【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于显示装置的倾斜小面
本专利技术涉及形成机电系统装置的组件的方法及借此形成的组件。
技术介绍
机电系统包含具有电及机械元件、致动器、换能器、传感器、光学组件(例如,镜)及电子器件的装置。可以多种尺寸制造机电系统,包含但不限于微米尺寸及纳米尺寸。举例来说,微机电系统(MEMS)装置可包含具有介于从约一微米到数百微米或更大的范围内的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于一微米的大小(举例来说,包含小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分或添加层以形成电装置及机电装置的其它微机械加工工艺形成机电元件。一种类型的机电系统装置称作干涉式调制器(IMOD)。如本文中所用,术语干涉式调制器或干涉式光调制器是指使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中,干涉式调制器可包含一对导电板,所述对导电板中的一者或两者可为全部或部分透明的及/或反射的且能够在施加适当电信号时相对运动。在实施方案中,一个板可包含沉积于衬底上的固定层且另一板可包含通过气隙与所述固定层分离的反射膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于干涉式调制器上的光的光学干涉。干涉式调制器装置具有广泛的应用,且预期用于改进现有产品及形成新产品,尤其是具有显示能力的那些产品。
技术实现思路
本专利技术的系统、方法及装置各自具有数个创新性方面,所述方面中的单个方面均不单独地决定本文中所揭示的所要属性。本专利技术中所描述的标的物的一个创新性方面可实施于一种设备中,所述设备包含具有形成于衬底的第一表面中的多个凹痕的柔性衬底及至少部分位于所述凹 ...
【技术保护点】
一种设备,其包括:柔性衬底,其具有形成于所述衬底的第一表面中的多个凹痕;及反射小面,其至少部分地位于所述凹痕内,其中所述反射小面包含:反射表面,其位于所述小面的面向所述凹痕的侧上;及小面掩蔽结构,其在所述反射小面的与所述衬底相对的侧上,其中所述小面掩蔽结构的反射性小于所述反射表面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.22 US 61/579,554;2012.09.21 US 13/624,3331.一种显示设备,其包括:柔性衬底,其具有形成于所述柔性衬底的第一表面中的多个凹痕;及反射小面,其至少部分地位于所述凹痕内,其中所述反射小面包含:反射表面,其位于所述反射小面的面向所述凹痕的侧上;及小面掩蔽结构,其在所述反射小面的与所述柔性衬底相对的侧上,其中所述小面掩蔽结构的反射性小于所述反射表面,且其中所述小面掩蔽结构包含光致抗蚀剂层,且所述小面掩蔽结构为实质上非反射不透明材。2.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述柔性衬底的所述第一表面包含位于所述柔性衬底中的所述凹痕之间的平坦区域,且其中所述反射小面包含经定向而与所述柔性衬底的所述平坦区域成角度的倾斜侧壁。3.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述反射小面具有高度为至少0.5μm的截头圆锥形形状。4.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述倾斜侧壁相对于所述衬底的所述平坦区域定向的所述角度在40°与50°之间。5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的显示设备,其中所述反射表面包含铝。6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的显示设备,其中所述反射表面包含金属油墨。7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的显示设备,其另外包括:多个经掩蔽导线,其位于所述柔性衬底上,其中所述多个经掩蔽导线中的每一者包含:导电材料条带;及导线掩蔽结构,其具有至少一个导线掩蔽层,其中所述导线掩蔽层的反射性小于所述导电材料条带。8.根据权利要求7所述的显示设备,其中所述导电材料条带位于所述导线掩蔽结构与所述柔性衬底之间。9.根据权利要求7所述的显示设备,其中所述多个经掩蔽导线彼此实质上平行地延伸。10.根据权利要求7所述的显示设备,其中所述柔性衬底的所述第一表面包含位于所述柔性衬底中的所述凹痕之间的平坦区域,且其中所述多个经掩蔽导线在所述柔性衬底的所述第一表面的所述平坦区域上方延伸。11.根据权利要求7所述的显示设备,其中所述导线掩蔽结构包含光致抗蚀剂层。12.根据权利要求7所述的显示设备,其中所述导线掩蔽结构包含干涉式暗掩模。13.根据权利要求7所述的显示设备,其中所述多个经掩蔽导线的宽度小于5μm。14.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的显示设备,其另外包括:显示器衬底,其中所述柔性衬底位于所述显示器衬底与所述反射小面之间,且其中所述反射小面的所述反射表面面向所述显示器衬底;及反射式显示器,其位于所述显示器衬底的与所述柔性衬底相对的侧上。15.根据权利要求14所述的显示设备,其中所述柔性衬底另外包含形成于所述柔性衬底上的多个经掩蔽导线。16.根据权利要求15所述的显示设备,其另外包括位于所述柔性衬底的与所述显示器衬底相对的侧上的第二柔性衬底,其中所述第二柔性衬底包含形成于所述第二柔性衬底上的第二多个经掩蔽导线,且其中第一多个经掩蔽导线实质上正交于第二多个经掩蔽导线而延伸。1...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗伯特·L·霍尔曼,克里斯托弗尔·A·莱弗里,汤民豪,
申请(专利权)人:高通MEMS科技公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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