温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

半导体装置100包括：栅电极126，配置于沟槽122内，并且，在侧壁的部分经由栅极绝缘膜124与p型基极区域116相对；屏蔽电极130，配置于沟槽122内，并且，位于栅电极126与沟槽122的槽底之间；沟槽22内的电气绝缘区域128，在栅电...
该专利属于新电元工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新电元工业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。