一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法技术

技术编号:10328180 阅读:179 留言:0更新日期:2014-08-14 14:25
本发明专利技术提供一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法,其结构包括背板连接器、三态输出缓冲逻辑芯片S1、晶体管Q1和显示LED,所述背板连接器的硬盘供电和读写指示管脚连接S1的输入管脚pin2,该S1还包括输出管脚pin4,所述pin4经过电阻R1后接入Q1;该Q1还连接两条供电线路:一条经电阻R4后接入Q1,另一条顺序经显示LED、电阻R5后接入Q1;所述显示LED并联设置有两组:一组显示LED的输出端连接电阻R5的输入端;另一组显示LED的输出端经过电阻R6后连接背板连接器的硬盘供电和读写指示管脚。该一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法和现有技术相比,提高系统易维护性,实用性强。

【技术实现步骤摘要】
一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法
本专利技术涉及电子设备
,具体的说是一种实用性强、背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法。
技术介绍
硬盘背板普遍应用于服务器系统,是存储子系统中非常重要的一个部件。它一方面是连接SAS/RAID卡与硬盘之间的“线缆”,另一方面也可以将硬盘的工作状态通过LED表现出来,提高了系统的易维护性。在服务器系统中,硬盘背板一般设计为兼容SAS和SATA硬盘,SAS和SATA硬盘虽然接口形态相同,但所遵循的通信协议和信号定义是不完全相同的。如附图1所示现有的硬盘背板连接示意图中,背板连接器即为图中的FCI-CONNECTOR,该硬盘背板的P11脚为硬盘供电和读写指示灯的定义pin脚,SAS硬盘Firmware的定义为该pin上电后初始状态为低电平,硬盘读写操作时输出方波;而SATA硬盘Firmware定义为该pin上电后初始状态为高电平,硬盘读写操作时输出方波。SAS和SATA硬盘上电后初始电平恰好相反。因此,使用同一组上电亮灯线路时,必然存在一种硬盘不亮灯。在原有的背板设计中,SATA硬盘上电时是不亮灯的。为了解决硬盘指示灯亮的情况,现有技术中常用技术即为附图所示的在背板p11管脚处增加手动开关J1来实现SATA硬盘上电亮灯,即根据背板所用硬盘是SAS或SATA硬盘,通过事先手动设置开关,来实现硬盘上电亮灯。该方案有一定改进,但也存在一定局限性,如该方案中背板全部硬盘需使用同一种类型,非SATA即SAS,不能混插配置;手动设置也可能存在误操作几率。基于此,现提供一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法,通过在背板上新增电路模块,动态实现SAS/SATA硬盘上电时指示灯亮灯,无需手动配置,使得LED指示灯的打开更加灵活易用。
技术实现思路
本专利技术的技术任务是解决现有技术的不足,提供一种动态实现背板SATA/SAS硬盘上电时指示灯亮灯、解决部分背板SATA硬盘上电指示灯不亮以及部分背板需要手动调整开关来实现亮灯的问题、背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法。本专利技术的技术方案是按以下方式实现的,该一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法,其结构包括背板连接器、三态输出缓冲逻辑芯片S1、晶体管Q1和显示LED,所述背板连接器的硬盘供电和读写指示管脚连接S1的输入管脚pin2,该S1还包括电平收发管脚pin1、接地管脚pin3、电压输入管脚pin5、输出管脚pin4,所述输出管脚pin4经过电阻R1后接入晶体管Q1;该晶体管Q1还连接两条供电线路:其中一条经电阻R4后接入该晶体管,另一条顺序经显示LED、电阻R5后接入该晶体管;所述显示LED并联设置有两组:一组显示LED的输出端连接电阻R5的输入端;另一组显示LED的输出端经过电阻R6后连接背板连接器的硬盘供电和读写指示管脚。作为优选,所述晶体管Q1为N沟道MOS晶体管,与电阻R1相连接的为该Q1的G极,该Q1的S极接地,D极接电阻R4、电阻R5的输出端。作为优选,所述S1的电压输入管脚pin5连接的输入电压、电阻R4的输入电压、显示LED的输入电压均为3.3V。进一步的,所述S1的电压输入管脚pin5的输入端与地之间设置有去耦电容C1。进一步的,所述电阻R1的输出端、Q1的G极之间设置有RC充放电线路,该RC充放电线路包括相互并联的电容C2、电阻R2,该电容C2、电阻R2的输入端连接在电阻R1的输出端与Q1的G极输入端之间、输出端接地。作为优选,所述电阻R1、R2、R6、R4、R5均为贴片电阻,电容C1、C2均为贴片电容。本专利技术与现有技术相比所产生的有益效果是:本专利技术的一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法通过在现有的背板上增加电路模块实现SAS/SATA硬盘在上电时亮灯,提高系统易维护性,解决了前期背板SATA硬盘上电指示灯不亮或者需要手动调整开关来实现亮灯的问题,实用性强,适用范围广泛,易于推广。附图说明附图1为现有技术的背板硬盘上电指示灯亮灯电路图。附图2为本专利技术的动态实现电路图一。附图3为本专利技术的动态实现电路图二。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法作以下详细说明。如附图2、图3所示,现提供一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法,通过增加电路模块,达到无需手动就能动态实现SAS/SATA硬盘上电时指示灯亮灯的功能,其具体实现电路如下:其结构包括背板连接器、三态输出缓冲逻辑芯片S1、晶体管Q1和显示LED。所述背板连接器的硬盘供电和读写指示管脚连接S1的输入管脚pin2,即图中的A管脚,该S1的管脚还包括电平收发管脚pin1,即图中的OE_L管脚;接地管脚pin3,即图中的GND管脚;电压输入管脚pin5,即图中的VCC管脚;输出管脚pin4,即图中的Y管脚,所述输出管脚pin4经过电阻R1后接入晶体管Q1。该晶体管Q1还连接两条供电线路:其中一条经电阻R4后接入该晶体管,该电阻R4的输入端连接供电电压输入端,输出端连接该晶体管;另一条顺序经显示LED、电阻R5后接入该晶体管,即显示LED的输入端连接供电电压输入端。所述显示LED并联设置有两组:一组显示LED的输出端连接电阻R5的输入端;另一组显示LED的输出端经过电阻R6后连接背板连接器的硬盘供电和读写指示管脚,此处的显示LED一般选用红绿双色发光二极管。所述晶体管Q1为N沟道MOS晶体管,与电阻R1相连接的为该Q1的G极,该Q1的S极接地,D极接电阻R4、电阻R5的输出端。所述S1的电压输入管脚pin5连接的输入电压、电阻R4的输入电压、显示LED的输入电压均为3.3V。所述S1的电压输入管脚pin5的输入端与地之间设置有去耦电容C1。所述电阻R1的输出端、Q1的G极之间设置有RC充放电线路,该RC充放电线路包括相互并联的电容C2、电阻R2,该电容C2、电阻R2的输入端连接在电阻R1的输出端与Q1的G极输入端之间、输出端接地。所述电阻R1、R2、R6、R4、R5均为贴片电阻,电容C1、C2均为贴片电容。在实际使用时,通过三态输出缓冲逻辑芯片,硬盘是否在位的信号Present#作为OE#输入,即硬盘在位时(Present#为低),该线路才导通;无硬盘时(Present#为高)截止,避免出现不安装硬盘时,硬盘灯异常亮起。当接上SATA硬盘时,HDD_REY信号为高,两组显示LED中的上侧LED不会点亮;此时下侧线路可以导通,三态输出缓冲逻辑芯片输出高电平,RC充放电线路开始充电,当充电达到晶体管Q1导通电压时,下侧LED灯点亮。当接上SAS硬盘时,HDD_REY信号为低,两组显示LED中的上侧LED点亮;此时下侧线路也导通,但三态输出缓冲逻辑芯片芯片输出为低电平,故晶体管Q1截止,下侧灯不会点亮。综上,在接上SAS或SATA硬盘时上电指示灯均能点亮,可动态实现。以上实施方式仅用于说明本专利技术,而并非对本专利技术的限制,有关
的普通技术人员,在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本专利技术的范畴,本专利技术的专利保护范围应由权利要求限定。本文档来自技高网
...
一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法

【技术保护点】
一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法,其特征在于其结构包括背板连接器、三态输出缓冲逻辑芯片S1、晶体管Q1和显示LED,所述背板连接器的硬盘供电和读写指示管脚连接S1的输入管脚pin2,该S1还包括电平收发管脚pin1、接地管脚pin3、电压输入管脚pin5、输出管脚pin4,所述输出管脚pin4经过电阻R1后接入晶体管Q1;该晶体管Q1还连接两条供电线路:其中一条经电阻R4后接入该晶体管,另一条顺序经显示LED、电阻R5后接入该晶体管;所述显示LED并联设置有两组:一组显示LED的输出端连接电阻R5的输入端;另一组显示LED的输出端经过电阻R6后连接背板连接器的硬盘供电和读写指示管脚。

【技术特征摘要】
1.一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法,其特征在于其结构包括背板连接器、三态输出缓冲逻辑芯片S1、晶体管Q1和显示LED,所述背板连接器的硬盘供电和读写指示管脚连接三态输出缓冲逻辑芯片S1的数据输入管脚pin2,该三态输出缓冲逻辑芯片S1还包括电平收发管脚pin1、接地管脚pin3、电压输入管脚pin5、数据输出管脚pin4,所述数据输出管脚pin4经过电阻R1后接入晶体管Q1;该晶体管Q1还连接两条供电线路:其中一条经电阻R4后接入该晶体管Q1,另一条顺序经显示LED、电阻R5后接入该晶体管Q1;所述显示LED并联设置有两组:一组显示LED的输出端连接电阻R5的输入端;另一组显示LED的输出端经过电阻R6后连接背板连接器的硬盘供电和读写指示管脚。2.根据权利要求1所述的一种背板硬盘上电指示灯亮灯的电路动态实现方法,其特征在于:所述晶体管Q1为N沟道MOS晶体管,与电阻R1相连接的为该晶体管Q1的G极,该晶体管Q1的S极接地,晶体管Q1的D极接电阻R4的输出端并且...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘艳霞刘涛张锋
申请(专利权)人:浪潮电子信息产业股份有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1