LED支架及LED发光体制造技术

技术编号:10349849 阅读:94 留言:0更新日期:2014-08-22 17:06
本实用新型专利技术适用于照明领域,提供了一种LED支架及LED发光体。其中LED支架包括金属基板以及设于金属基板上的塑胶反射杯,于塑胶反射杯围合的区域设有用于安装LED芯片的凸起的围坝,围坝与塑胶反射杯一体成型,围坝的深度为LED芯片的厚度的1/3~3倍,围坝的每组相对的内侧面的张角小于120°。本实用新型专利技术在金属基板上一体成型塑胶反射杯和围坝,节约了工序,提高了生产效率;并且不易变形、剥离等可能性,加强了塑胶反射杯与金属基板的结合力,提高了LED的可靠性;将围坝的深度设计为芯片厚度的1/3~3倍,将每组相对内侧面的张角限定在120°以内,避免了侧面吸光并保证正面的正常出光,提高了发光效率。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
LED支架及LED发光体
本技术涉及LED照明
,尤其涉及一种LED支架及LED发光体。
技术介绍
LED是目前应用较为广泛的光源之一,在LED的制作过程中,通常在芯片四周制作围坝,以便于涂覆荧光胶或封装胶,或是阻挡芯片侧壁对光的吸收。现有的围坝制作方法是在封装前于基板上制作围坝,然后将芯片一一安装在围坝中间,这种方式工序复杂,效率较低,也增加了成本,并且由于围坝是独立于基板上,长久使用有变形隐患,影响LED的可靠性。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种新型的LED支架,旨在简化工序,提高生产效率,并提闻其可罪性。本技术是这样实现的,LED支架,包括金属基板以及设于所述金属基板上的塑胶反射杯,于所述塑胶反射杯围合的区域设有用于安装LED芯片的凸起的围坝,所述围坝与所述塑胶反射杯一体成型,所述围坝的深度为LED芯片的厚度的1/3?3倍,所述围坝具有两组相对的内侧面,每组相对的内侧面的张角均小于120°。作为本技术的优选技术方案:所述围坝由两组相对的侧壁围合而成,其中一组相对的侧壁与所述塑胶反射杯连接为一体。所述塑胶反射杯的杯底为矩形、圆形或方形。所述塑胶反射杯和围坝的材质本文档来自技高网...

【技术保护点】
LED支架,其特征在于,包括金属基板以及设于所述金属基板上的塑胶反射杯,于所述塑胶反射杯围合的区域设有用于安装LED芯片的凸起的围坝,所述围坝与所述塑胶反射杯一体成型,所述围坝的深度为LED芯片的厚度的1/3~3倍,所述围坝具有两组相对的内侧面,每组相对的内侧面的张角均小于120°。

【技术特征摘要】
1.LED支架,其特征在于,包括金属基板以及设于所述金属基板上的塑胶反射杯,于所述塑胶反射杯围合的区域设有用于安装LED芯片的凸起的围坝,所述围坝与所述塑胶反射杯一体成型,所述围坝的深度为LED芯片的厚度的1/3?3倍,所述围坝具有两组相对的内侧面,每组相对的内侧面的张角均小于120°。2.如权利要求1所述的LED支架,其特征在于,所述围坝由两组相对的侧壁围合而成,其中一组相对的侧壁与所述塑胶反射杯连接为一体。3.如权利要求1或2所述的LED支架,其特征在于,所述塑胶反射杯的杯底为矩形、圆形或方形。4.如权利要求1或2所述的LED支架,其特征在于,所述塑胶反射杯和围坝的材...

【专利技术属性】
技术研发人员:游志
申请(专利权)人:深圳市瑞丰光电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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