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本发明公开了一种高导热的功率器件封装结构，功率器件通过金硅或金锗共晶层连接到热沉上，功率器件的衬底为非硅和非锗衬底；同时也公开了该结构的制作方法，包括步骤1，功率器件背金和热沉镀层处理；步骤2，将经过背金处理的功率器件以及镀层处理的热层，进...
该专利属于昆山华太电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山华太电子技术有限公司授权不得商用。

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