一种准三维微、纳米柱阵列的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种准三维微、纳米柱阵列的制作方法，属于微、纳米材料及其制备技术领域，特别是指一种微、纳米蘑菇头有序阵列的制造方法。该制造方法结合弹性体和注塑成型技术，使用具有微、纳米坑阵列的耐高温弹性体模板在热塑性材料基底表面热压后冷却，或在弹性体表面浇注所要加工的材料后固化，分离模板和成品后制得准三维微、纳米结构。本发明专利技术具备操作简便快速、制作成本低廉、可控性强、可重复性好、适用材料广泛等特点，适用于超亲/超疏水表面、表面等离子体传感器、表面增强拉曼光谱、太阳能电池等领域，为此类准三维微/纳米结构的产品化提供了条件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种准三维微米或纳米柱阵列的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.?制备准三维微、纳米柱阵列的原始模板，S2.?将弹性材料的预聚体涂于步骤S1所得的原始模板上，放入烘箱或热压机中加热，冷却，脱模后，得反相的微、纳米坑阵列的弹性印章；S3.?加入所需的材料，通过步骤S2所得的弹性印章为模板，充满，固化，脱模后，制得准三维微、纳米柱阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周建华，潘益，李万博，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：