一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺，包括：S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜；S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻，制备出圆孔阵列图形；S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀，将光刻胶上的图形转移到SiO2层；S4、在样品表面镀一层Cu膜；S5、在丙酮或乙醇中进行超声，通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu；S6、利用CVD-VLS生长工艺，以上述工艺制备的Cu为催化剂，以SiCl4为硅源，以H2为载气，生长Si微米线阵列；S7、在硅线表面镀一层Cu膜；S8、利用CVD-VLS生长工艺，以S7制备的Cu膜为催化剂，以SiCl4为硅源，以H2为载气，在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明专利技术提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线，即一种仿壁虎脚微纳分级结构，为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖广兰，盛文军，孙博，谭先华，史铁林，江婷，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：