本发明专利技术涉及纳米材料与纳米技术领域,具体是涉及一种氟硼共掺杂TiO2纳米片、制备方法及用途。氟硼共掺杂TiO2纳米片，为锐钛矿相结构，氟和硼掺入晶格中，且暴露的晶面为（001）晶面，其呈片状形貌，纳米片的厚度为1～100nm，构筑单元纳米片的边缘呈圆滑过渡。与纯锐钛矿相TiO2纳米颗粒相比，本发明专利技术的氟硼共掺杂、（001）晶面暴露的TiO2纳米片，对可见光的吸收率明显提高，且具有明显的红移现象，提高了光生电子-空穴的迁移效率，且（001）高活性晶面的大量暴露，从而使其光催化性能得到了显著增强。氟硼共掺杂TiO2纳米片可在光催化环境治理方面具有很好的应用前景，例如作为光催化剂用于水的净化等。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种氟硼共掺杂TiO2纳米片，为锐钛矿相结构，氟和硼掺入晶格中，且暴露的晶面为（001）晶面，其呈片状形貌，纳米片的厚度为1～100nm，构筑单元纳米片的边缘呈圆滑过渡。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许海峰，李鸿，曹保银，
申请(专利权)人：宿州学院，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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