掺杂方法、PN结构、太阳能电池的制作方法及太阳能电池技术

本发明专利技术提供了一种掺杂方法，包括：在N型基底（1）的表面中形成N+掺杂区域（2）；在N型基底的表面中形成P+掺杂区域（5）和P型掺杂过渡区域（51），其中，N+掺杂区域和P+掺杂区域互不接触，P型掺杂过渡区域为与P+掺杂区域接触的、且P型离子的掺杂浓度小于P+掺杂区域的区域。还提供了一种PN结构、太阳能电池以及其制作方法。该掺杂方法简化了工艺步骤，无需购买光刻机，无需使用多张掩模，不存在掩模校准问题且降低了PN结构和太阳能电池的制作成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炯，洪俊华，钱锋，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31