晶体硅太阳能电池矩阵式背电极制造技术

技术编号:10145998 阅读:190 留言:0更新日期:2014-06-30 15:56
本发明专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池矩阵式背电极,所述晶体硅太阳能电池是多晶156电池片,所述背电极具有十五段,且十五段背电极呈五行三列矩阵状排布,一列背电极位于电池片背面中间,其余两列背电极各自距离中间一列背电极52毫米,每段背电极皆是竖条状,且每段背电极的边缘皆连接有若干框线,所述框线呈间隔状均匀布满背电极周边,所述背电极的边缘和所述框线与背电场接触,该晶体硅太阳能电池矩阵式背电极减少了背银的消耗,与背铝接触更好、加大了背场的印刷面积,更好的提高了电流与电压,与此同时也更好的控制了背电极与背电场叠加的问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池矩阵式背电极,所述晶体硅太阳能电池是多晶156电池片,所述背电极具有十五段,且十五段背电极呈五行三列矩阵状排布,一列背电极位于电池片背面中间,其余两列背电极各自距离中间一列背电极52毫米,每段背电极皆是竖条状,且每段背电极的边缘皆连接有若干框线,所述框线呈间隔状均匀布满背电极周边,所述背电极的边缘和所述框线与背电场接触,该晶体硅太阳能电池矩阵式背电极减少了背银的消耗,与背铝接触更好、加大了背场的印刷面积,更好的提高了电流与电压,与此同时也更好的控制了背电极与背电场叠加的问题。【专利说明】晶体硅太阳能电池矩阵式背电极
本专利技术属于太阳能电池结构领域,具体涉及一种多晶156电池片的背电极结构。
技术介绍
太阳能电池是一种将光能直接转化为电能的器件,由于其清洁、无污染、取之不尽,用之不竭,受到越来越多的关注。目前广泛采用的是硅太阳能电池,其制造工艺也已经标准化,主要步骤为:化学清洗及表面结构化处理(制绒)_扩散制结-周边刻蚀-沉积减反射膜-丝网印刷-烧结。其中,丝网印刷首先进行背面电极的印刷,浆料为Ag浆,烘干后印刷背面电场,浆料为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池矩阵式背电极,所述晶体硅太阳能电池是多晶156电池片,其特征在于:所述背电极(1)具有十五段,且十五段背电极呈五行三列矩阵状排布,一列背电极位于电池片背面中间,其余两列背电极各自距离中间一列背电极52毫米,每段背电极皆是竖条状,且每段背电极的边缘皆连接有若干框线(2),所述框线呈间隔状均匀布满背电极周边,所述背电极的边缘和所述框线与背电场接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:白海赞胡中
申请(专利权)人:江苏欧耐尔新型材料有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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