电容式触摸屏传感器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种电容式触摸屏传感器及其制作方法，所述电容式触摸屏传感器包括：基板，位于基板表面的第一导电层，位于第一导电层及基板上的第一绝缘层，位于第一绝缘层、第一导电层及基板上的第二导电层，以及位于第二导电层及第一绝缘层上的第二绝缘层；其中，第一绝缘层上设有过孔，第二导电层与第一导电层通过过孔连通，第一绝缘层设置为至少覆盖第一导电层上除过孔之外的所有区域，且覆盖部分基板表面。本发明专利技术通过将第一绝缘层的面积设置为至少覆盖第一导电层上除过孔之外的所有区域，且覆盖基板表面的部分区域，减少了第一绝缘层的整体覆盖面积，提高了触摸屏传感器整体的透过率，同时降低了第一绝缘层的刻蚀工艺难度，有利于实现工业生产，提高产品质量及合格率。

【技术实现步骤摘要】
电容式触摸屏传感器及其制作方法
本专利技术涉及触摸屏技术，具体涉及一种电容式触摸屏传感器及其制作方法。
技术介绍
在传统的单侧氧化铟锡(SITO，SingleITO)电容触摸屏传感器(Sensor)中，采用SiO2或SiNx作为绝缘层时，大面积刻蚀容易造成绝缘层残留。为了避免绝缘层残留对传感器功能产生影响，电容式触摸屏传感器一般采用大面积绝缘层隔开第二横向导电层与第二纵向导电层。图1及图2为现有常用的电容式触摸屏传感器的平面图及剖面图。如图1及图2所示，电容式触摸屏传感器的结构由下至上包括基板10、位于基板10表面的第一导电层11、位于第一导电层11及基板10上的第一绝缘层(SiO2/SiNx)12、位于第一绝缘层12及第一导电层11上的第二导电层(ITO)13及位于第二导电层13及第一绝缘层12上的第二绝缘层(SiO2/SiNx)14，其中，第二导电层13包括第二横向导电层(ITO-X)13A及第二纵向导电层(ITO-Y)13B，第二横向导电层13A与第二纵向导电层13B通过第二绝缘层14隔开，第二纵向导电层13B直接导通，第二横向导电层13A通过金属/ITO(氧化铟锡)桥进行连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容式触摸屏传感器，其特征在于，包括：基板，位于基板表面的第一导电层，位于所述第一导电层及所述基板上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层、所述第一导电层及所述基板上的第二导电层，以及位于所述第二导电层及所述第一绝缘层上的第二绝缘层；其中，所述第一绝缘层上设有过孔，所述第二导电层与所述第一导电层通过所述过孔连通，所述第一绝缘层设置为至少覆盖所述第一导电层上除所述过孔之外的所有区域，且覆盖部分基板表面。

【技术特征摘要】
1.一种电容式触摸屏传感器，其特征在于，包括：基板，位于基板表面的第一导电层，位于所述第一导电层及所述基板上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层、所述第一导电层及所述基板上的第二导电层，以及位于所述第二导电层及所述第一绝缘层上的第二绝缘层；其中，所述第一绝缘层上设有过孔，所述第二导电层与所述第一导电层通过所述过孔连通，所述第一绝缘层设置为至少覆盖所述第一导电层上除所述过孔之外的所有区域，且覆盖部分基板表面；并且其中，所述第二导电层包括第二横向导电层及第二纵向导电层，所述第二横向导电层或所述第二纵向导电层通过所述过孔与所述第一导电层连通；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层采用透明材料制作。2.根据权利要求1所述的电容式触摸屏传感器，其特征在于，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层的材料为SiNx或SiO2。3.一种电容式触摸屏传感器的制作方法，其特征在于，包括以...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红娟，王海生，丁小梁，赵卫杰，任涛，吴俊纬，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11