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本发明涉及一种半导体器件的终端结构，包括第一导电类型的衬底和所述衬底上第二导电类型的分压环和截止环，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；所述分压环的数量为4个，相邻的分压环之间间隔为10微米～12微米，且离器件的有源区最近的一个...
该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。

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