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一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法，该方法包括外延片和高掺衬底片晶向对准工艺，低温金属键合工艺、半绝缘衬底腐蚀工艺等，最终成功将生长在半绝缘衬底片上的外延结构层转移到另一个高掺杂的衬底片上。本发明的方法可以保证两个键合片之间的晶向一...
该专利属于中国科学院半导体研究所;中国科学院大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所;中国科学院大学授权不得商用。

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