一种内嵌式触摸屏及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种内嵌式触摸屏及显示装置，将黑矩阵分割为相互绝缘且交叉设置的第一触控电极与第二触控电极，由于是对黑矩阵结构进行变更以实现触控功能，因此，可以在现有的阵列基板或对向基板的制备工艺的基础上，不需要增加额外的工艺即可制成触摸屏，节省了生产成本，提高了生产效率。并且，由于不需要单独设置ITO材料的触控电极，此外黑矩阵的图形设置在像素的非开口区域，因此可以避免触控电极对显示装置的透过率造成影响。此外，由于第一触控电极与第二触控电极是由黑矩阵分割而成，避免了第一触控电极与第二触控电极之间产生正对面积，这样，减少了由该正对面积形成的互电容，从而提高了内嵌式触摸屏的触控灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
一种内嵌式触摸屏及显示装置
[0001 ] 本技术涉及触控显示
，尤指一种内嵌式触摸屏及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为:外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分开生产,然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏，外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部，可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，受到各大面板厂家青睐。目前，现有的电容式内嵌(in cell)触摸屏是在现有的TFT (Thin FilmTransistor,薄膜场效应晶体管)阵列基板上直接另外增加触控扫描线和触控感应线实现的，即在TFT阵列基板的表面制作两层相互异面相交的条状电极，这两层电极分别作为触摸屏的触控驱动线和触控感应线，在两条电极的异面相交处形成互电容。其工作过程为:在对作为触控驱动线的电极加载触控驱动信号时，检测触控感应线通过互电容耦合出的电压信号，在此过程中，有人体接触触摸屏时，人体电场就会作用在互电容上，使互电容的电容值发生变化，进而改变触控感应线耦合出的电压信号，根据电压信号的变化，就可以确定触点位置。上述电容式内嵌触摸屏的结构设计，需要在现有的TFT阵列基板上增加新的膜层，导致在制作TFT阵列基板时需要增加新的工艺，使生产成本增加，不利于提高生产效率。并且，上述电容式内嵌触摸屏的结构设计，一般采用铟锡氧化物(ITO)来制备触控扫描线和触控感应线，但是ITO的透过率只有60-80%，因此，该触控技术在应用到高分辨率产品中时，会削弱高分辨率产品的优势。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种内嵌式触摸屏及显示装置，用以实现成本较低、生产效率较高、透过率较高的内嵌式触摸屏。本技术实施例提供的一种内嵌式触摸屏，包括相对设置的阵列基板和对向基板；其中，所述阵列基板面向所述对向基板一侧，或所述对向基板面向所述阵列基板一侧设置有具有导电功能的黑矩阵；所述黑矩阵由相互绝缘且交叉设置的第一触控电极与第二触控电极组成，且所述第一触控电极和所述第二触控电极均具有网格状结构；对所述第一触控电极加载触控扫描信号，所述第二触控电极耦合所述触控扫描信号并输出触控感应信号；或，对所述第二触控电极加载触控扫描信号，所述第一触控电极耦合所述触控扫描信号并输出触控感应信号。本技术实施例提供的上述内嵌式触摸屏，将黑矩阵分割为相互绝缘且交叉设置的第一触控电极与第二触控电极，即黑矩阵复用第一触控电极与第二触控电极的功能，由于本技术实施例提供的触摸屏是对黑矩阵结构进行变更以实现触控功能，因此，可以在现有的阵列基板或对向基板的制备工艺的基础上，不需要增加额外的工艺即可制成触摸屏，节省了生产成本，提高了生产效率。并且，由于不需要单独设置ITO材料的触控电极，此外黑矩阵的图形设置在像素的非开口区域，因此可以避免触控电极对显示装置的透过率造成影响。另外，在本技术实施例提供的内嵌式触摸屏中，由于第一触控电极与第二触控电极是由黑矩阵分割而成，避免了第一触控电极与第二触控电极之间产生正对面积，这样，减少了由该正对面积形成的互电容，从而增加由手指触控导致的互电容变化量的比例，提高了内嵌式触摸屏的触控灵敏度。较佳地，为了便于实施，在本技术实施例提供的上述内嵌式触摸屏中，所述内嵌式触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元；各所述第一触控电极沿着所述像素单元的行方向延伸，各所述第二触控电极沿着所述像素单元的列方向延伸。较佳地，为了便于实施，在本技术实施例提供的上述内嵌式触摸屏中，所述第一触控电极由相互独立的多个第一触控子电极组成，所述第一触控子电极与所述第二触控电极交替排列；属于同一第一触控电极且位于所述第二触控电极两侧的第一触控子电极通过第一桥接线电性相连。较佳地，为了便于实施，在本技术实施例提供的上述内嵌式触摸屏中，所述黑矩阵位于所述阵列基板面向所述对向基板一侧；所述阵列基板还包括沿着所述像素单元的行方向延伸的栅线；所述第一桥接线的延伸方向与所述栅线的延伸方向相同。较佳地，为了简化制备工艺，节约生产成本，在本技术实施例提供的上述内嵌式触摸屏中，所述第一桥接线与所述栅线同层设置。较佳地，为了便于实施，在本技术实施例提供的上述内嵌式触摸屏中，所述第二触控电极由相互独立的多个第二触控子电极组成，所述第二触控子电极与所述第一触控电极交替排列；属于同一第二触控电极且位于所述第一触控电极两侧的第二触控子电极通过第二桥接线电性相连。较佳地，为了便于实施，在本技术实施例提供的上述内嵌式触摸屏中，所述黑矩阵位于所述阵列基板面向所述对向基板一侧；所述阵列基板还包括沿着所述像素单元的列方向延伸的数据线；所述第二桥接线的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同。较佳地，为了简化制备工艺，节约生产成本，在本技术实施例提供的上述内嵌式触摸屏中，所述第二桥接线与所述数据线同层设置。较佳地，在本技术实施例提供的上述内嵌式触摸屏中，还包括位于所述阵列基板面向所述对向基板一侧，或所述对向基板面向所述阵列基板一侧的彩色滤光片。较佳地，为了便于实施，在本技术实施例提供的上述内嵌式触摸屏中，将所述内嵌式触摸屏显示每一帧的时间分为触控时间段和显示时间段，在触控时间段，对所述第一触控电极加载触控扫描信号，所述第二触控电极耦合所述触控扫描信号并输出触控感应信号；或，对所述第二触控电极加载触控扫描信号，所述第一触控电极耦合所述触控扫描信号并输出触控感应信号。本技术实施例提供的一种显示装置，包括本技术实施例提供的上述任一种内嵌式触摸屏。【附图说明】图1a和图1b分别为本技术实施例提供的内嵌式触摸屏的结构示意图；图2a和图2b分别为本技术实施例提供的内嵌式触摸屏的俯视示意图；图3为本技术实施例提供的内嵌式触摸屏的剖面示意图；图4为本技术实施例提供的内嵌式触摸屏实现触控功能的时序图。【具体实施方式】下面结合附图，对本技术实施例提供的内嵌式触摸屏及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。附图中各层薄膜厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本技术实施例提供的一种内嵌式触摸屏，包括相对设置的阵列基板和对向基板；其中，阵列基板面向对向基板一侧，或对向基板面向阵列基板一侧设置有具有导电功能的黑矩阵；如图1a和图1b所示，黑矩阵由相互绝缘且交叉设置的第一触控电极110与第二触控电极120组成，且第一触控电极110和第二触控电极120均具有网格状结构；对第一触控电极110加载触控扫描信号，第二触控电极120耦合触控扫描信号并输出触控感应信号；或，对第二触控电极120加载触控扫描信号，第一触控电极110耦合触控扫描信号并输出触控感应信号。本技术实施例提供的上述内嵌本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内嵌式触摸屏，包括相对设置的阵列基板和对向基板；其中，所述阵列基板面向所述对向基板一侧，或所述对向基板面向所述阵列基板一侧设置有具有导电功能的黑矩阵，其特征在于：所述黑矩阵由相互绝缘且交叉设置的第一触控电极与第二触控电极组成，且所述第一触控电极和所述第二触控电极均具有网格状结构；对所述第一触控电极加载触控扫描信号，所述第二触控电极耦合所述触控扫描信号并输出触控感应信号；或，对所述第二触控电极加载触控扫描信号，所述第一触控电极耦合所述触控扫描信号并输出触控感应信号。

【技术特征摘要】
1.一种内嵌式触摸屏，包括相对设置的阵列基板和对向基板；其中，所述阵列基板面向所述对向基板一侧，或所述对向基板面向所述阵列基板一侧设置有具有导电功能的黑矩阵，其特征在于: 所述黑矩阵由相互绝缘且交叉设置的第一触控电极与第二触控电极组成，且所述第一触控电极和所述第二触控电极均具有网格状结构； 对所述第一触控电极加载触控扫描信号，所述第二触控电极耦合所述触控扫描信号并输出触控感应信号；或，对所述第二触控电极加载触控扫描信号，所述第一触控电极耦合所述触控扫描信号并输出触控感应信号。2.如权利要求1所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述内嵌式触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元； 各所述第一触控电极沿着所述像素单元的行方向延伸，各所述第二触控电极沿着所述像素单元的列方向延伸。3.如权利要求2所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述第一触控电极由相互独立的多个第一触控子电极组成，所述第一触控子电极与所述第二触控电极交替排列；属于同一第一触控电极且位于所述第二触控电极两侧的第一触控子电极通过第一桥接线电性相连。4.如权利要求3所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述黑矩阵位于所述阵列基板面向所述对向基板一侧；所述阵列基板还包括沿着所述像素单元的行方向延伸的栅线； 所述第一桥接线的延伸方向与所述栅线的延伸方向相同。5.如权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新星，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11