电容式触控面板制造技术

本发明专利技术提供一种电容式触控面板，在通过触摸时在电极产生的电容变化检测触摸位置的电容式触控面板中，包括：一个以上的电极，在基板上沿一个方向具有均匀的电阻成分并使基准信号从一侧部向另一侧部纵贯；位置检测部，向上述电极一侧部施加基准信号，并通过电极的另一侧部接收纵贯电极并通过触摸时在电极所产生的电阻和电容变形的基准信号，而且，通过相互比较上述基准信号和所接收的变形基准信号判定触摸位置。因此，可实现较之现有技术的触控面板能更精确地测量电压变化的电容式触控面板，而且，可应用于大型触摸屏装置等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电容式触控面板，尤其涉及使具备于触控面板的位置检测部件，在电极的一侧部施加基准信号，并使电极的另一侧部接收通过触摸时在电极形成的电阻和电容纵贯电极而产生电压变化的基准信号，从而较之现有技术的面板，更精准地测量电压变化的电容式触控面板。
技术介绍
随着电子工业技术和信息技术的大幅发展，在包括业务环境在内的日常生活中， 电子仪器所占据的比例日渐增加。进来，电子仪器的种类也变得多种多样，尤其在笔记本电脑、手机、PMP(portable multimedia player)等便携式电子仪器领域，涌现出具备各种新型功能和设计的仪器。随着日常生活中所接触的电子仪器的种类变得多样，且各电子仪器的功能高度复杂，需要能使用户容易掌握且可直观操作的用户界面。而作为能够满足这样的需求的输入装置，触摸屏装置越来越受人们的青睐并已广泛应用于各种电子仪器中。触摸屏装置检测显示画面上用户的接触位置并以所检测到的接触位置相关信息作为输入信息，完成包括显示画面控制在内的电子仪器的各种控制。触摸屏装置的接触位置检测方法大致分为离散位置检测方式和连续位置检测方式。离散位置检测方式(discrete location detecting)即是所谓的矩阵方式，是将面板上的二维平面划分为多个区域并检测对各区域的接触/非接触与否。而连续位置检测方式(continuous location detecting)不把接触检测区域划分为有限数量的区域，而作为连续的值识别二维平面上的接触位置。连续位置检测方式的触摸屏装置，为了从通过有线数量的电极测得的值计算出连续的坐标而使用特定的算法。图1为现有技术的连续位置检测方式电容式触控面板示意图。如图1所示，连续位置检测方式的电容式触控面板，通过检测触摸时在电极10所形成的电阻Rf和电容Cf所产生的电压变化掌握接触位置。作为检测上述电压变化的部件，电容式触控面板具备检测部20。在现有技术的电容式触控面板中，在电极的一侧部具备通过一条连接导线相连的施加检测部20所形成的基准信号的输入通道21和接收通过电极10发生电压变化的基准信号的接收通道22。此时，因所施加的基准信号和流过电极10之后接收的信号使用一条连接导线，在测量对所接收的信号的电压变化时，容易发生错误，从而导致无法精确检测的问题。在此，上述电压变化的测量错误，随电极10变长而所形成的电阻成分越大变得越大。因此，现有技术的电容式触控面板无法应用于电极10的长度变长的大型触摸屏直ο
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术之不足而提供一种使具备于触控面板的位置检测部件，在电极的一侧部施加基准信号，并使电极的另一侧部接收通过触摸时在电极形成的电阻和电容纵断电极而产生电压变化的基准信号，从而较之现有技术的面板，更精准地测量电压变化的电容式触控面板。另外，提供一种可通过上述结构应用于大型触摸屏装置等的电容式触控面板。本专利技术的目的是这样实现的提供一种电容式触控面板，在通过触摸时在电极产生的电容变化检测触摸位置的电容式触控面板中，包括一个以上的电极，在基板上沿一个方向具有均勻的电阻成分并使基准信号从一侧部向另一侧部纵贯；位置检测部，向上述电极一侧部施加基准信号，并通过电极的另一侧部接收纵贯电极并通过触摸时在电极所产生的电阻和电容变形的基准信号，而且，通过相互比较上述基准信号和所接收的变形基准信号判定触摸位置。在此，上述位置检测部，包括输入检测通道，产生上述基准信号并向上述电极的一侧部施加基准信号；接收检测通道，通过上述电极的另一侧部接收纵贯电极而变形的基准信号以产生位置判定信号；计时器，测量上述基准信号和位置判定信号的对一定周期的时间；比较部，相互比较通过上述计时器测量的基准信号和位置判定信号的对一定周期的时间，以到处相对于基准信号的位置判定信号的时间差；中央处理部，通过上述时间差判定位置。另外，上述接收检测通道包括复用器(MUX)，以结合上述基准信号和上述变形基准信号产生上述位置判定信号。在此，上述基准信号由在一定周期内重复电压的上升下降的脉冲信号构成。较佳地，上述基准信号由三角波形的脉冲信号构成。另外，上述位置检测部，包括第一位置检测部，向上述电极的一侧施加基准信号并通过电极的另一侧接收上述变形基准信号；第二位置检测部，相对于上述第一位置检测部，向上述电极的另一侧施加基准信号并通过上述电极的一侧接收变形基准信号。在此，上述中央处理部参考表示上述电极的一端及另一端中的任何一个的接触距离和电荷充放电特性的关系的查找表格计算接触位置。另外，上述电极由作为透明导电物质的ITO(indium tin oxide)构成。另外，上述电极呈电极的宽度相对于长度长的形状，并沿上述基板的一个方向等间距具备多个。在此，上述电极呈矩形形状。在此，几何形状的弯曲图案均勻重复。 另外，上述几何形状选自“，，形状、“，，形状或“，，形状中的任何一种。因此，本专利技术可通过上述结构实现较之现有技术的触控面板更精确地测量电压变化的电容式触控面板。另外，通过上述结构提供一种可应用于大型触摸屏装置等的电容式触控面板。附图说明图1为现有技术的电容式触控面板的接触位置检测方法示意图；图2为本专利技术一实施例的电容式触控面板的概略结构示意图；图3为本专利技术另一实施例的电容式触控面板的概略结构示意图；图4为本专利技术又一实施例的电容式触控面板的概略结构示意图；图5为本专利技术还一实施例的电容式触控面板的概略结构示意图；图6为与电极连接以判断接触与否及接触位置的位置检测部的内部结构概略电路图；图7为本专利技术一实施例的电容式触控面板的基准信号的流动图；图8为本专利技术另一实施例的电容式触控面板的接触位置检测方法示意图；图9为本专利技术一实施例的电容式触控面板的经过变化的基准信号的波形示意图。附图标记100:电极I5O 基板200:位置检测部210:输入检测通道230:接收检测通道250:比较部270:中央处理部 300 导线具体实施例方式下面，结合附图对本专利技术的电容式触控面板进行详细说明。图2为本专利技术一实施例的电容式触控面板的概略结构示意图。如图2所示，本专利技术的电容式触控面板，包括一个以上的电极100，在基板150上沿一个方向具有均勻的电极100 ；位置检测部200，向上述电极100的一侧部施加基准信号， 并通过电极100的另一侧部接收纵贯电极并通过触摸时在电极100所产生的电阻和电容变形的基准信号。在此，上述位置检测部200，包括第一位置检测部200a，向上述电极100的一侧施加基准信号并通过电极100的另一侧接收上述变形基准信号；第二位置检测部200b，相对于上述第一位置检测部200a，向上述电极100的另一侧施加基准信号并通过上述电极100 的一侧接收变形基准信号。电极100利用ITO(indium tin oxide)等具有均勻的电阻成分的透明导电物质， 通过真空沉积法等在基板150上以均勻的厚度涂布而成。在此，上述基板150由可使ITO等电极100涂布在上面的透明薄膜(Film)或玻璃 (Glass)构成。上述电极100根据本专利技术电容式触控面板的各实施例具有不同的形状，而基本上沿上述基板150的一个方向以一定间距形成。在此，上述相邻的电极100相互电气分离，而以在基板150上沿特定轴方向延长的形状形成。如作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩相贤，
申请(专利权)人：尖端芯片株式会社，
类型：发明
国别省市：