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本发明公开了一种GaN基增强型电子器件的材料结构，涉及GaN基功率电子和微波功率放大器应用技术领域。该材料结构包括：衬底、依次形成于衬底之上的GaN缓冲层、Al(In，Ga)N势垒层构成薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；其中，该增...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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