本发明专利技术公开了一种上位机失效处理方法，用于在半导体工艺期间上位机失效时对各半导体设备进行控制，该上位机失效处理方法由下位机执行，其包括：从所述上位机获取所述半导体工艺所处的工艺阶段；以及当接收上位机失效信号时，根据当前所述半导体工艺所处的工艺阶段对所述各半导体设备的工艺参数进行相应控制。本发明专利技术还提供了一种上位机失效处理装置，能够在保证安全的前提下使设备正常完成工艺流程，避免因上位机失效导致产品损坏。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备控制
，特别涉及一种上位机失效的处理方法及处理装置。
技术介绍
立式氧化炉设备在半导体生产行业不可或缺，无论国产还是进口设备，对于设备控制方式，多数采用上位机和下位机相结合的控制方式，正常运行时由上位机为主要控制，通过上位机与下位机及上位机与设备及下位机与设备之间的通讯进行控制，由于下位机的计算速度很难达到实时控制，所以当设备在工艺过程中，上位机出现问题导致宕机的时候，多数情况下都会停止工艺，然后通过操作人员进行排故处理。虽然设备和人员的安全性得以保证，但却很有可能会造成产品报废，造成较大的经济损失。
技术实现思路
本专利技术的主要目的旨在提供一种能够在半导体工艺过程中上位机失效的情况下，继续对设备进行控制的方法，以最大限度地保护操作人员、设备以及产品的安全。为达成上述目的，本专利技术提供一种上位机失效处理方法，用于在半导体工艺期间上位机失效时对各半导体设备进行控制，所述上位机失效处理方法由下位机执行，其包括以下步骤：从所述上位机获取所述半导体工艺所处的工艺阶段；以及当接收上位机失效信号时，根据当前所述半导体工艺所处的工艺阶段对所述各半导体设备的工艺参数进行相应控制。优选地，所述工艺阶段包括工艺准备阶段，主工艺阶段以及工艺结束阶段。优选地，所述上位机失效处理方法还包括：存储所述工艺结束阶段所述各半导体设备的工艺参数。优选地，若接收所述上位机失效信号时所述半导体工艺所处的工艺阶段为工艺准备阶段，则将所述各半导体设备的工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。优选地，若接收所述上位机失效信号时所述半导体工艺所处的工艺阶段为主工艺阶段，则维持当前所述各半导体设备的工艺参数，直至所述主工艺阶段完成时将该些工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。优选地，根据所述半导体工艺进入所述主工艺阶段的时刻、接收所述上位机失效信号的时刻以及所述主工艺阶段所需的时间，获得所述上位机失效时所述主工艺阶段的剩余时间，并根据该剩余时间计时计算以判断所述主工艺级阶段是否完成。优选地，所述半导体设备为立式扩散/氧化炉，所述半导体设备的工艺参数包括炉丝温度、阀体的开关状态、气体的流量、运动部件的状态。本专利技术还提供了一种上位机失效处理装置，用于在半导体工艺期间上位机失效时对各半导体设备进行控制。所述上位机失效处理装置包括第一接收模块、第二接收模块以及控制模块。其中，第一接收模块用于从所述上位机获取所述半导体工艺所处的工艺阶段；第二接收模块用于接收上位机失效信号；控制模块与所述第一接收模块和第二接收模块相连，用于根据接收该上位机失效信号时所述半导体工艺所处的工艺阶段对所述各半导体设备的工艺参数进行相应控制。优选地，所述工艺阶段包括工艺准备阶段，主工艺阶段以及工艺结束阶段。优选地，所述控制模块包括存储子模块，用于存储所述工艺结束阶段所述各半导体设备的工艺参数。优选地，若所述第二接收模块接收所述上位机失效信号时所述第一接收模块获取的所述工艺阶段为工艺准备阶段，则所述控制模块将所述各半导体设备的工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。优选地，若所述第二接收模块接收所述上位机失效信号时所述第一接收模块获取的所述工艺阶段为主工艺阶段，则所述控制模块维持当前所述各半导体设备的工艺参数，直至所述主工艺阶段完成时将该些工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。优选地，所述控制模块包括计时子模块，其中设有所述主工艺阶段所需的时间，所述计时子模块根据所述第一接收模块获取所述半导体工艺进入所述主工艺阶段的时刻、所述第二接收模块接收所述上位机失效信号的时刻以及所述主工艺阶段所需的时间，获得所述上位机失效时所述主工艺阶段的剩余时间，并根据该剩余时间计时计算以判断所述主工艺级阶段是否完成。优选地，所述半导体设备为立式扩散/氧化炉，所述半导体设备的工艺参数包括炉丝温度、阀体的开关状态、气体的流量、运动部件的状态。本专利技术所提出的上位机失效处理方法和装置，能够在上位机失效时，由下位机根据当前半导体设备所处的工艺阶段对各半导体设备进行控制，能够在保证安全的前提下使设备正常完成工艺流程。附图说明图1为本专利技术上位机失效处理装置的方块图；图2为本专利技术上位机失效处理方法的流程图；图3为本专利技术一实施例上位机失效处理方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本专利技术的内容作进一步说明。当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本专利技术的保护范围内。图1为本专利技术上位机失效处理装置的方块图；图2为本专利技术上位机失效处理方法的流程图，以下将结合图1和图2对本专利技术进行详细的说明。本专利技术的上位机失效处理装置位于下位机10中，用于在半导体工艺期间上位机20失效时对各半导体设备30进行控制。上位机失效处理装置包括第一接收模块11，第二接收模块12和控制模块13。其中，第一接收模块11用于执行步骤S1，从上位机获取半导体工艺所处的工艺阶段。具体来说，半导体工艺的工艺阶段可分为工艺准备阶段、主工艺阶段和工艺结束阶段。从半导体工艺开始，第一接收模块11通过与上位机20建立通讯，从上位机20获得半导体工艺的工艺阶段是处于工艺准备阶段，主工艺阶段还是工艺结束阶段。第二接收模块12和控制模块13用于执行步骤S2，具体来说第二接收模块12用于接收上位机失效信号，当上位机发生宕机等失效情况时，将即时发送失效信号至第二接收模块12；控制模块13与第一接收模块11和第二接收模块12相连，用于根据第二接收模块12接收上位机失效信号时，半导体工艺所处的工艺阶段来对各半导体设备30的工艺参数进行相应控制。具体来说，当上位机在主工艺阶段发生失效情况，如果此时停止工艺会造成产品的损坏，造成很大的经济损失，因此控制模块13将控制半导体设备30的各工艺参数维持原来的参数，直到主工艺阶段完成。其中，主工艺阶段的完成判定可通过控制模块13的计时子模块来完成，下文将进一步阐述。当判断主工艺阶段完成后，控制模块再控制将半导体设备30的工艺参数设定为工艺结束阶段所适用的工艺参数。如果上位机在工艺准备阶段发生失效情况，由于主工艺阶段尚未开始，控制模块13可以停止工艺，直接将半导体设备30的工艺参数设定为工艺结束阶段所适用的工艺参数；如果失效情况发生在工艺结束阶段，由于主工艺阶段已经完成，控制模块13继续维持该工艺结束阶段所适用的工艺参数。因此，较佳的控制模块13具有存储工艺结束阶本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种上位机失效处理方法，用于在半导体工艺期间上位机失效时对各半导体设
备进行控制，其特征在于，所述上位机失效处理方法由下位机执行，其包括以下步骤：
从所述上位机获取所述半导体工艺所处的工艺阶段；以及
当接收上位机失效信号时，根据当前所述半导体工艺所处的工艺阶段对所述各半导
体设备的工艺参数进行相应控制。
2.根据权利要求1所述的上位机失效处理方法，其特征在于，所述工艺阶段包括
工艺准备阶段，主工艺阶段以及工艺结束阶段。
3.根据权利要求2所述的上位机失效处理方法，其特征在于，还包括：存储所述
工艺结束阶段所述各半导体设备的工艺参数。
4.根据权利要求3所述的上位机失效处理方法，其特征在于，若接收所述上位机
失效信号时，所述半导体工艺所处的工艺阶段为工艺准备阶段，则将所述各半导体设备
的工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。
5.根据权利要求1所述的上位机失效处理方法，其特征在于，若接收所述上位机
失效信号时，所述半导体工艺所处的工艺阶段为主工艺阶段，则维持当前所述各半导体
设备的工艺参数，直至所述主工艺阶段完成时将该些工艺参数设为所述工艺结束阶段的
工艺参数。
6.根据权利要求5所述的上位机失效处理方法，其特征在于，根据所述半导体工
艺进入所述主工艺阶段的时刻、接收所述上位机失效信号的时刻以及所述主工艺阶段所
需的时间，获得所述上位机失效时所述主工艺阶段的剩余时间，并根据该剩余时间计时
计算以判断所述主工艺级阶段是否完成。
7.根据权利要求1所述的上位机失效处理方法，其特征在于，所述半导体设备为
立式扩散/氧化炉，所述半导体设备的工艺参数包括炉丝温度、阀体的开关状态、气体的
流量、运动部件的状态。
8.一种上位机失效处理装置，用于在半导体工艺期间上位机失效时对各半导体设
备进行控制，其特征在于，所述失效处理装置包含于下位机中，其包括：
第一接收模块，用于从...
【专利技术属性】
技术研发人员：付运涛，张海轮，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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