高可靠性X2电容器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高可靠性X2电容器，涉及电容器结构的改进技术，具体涉及X2安规电容器结构的改进技术。包括电容器本体和引出线；以金属化聚丙膜为介质，两层介质上面分别镀有作为电极的金属镀层，介质和电极卷绕、灌封环氧包封和塑壳形成电容器本体；在金属镀层边沿喷金层CP线弯折焊接引出线。本实用新型专利技术提供一种高可靠性X2电容器，本实用新型专利技术解决现有的X2电容器不具有高可靠性的问题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电容器结构的改进技术，具体涉及X2安规电容器结构的改进技术。
技术介绍
X2电容器，即X2安规电容器,它可抑制电源电磁干扰用电容器,它适用于在电容器失效时不会导致电击危险的场合，如电源跨线路连接，可承受2. 5kV的脉冲电压。传统的X2电容焊接采用常规焊接，接触面积小，在一些使用要求较高的场合，容易出现开路或焊接伤膜引起损耗增大，造成电容器再使用过程中炸板，很难达到要求。
技术实现思路
本技术提供一种高可靠性X2电容器，本技术解决现有的X2电容器不具有高可靠性的问题。为解决上述问题，本技术采用如下技术方案高可靠性X2电容器，包括电容器本体和引出线；以金属化聚丙膜为介质，两层介质上面分别镀有作为电极的金属镀层，介质和电极卷绕、环氧包封形成电容器本体；在金属镀层边沿喷金层CP线弯折焊接引出线。本技术的电容器主要使用在用于支架电源跨线部分，电源输入的L/N跨接进行EMI抑制用，和输入口并联使用。由于此电容器工作时间长，要求电容器损耗小，可靠性高。采用焊接引出线打扁，增加引出线的接触面积减小损耗。在切引出线采用打弯的技术，有效固定芯子的位置。电容器引出线居中，脚距一致性好安装方便。本技术是一种高可靠性能、低损耗电容器。本技术电容器，高频损耗小，自身升温小，可靠性高、耐热能力强，介质性能稳定，还具有较强的防潮能力及抗温度冲击能力，主要用于电源跨线部分，电源输入的L/N跨接进行EMI抑制用，和输入口并联使用电路，又能长期在100°C工作环境下正常工作。该种电容器安全性能高、高可靠、安全环保、阻燃性能高，外观一致性好能够在高频率、大电流的场合下应用。附图说明图I是本技术主视图；图2是图I的侧视图；图3是本技术电容器本体的截面图。图中符号说明W :电容器本体宽；H:电容器本体高度；；T :电容器本体厚度；Ρ :弓I出线间距离；d :引出线直径；1 :金属化薄膜留边量；2 :金属化聚丙膜宽度；3 :错边量及喷金层；4 :金属锻层览度；5 :引出线。具体实施方式下面用最佳的实施例对本技术做详细的说明。如图1-3所示，高可靠性X2电容器，包括电容器本体和引出线；以金属化聚丙膜为介质，两层介质上面分别镀有作为电极的金属镀层，介质和电极卷绕、环氧包封形成电容器本体；在金属镀层边沿焊接引出线，引出线弯折引出。最后应说明的是显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本技术所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本技术的保护范围之 中。权利要求1.高可靠性X2电容器，包括电容器本体和引出线；其特征在于，以金属化聚丙膜为介 质，两层介质上面分别镀有作为电极的金属镀层，介质和电极卷绕、环氧包封形成电容器本体；在金属镀层边沿喷金层CP线弯折焊接引出线。专利摘要本技术公开了一种高可靠性X2电容器，涉及电容器结构的改进技术，具体涉及X2安规电容器结构的改进技术。包括电容器本体和引出线；以金属化聚丙膜为介质，两层介质上面分别镀有作为电极的金属镀层，介质和电极卷绕、灌封环氧包封和塑壳形成电容器本体；在金属镀层边沿喷金层CP线弯折焊接引出线。本技术提供一种高可靠性X2电容器，本技术解决现有的X2电容器不具有高可靠性的问题。文档编号H01G4/224GK202695137SQ20122024998公开日2013年1月23日 申请日期2012年5月28日 优先权日2012年5月28日专利技术者薛永 申请人:佛山市南海区欣源电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
高可靠性X2电容器，包括电容器本体和引出线；其特征在于，以金属化聚丙膜为介质，两层介质上面分别镀有作为电极的金属镀层，介质和电极卷绕、环氧包封形成电容器本体；在金属镀层边沿喷金层CP线弯折焊接引出线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛永，
申请(专利权)人：佛山市南海区欣源电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：