电容式压力传感器制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种电容式压力传感器，其包括衬底、覆盖在衬底上的下极板、与下极板相对的压力敏感膜、位于下极板与压力敏感膜之间的电容间隙、及环绕于电容间隙外围且用以支撑所述压力敏感膜的锚点，所述压力敏感膜及所述下极板分别作为所述电容式压力传感器的两个电极，所述电容式压力传感器还包括分别淀积在所述下极板及所述压力敏感膜上的第一压焊点及第二压焊点，所述压力敏感膜设有将电容间隙与外界气体相互连通的导气孔，所述导气孔被金属密封进而最终使所述电容间隙变成密闭的真空腔体。本实用新型专利技术电容式压力传感器不会产生较大的寄生电容，工艺简单、成本低、可制造性强，适合大规模生产。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种电容式压カ传感器，属于微机电系统(MEMS)传感器领域。
技术介绍
压カ传感器是将压カ信号转化为电学信号的换能器，是商业化的传感器中的重要组成部分。与其它电子元器件一祥，随着应用的普及及需求量的増加，压カ传感器的发展趋势是体积小、灵敏度高、功耗小、价格低、可靠性高等。而目前MEMS技术正推动着半导体界“超越摩尔定律”的变革，在国内外得到了迅猛的发展。世界正经过昨天的真空电子管时代，跨越现在的固体电子时代进入明天的MEMS时代。MEMS做为近年来高速发展的ー项高新技术，它采用先进的半导体制备エ艺，批量实现MEMS器件的制备。与对应传统压カ传感器相比，采用MEMS技术制备的压カ传感器在体积、功耗、重量以及价格等方面有十分明显的优势。所以，采用先进MEMS技术制作的压カ传感器是未来主流的技术发展方向。按照工作原理的不同，压カ传感器主要分为压阻式、电容式以及压电式等。目前，压阻式压カ传感器由于其制造エ艺与半导体エ艺兼容性高，制造エ艺简单，接ロ电路简单等优点，是目前压カ传感器的主流技木。但是压阻式压カ传感器却有着温度特性差，灵敏度低，功耗大等缺点，并不适合一些低功耗及精度高的应用领域。而随着MEMS加工エ艺的成熟，加上电容式压カ传感器本身尺寸小，成本低，温度特性好、精度高、功耗低等诸多优点，使得电容式压カ传感器技术得到越来越多的关注。电容式压カ传感器是将压カ信号变成电容信号的换能器。其工作原理为可变电容，其中可变电容的一个或两个电极由压カ敏感膜形成，在外界压力作用下，作为电容电极的压カ敏感膜产生变形导致电容间隙发生改变，从而导致电容值发生改变。此电容值的改变通过后续电路的处理变成电压或者电流信号。国外有ー些公司采用绝缘衬底上的硅SOI材料来制作电容式压カ传感器。其主要思路为通过腐蚀掏空SOI氧化硅埋层形成电容的真空间隙，而用SOI材料上下的硅材料作为电容的上、下电极板。此制造方法避免了上述多晶硅来做压カ敏感膜的一系列问题，从而提高了器件的可制造性，提高了良率。但是，此制造方法利用SOI的氧化硅埋层作为牺牲层，所以有着较多的エ艺限制。首先，氧化硅的厚度即为最終电容间隙的厚度，通常SOI氧化硅埋层的厚度较薄，这样就限制了电容式压カ传感器的ー些设计灵活性；其次，由于SOI氧化硅埋层没有腐蚀自停止边界，所以整个长时间的腐蚀释放牺牲层氧化硅エ艺只能通过时间控制，从而使エ艺较难控制进而导致最終器件离散性较大，降低了成品率；再次，此エ艺依然需要将释放孔密封形成真空腔的エ艺，増加了エ艺复杂性。所以，虽然此制造方法有部分公司采用，但是并未成为エ业界的主流エ艺。为解决上述问题，部分公司采用预先在硅衬底表面形成凹槽来作为电容间隙的方式，通过晶圆级硅硅键合技术，将两片硅衬底键合在一起，两片硅衬底分别作为电容的两个电极，来制作电容式压カ传感器。此方法避免了复杂的氧化硅牺牲层掏空エ艺以及将释放、孔密封形成真空腔的エ艺，大大提高了エ艺可制造性。此外，在硅片的键合面还可设有防止压カ敏感膜过度变形的止挡块，通过止挡块的设计限制了感压薄膜的最大位移，以实现传感器常压保存与过载保护的功能。但是，此方法却有着较大的寄生电容，大大降低了器件的性能，此外，此方法制造成本也比较昂贵，目前也并未成为エ业界的主流制作方法。综上所述，进行エ艺简单、体积小、精度高、低功耗及低成本的电容式压カ传感器及其制备方法的研究对整个压カ传感器
的进步和相关产业的发展具有积极的推动作用。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种低成本、エ艺简单的电容式压カ传感器。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案ー种电容式压カ传感器，其包括衬底、覆盖在衬底上的下极板、与下极板相对的压力敏感膜、位于下极板与压カ敏感膜之间的电容间隙、及环绕于电容间隙外围且用以支撑所述压カ敏感膜的锚点，所述压カ敏感膜及所述下极板分别作为所述电容式压カ传感器的两个电极，所述电容式压カ传感器还包括分别淀积在所述下极板及所述压カ敏感膜上的第一压焊点及第ニ压焊点，所述压カ敏感膜设有将电容间隙与外界气体相互连通的导气孔，所述导气孔被金属密封进而最終使所述电容间隙变成密闭的真空腔体。作为本技术进ー步改进的技术方案，所述压カ敏感膜包括第一多晶硅层及覆盖在所述第一多晶娃层上的第二多晶娃层。作为本技术进ー步改进的技术方案，所述第二多晶硅层及所述下极板分别作为所述电容式压カ传感器的所述两个电极。作为本技术进ー步改进的技术方案，所述第二压焊点淀积在所述第二多晶硅层上。作为本技术进ー步改进的技术方案，所述第一压焊点淀积在所述下极板上。作为本技术进ー步改进的技术方案，所述导气孔贯穿所述第一多晶硅层及所述第二多晶硅层。作为本技术进ー步改进的技术方案，所述金属贯穿所述第一多晶硅层及所述第二多晶硅层。与现有技术相比，本技术采用表面硅微细加工エ艺来制造电容式压カ传感器，解决了 SOIエ艺中释放时间长且エ艺难控制的问题，同时也解决了 SOIエ艺形成的器件寄生电容较大的问题，且制造エ艺简单、成本低、可制造性强，适合大規模生产。附图说明图IA至图IG为本技术电容式压カ传感器的制造流程示意图；图2为本技术电容式压カ传感器的立体示意图；图3为本技术电容式压カ传感器的俯视图；图4为本技术电容式压カ传感器沿C-A-B线的立体剖面图。具体实施方式下面參照本技术的附图，更详细的描述出本技术的具体实施方式。本技术掲示了一种电容式压カ传感器20及其制造方法，请參如图IA至IG所示，其中本技术电容式压カ传感器的制造方法包括如下步骤a)请參图IA所示，首先在衬底21a上进行重掺杂，得到导电性高的重掺杂层作为本技术电容式压カ传感器100的下极板21b，随后在所述下极板21b上淀积氧化硅以形成牺牲层22。淀积方法包括但不限于低压化学气相淀积(LPCVD)及等离子增强气相淀积(PECVD)。所述衬底21a为硅衬底。b)请參图IB所示，在所述牺牲层22上淀积第一多晶硅层23a，并对该第一多晶硅层23a进行掺杂与光刻以形成牺牲层释放孔27b，其中淀积方法包括但不限于低压化学气 相淀积(LPCVD)。c)请參图IC所示，通过氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体甚高频刻蚀，将所述牺牲层22从牺牲层释放孔27b处进行掏空，以形成电容间隙25。d)请參图ID所示，淀积第二多晶硅层23b密封住牺牲层释放孔27b，从而将所述电容间隙25变成密闭空腔，随后对该第二多晶硅层23b进行掺杂，掺杂方法包括但不限于扩散或离子注入。所述第一多晶硅层23a及所述第二多晶硅层23b组成压力敏感膜。所述第二多晶硅层23b作为本技术电容式压カ传感器100的上极板。e)请參图IE所示，将上述压カ敏感膜进行光刻及刻蚀，形成与电容间隙25连通的导气孔27a,同时将位于下极板21b上方的部分第一多晶娃层23a及部分第二多晶娃层23b刻蚀掉。f) 请參图IF所示，通过氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体甚高频刻蚀，利用多晶硅作为掩膜，将牺牲层22局部去除掉以露出下极板21b，而没有被去除的牺牲层22形成锚点26。所述锚点26通过下极板21b被固定在衬底21a上，用以支撑压カ敏感膜。g)请參图IG所示，最后，通过物理气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容式压力传感器，其包括衬底、覆盖在衬底上的下极板、与下极板相对的压力敏感膜、位于下极板与压力敏感膜之间的电容间隙、及环绕于电容间隙外围且用以支撑所述压力敏感膜的锚点，所述压力敏感膜及所述下极板分别作为所述电容式压力传感器的两个电极，其特征在于，所述电容式压力传感器还包括分别淀积在所述下极板及所述压力敏感膜上的第一压焊点及第二压焊点，所述压力敏感膜设有将电容间隙与外界气体相互连通的导气孔，所述导气孔被金属密封进而最终使所述电容间隙变成密闭的真空腔体。2.如权利要求I所述的电容式压力传感器，其特征在于所述压力敏感膜包括第一多晶硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，胡维，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：