉积层的电子设备中以及在涡轮叶片的镀层中，其中在保护性铝化物的形成中使用钼镀层。在过去的几十年里，Johnson Matthey提出了两种主要类型的含氨钼镀浴，称为“P盐”和“Qjt.”。“P盐”是二硝二氨合钼(II) ( BP (NH3)2Pt(NO2)2)的含氨溶液。“Q 是正磷酸氢四氨合钼(II)的含氨溶液。...
【技术保护点】
一种水性铂电镀浴，其包含：a)铂离子源；和b)硼酸根离子源。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.12 GB 1200482.61.一种水性钼电镀浴，其包含: a)怕尚子源;和 b)硼酸根离子源。2.根据权利要求1所述的电镀浴，其中钼离子源是至少一种钼镀盐或络合物。3.根据权利要求2所述的电镀浴，其中钼镀盐或络合物选自由二硝二氨合钼(II)、正磷酸氢四氨合钼(II)、碳酸氢四氨合钼(II)、氢氧化四氨合钼(II)、硫酸四氨合钼(II)和硝酸四氨合钼(II)构成的组。4.根据权利要求2所述的电镀浴，其中钼镀盐或络合物选自由六羟基钼酸(IV)碱金属盐、四硝基钼酸(IV)碱金属盐、六氯钼酸(IV)氢碱金属盐、二硝基硫酸钼酸(II)氢碱金属盐、卤化四氨合钼(II)和四卤代钼酸(II)碱金属盐构成的组。5.根据前述权利要求中任一项所述的电镀浴，其中硼酸根离子源是任选地与至少一种硼酸盐相结合的含硼的酸。6.根据权利要求5所述的电镀浴，其中含硼的酸选自由硼酸、四硼酸和焦硼酸构成的组。7.根据权利要求1-4中任一项所述的电镀浴，其中硼酸根离子源是任选地与至少一种其他硼酸盐相结合的偏硼酸盐。8.根据权利要求5或7所述的电镀浴，其中硼酸盐选自由碱金属偏硼酸盐、碱金属四硼酸盐、碱金属二硼酸盐、碱金属五硼酸盐、碱土金属偏硼酸盐、碱土金属四硼酸盐、碱土金属二硼酸盐和碱土金属五硼酸盐构成的组。9.根据权利要求1所述的电镀浴，其中钼离子源和硼酸根离子源是硼酸钼盐或络合物。10.根据前述权利要求中任一项所述的电镀浴，其中钼离子浓度为约0.1至约30g/升。11.根据前述权利要求中任一项所述的电镀浴，其中硼酸根离子浓度为约0.1至约90g/升。12.根据前述权利要求中任一项所述的电镀浴，其进一步包含至少一种整平剂。13.根据权利要求12所述的电镀浴，其中整平剂包含至少一个不饱和碳-碳或不饱和碳-杂原子键。14.根据权利要求12或13所述的电镀浴，其中整平剂选自由以下至少一种构成的组: a)取代的或未取代的糖精或其盐； b)取代的或未取代的苯并吡喃酮； c)取代的或未取代的苯甲醛或其衍生物； d)取代的或未取代的除了乙烯之外的烯烃； e)取代的或未取代的除了乙炔之外的炔烃； f)取代的或未...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·伯津斯，A·博德曼，
申请(专利权)人：庄信万丰股份有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB
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