温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种DFN3030‑8A高密度框架,包括矩形片状结构的框架,在框架上设有多个与DFN3030‑8A封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接槽,在每个芯片安装部内包括8个相互...该专利属于成都先进功率半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都先进功率半导体股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种DFN3030‑8A高密度框架,包括矩形片状结构的框架,在框架上设有多个与DFN3030‑8A封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接槽,在每个芯片安装部内包括8个相互...