顶部发光OLED显示器薄膜密封工艺制造技术

本发明专利技术涉及OLED显示技术领域，特别涉及一种OLED显示器薄膜密封制备工艺，覆盖于OLED显示器半透明阴极上，其特征在于由多层膜结构组成，从下往上依次为C60薄膜、金属氧化物薄膜和高分子薄膜；其后金属氧化物薄膜和高分子薄膜2-3个周期交替排列。预先密封层薄膜制备工艺与有机发光结构制备工艺完全兼容；同时，制备的薄膜具有较小的膨胀系数，可以与半透明阴极和无机氧化物密封材料实现良好兼容和匹配；此外，制备的薄膜在可见光波段还具有高的透过率，可以改善器件视角显示效果。

【技术实现步骤摘要】
顶部发光OLED显示器薄膜密封工艺
本专利技术涉及OLED显示
，特别涉及一种OLED显示器薄膜密封制备工艺。
技术介绍
顶部发光OLED显示器包括在半透明阴极上形成的多个功能叠层，来自阴极的电子与来自阳极的空穴分别通过各自的传导层在有机发光层进行复合从而发辐射发光，工业上进行密封的目的是有效隔绝水氧等杂质对这些功能叠层造成破坏。OLED显示器的密封结构决定了显示器的显示功能和寿命。制作OLED器件发光层的多数有机物对于大气中的氧气、水气以及其他污染物都十分敏感:氧气以及发光层氧化后形成的羰基化合物是有效的淬灭剂，会显著降低OLED器件的发光量子效率，甚至导致显示器丧失发光功能；水汽使有机层发生水解并且影响导电性能，从而导致稳定性大大降低。由于ALD表面反应的自限性，因此ALD沉积精度理论是上可以达到原子层量级。另外，原子层沉积(ALD)技术由于具有沉积工艺温度低、高薄膜均匀性等特点，使得利用原子层沉积(ALD)技术实现OLED器件密封成为人们研究的热点。然而，采用原子层沉积(ALD)技术密封OLED显示器的方法，需要在薄膜制备工艺中需要引入O3等氧化剂，为了防止顶本文档来自技高网...

【技术保护点】
顶部发光OLED显示器密封结构，覆盖于OLED显示器半透明阴极（1）上，其特征在于由多层膜结构组成，从下往上依次为C60薄膜（2）、金属氧化物薄膜(3)和高分子薄膜(4)；其后金属氧化物薄膜(3)和高分子薄膜(4)2‑3个周期交替排列。

【技术特征摘要】
1.顶部发光OLED显示器密封结构，覆盖于OLED显示器半透明阴极(I)上，其特征在于由多层膜结构组成，从下往上依次为C60薄膜(2)、金属氧化物薄膜(3)和高分子薄膜(4)；其后金属氧化物薄膜(3)和高分子薄膜(4)2-3个周期交替排列。2.如权力要求I所述的顶部发光OLED显示器密封结构，其特征在于所述的高分子薄膜(4)选用派瑞林材料。3.如权力要求I或2所述的顶部发光OLED显示器密封结构，其特征在于所述的金属氧化物薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：王光华，金景一，张筱丹，段瑜，季华夏，
申请(专利权)人：云南北方奥雷德光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：云南;53