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本发明公开了一种在Si衬底上生长纳米线的衬底处理方法，包括如下步骤：S1、将Si衬底进行退火；S2、将通过步骤S1退火后的衬底进行自然氧化；S3、将通过步骤S2自然氧化后的衬底进行腐蚀。本发明能改善在Si衬底上生长纳米线的形貌质量，包括提高...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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