下载一种背接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法的技术资料

文档序号:14239181

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本发明适用于太阳能光伏技术领域,提供了一种背接触异质结太阳能电池及其制作方法,所述方法包括:在非晶硅层表面,通过第一镀膜技术形成一层透明导电氧化物层;在透明导电氧化物层表面,通过第二镀膜技术形成一层金属层;通过激光划线技术,按照预设的金属电...
该专利属于深圳市科纳能薄膜科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市科纳能薄膜科技有限公司授权不得商用。

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