发光二极管阵列结构及其打印头与打印装置制造方法及图纸

技术编号:10043149 阅读:222 留言:0更新日期:2014-05-14 14:06
本发明专利技术提供一种发光二极管阵列结构,包含基板及多个发光晶闸管。发光晶闸管线性排列于基板上。各发光晶闸管包含彼此连接的带状部及板状部,且相邻的发光晶闸管的板状部彼此交错。借以维持发光晶闸管的排列密度并扩大发光晶闸管的分布面积。一种包含前述发光二极管阵列结构的打印头及打印装置,也在此提出,以借由分布面积扩大而提高出光量的发光晶闸管,增进打印装置的感光与打印速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种二极管阵列结构,特别是涉及一种发光二极管阵列结构及其打印头与打印装置
技术介绍
复印机、打印机传真机及多功能事务机利用电子写真技术(Electro-photography)作为打印文件的核心技术,意即借由特定波长的光改变静电荷(electrostatic charge)的分布而产生写真(photographic)影像。参照图1,为彩色打印的发光二极管(LED)打印机100的示意图。发光二极管打印机100具有分别对应于黑色、洋红色、青色及黄色的感光鼓(Photoconductive drum)(110K、110M、110C、110Y,总称110)、打印头(Printing head)(120K、120M、120C、120Y,总称120)及墨粉盒(Tonercartridge)(130K、130M、130C、130Y,总称130)。经过布电机构,感光鼓110表面会产生一层均匀的电荷。打印前的扫描程序需经过曝光程序,使得要打印的文件中的图案像素转换成可见光明暗数据。打印头120中具有多个一维排列的发光二极管,其发出的光照射到感光鼓110上时,未曝光区会维持原有电位,但曝光区的电荷则因曝光而产生差异。曝光区的电位变化差异可吸附墨粉盒130提供的带有正/负电荷的碳粉,借以达到打印目的。为了提高打印分辨率,打印头120中的发光二极管紧密排列。例如,若要达到600DPI(Dots Per Inch,点每英寸)的打印分辨率,则需使发光二极管间距为42.3微米(μm)。进而限制了发光二极管的面积,使得发光二极管的出光量受到限制。因此,如何增进发光二极管的面积,以提高发光二极管的出光量,为本领域的研究人员致力研究的课题。
技术实现思路
鉴于以上的问题,本专利技术在于提供一种发光二极管阵列结构及其打印头与打印装置,借以提高发光二极管的出光量,以增进感光与打印速度。本专利技术的一实施例提供一种发光二极管阵列结构,包含基板及多个发光晶闸管。发光晶闸管位于基板上并线性排列。各发光晶闸管包含彼此连接的带状部及板状部,且相邻的发光晶闸管的板状部彼此交错。本专利技术的一实施例另提供一种打印头,包含前述的发光二极管阵列结构。本专利技术的一实施例再提供一种打印装置,包含感光鼓、透镜及具有前述发光二极管阵列结构的打印头。透镜位于感光鼓与打印头之间,用以将打印头发出的光聚焦在感光鼓上。综上所述,根据本专利技术的发光二极管阵列结构及其打印头与打印装置,发光二极管阵列结构中两相邻的发光晶闸管的板状部分别位于对应的带状部上不同位置。借此,可维持发光晶闸管的排列密度并扩大发光晶闸管的分布面积,以提高发光晶闸管的出光量,而增进打印装置的感光与打印速度。附图说明图1为彩色打印的发光二极管打印机的示意图;图2为根据本专利技术一实施例的打印装置的感光示意图;图3为根据本专利技术一实施例的打印头的外观示意图;图4为根据本专利技术一实施例的发光芯片的电路示意图;图5为根据本专利技术一实施例的发光芯片接收的频率信号示意图;图6为根据本专利技术一实施例的发光二极管阵列结构的示意图;图7为根据图6所示的A-A线的剖面图;图8为根据图6所示的B-B线的剖面图;图9为根据图6所示的C-C线的剖面图;图10为根据本专利技术一实施例的发光二极管阵列结构的另一示意图;图11为根据本专利技术一实施例的发光二极管阵列结构的再一示意图;图12为根据本专利技术一实施例的发光二极管阵列结构的又一示意图。附图标记100:发光二极管打印机110、110K、110M、110C、110Y:感光鼓120、120K、120M、120C、120Y:打印头122:发光芯片                130K、130M、130C、130Y:墨粉盒140:轴线                    150:透镜210:带状部                  220:板状部230:基板                    231:第一半导体层232:第二半导体层            233:第三半导体层234:第四半导体层            235:第五半导体层261:阴极电极                262:栅极电极263:电阻电极                264:阴极电极B1、B2:缓冲器               D1、D2、D3、D4、D5:二极管R1、R2、R3、R4、R5:电阻     T1、T2、T3、T4、T5:发光晶闸管φ11、φ12、φ21、φ22、φ1、φ2、φS:信号t1、t2、t3:点亮时间         VGA:电压具体实施方式图2为根据本专利技术一实施例的打印装置的感光示意图。如图2所示,打印装置包含感光鼓110、打印头120及透镜150。透镜150位于感光鼓110与打印头120之间,用以将打印头120发出的光聚焦在感光鼓110上,以实现前述的曝光程序。于此,感光鼓110、打印头120及透镜150的数量可为一个,以进行黑白打印。但本专利技术的实施例非限于此,其也可分别为四个,以分别对应黑色、洋红色、青色及黄色的彩色打印用途。打印装置可为打印机、复印机、多功能事务机等。图3为根据本专利技术一实施例的打印头120的外观示意图。如图3所示,打印头120包含沿轴线140排列的多个发光芯片122。一般而言,每一发光芯片122包含数千个直线排列的发光晶闸管。当发光芯片122沿轴线140排列时,发光晶闸管也同样沿轴线140排列,借此可达到高DPI的打印分辨率。例如,如要达到600DPI的分辨率,则需要在每英寸排列有600个发光晶闸管。图4为根据本专利技术一实施例的发光芯片122的电路示意图。图5为根据本专利技术一实施例的发光芯片122接收的频率信号示意图。如图4所示,发光芯片122包含发光晶闸管(T1、T2、T3等,总称T)、二极管(D1、D2、D3等,总称D)、电阻(R1、R2、R3等,总称R)及缓冲器(B1、B2)。发光晶闸管T具有栅极、阴极与阳极。当栅极与阴极之间为顺向偏压且电压差超过扩散电压时,发光晶闸管T点亮。与一般晶闸管相同的是,发光晶闸管T开启后(即点亮),栅极电位与阳极电位近乎相同,当栅极与阴极之间的电位差回归至零伏特时,发光晶闸管T才关闭(即不发光)。每一个发光晶闸管T的栅极经由一相对应的二极管D耦接至另一个发光晶闸管T(如发光晶闸管T1经由二极管D1耦接至发光晶闸管T2)本文档来自技高网
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发光二极管阵列结构及其打印头与打印装置

【技术保护点】
一种发光二极管阵列结构,其特征在于,包含:一基板;及多个发光晶闸管,线性排列于该基板上,各该发光晶闸管包含彼此连接的一带状部及一板状部,且相邻的该发光晶闸管的该板状部彼此交错。

【技术特征摘要】
2012.10.31 TW 1011404141.一种发光二极管阵列结构,其特征在于,包含:
一基板;及
多个发光晶闸管,线性排列于该基板上,各该发光晶闸管包含彼此连接的
一带状部及一板状部,且相邻的该发光晶闸管的该板状部彼此交错。
2.根据权利要求1所述的发光二极管阵列结构,其特征在于,排列位置
在奇数的该些发光晶闸管的该板状部位于该带状部的末端,排列位置在偶数的
该些发光晶闸管的该板状部位于该带状部的中段。
3.根据权利要求1所述的发光二极管阵列结构,其特征在于,排列位置
在第N个该些发光晶闸管的该板状部位于该带状部的末端,排列位置在第N+1
个该些发光晶闸管的该板状部位于该带状部的中段,排列位置在第N+2个该
些发光晶闸管的该板状部位于该带状部的头端,N为正整数。
4.根据权利要求1所述的发光二极管阵列结构,其特征在于,该板状部
大概呈矩形。
5.根据权利要求1所述的发光二极管阵列结构,其特征在于,各该发光
晶闸管之间,该板状部的分布面积与该带状部的分布面积的总和相同。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:张子良彭柏雄
申请(专利权)人:日昌电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:台湾;71

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