温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及一种半导体制造技术，具体涉及一种DFN0603高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上设多个与DFN0603封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部上均设有两个芯片安置区，所述芯片安置区周围设有延伸连筋，所述延伸连筋的宽...
该专利属于成都先进功率半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都先进功率半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。