RF功率放大器分路器制造技术

本发明专利技术涉及一种RF功率放大器分路器。提供了一种新颖的和有用的射频(RF)前端模块(FEM)电路，其提供高线性度和功率效率并符合现代无线通信标准(诸如802.11WLAN、3G和4G蜂窝标准、蓝牙，ZigBee等)的要求。所述FEM电路的配置允许使用常见的、相对低成本的半导体制造技术，如标准CMOS工艺。所述FEM电路包括含有一个或多个子放大器的功率放大器，所述子放大器具有高和低功率电路并且其输出被合成以产生总的所需的功率增益。具有被布置为新颖配置的初级和次级绕组的集成多抽头变压器提供高效的功率合成并将由各子放大器生成的功率传输到天线。

【技术实现步骤摘要】
优先权申请的引用本申请要求下列的优先权：2012年9月23日提交的序列号No.61/704,510、题为“An Integrated Transformer(集成变压器)”的美国申请，2012年9月25日提交的序列号No.61/705,150、题为“A Method and System for Noise Reduction in Wireless Communication(用于无线通信中降噪的方法和系统)”的美国申请，2012年10月30日提交的序列号No.61/720,001、题为“System and Method for Radio Frequency Signal Amplification(射频信号放大的系统和方法)”的美国申请，2012年11月15日提交的序列号No.61/726,699、题为“DC DC Converter with Fast Output Voltage Transitions(具有快速输出电压转换的DC-DC变压器)”的美国申请，2012年11月15日提交的序列号No.61/本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路射频(RF)功率放大器分路器，包括：半导体衬底，用于支撑集成电路的多个层；多个次级绕组，被配置为二维栅格图案，其中每个次级绕组与其他两个次级绕组相邻；初级绕组，布线在所述多个次级绕组附近，所述布线适于最大化从所述初级绕组到所述次级绕组的功率耦合和阻抗变换；其中，被施加到所述初级绕组的RF输入信号在所述次级绕组的端子处被分路为多个差分RF输出信号。

【技术特征摘要】
2012.10.30 US 61/720,001;2012.11.15 US 61/726,6991.一种集成电路射频(RF)功率放大器分路器，包括：
半导体衬底，用于支撑集成电路的多个层；
多个次级绕组，被配置为二维栅格图案，其中每个次级绕组与其他两
个次级绕组相邻；
初级绕组，布线在所述多个次级绕组附近，所述布线适于最大化从所
述初级绕组到所述次级绕组的功率耦合和阻抗变换；
其中，被施加到所述初级绕组的RF输入信号在所述次级绕组的端子
处被分路为多个差分RF输出信号。
2.根据权利要求1所述的集成电路分路器，其中，所述初级绕组和所
述多个次级绕组的形状基本上是矩形。
3.根据权利要求1所述的集成电路分路器，其中，所述初级绕组和所
述多个次级绕组的形状基本上是六角形。
4.根据权利要求1所述的集成电路分路器，其中，所述初级绕组和所
述多个次级绕组的形状基本上是八角形。
5.根据权利要求1所述的集成电路分路器，其中，所述次级绕组的数
量为4。
6.根据权利要求1所述的集成电路分路器，其中，配置每个次级绕组
的电感，使得其阻抗基本上与后续子放大器级的输入阻抗相匹配。
7.根据权利要求1所述的集成电路分路器，其中，使用选自包括互补
型金属氧化物半导体(CMOS)、砷化镓(GaAs)、锗化硅(SiGe)、铟
镓磷化物(lnGaP)和氮化镓(GaN)的组中的半导体技术制造所述分路
器。
8.根据权利要求1所述的集成电路分路器，其中，所述分路器适合于
传输符合选自包括802.11WLAN、LTE、WiMAX、HDTV、3G蜂窝、4G
蜂窝和DECT的组中的无线标准的信号。
9.一种集成电路射频(RF)功率放大器分路器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·安德森，A·莫斯托夫，E·施瓦兹，
申请(专利权)人：DSP集团有限公司，
类型：发明
国别省市：