具有PFC功能的交流整流电路制造技术

技术编号:6173480 阅读:505 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种具有功率因数校正功能的交流整流电路。所述电路包括控制开关、同步整流管及电流检测电路单元。所述四个控制开关、两个同步整流管分别接受外部控制信号控制实现同步整流。其中控制开关与同步整流管可采用绝缘栅双极型晶体管或N沟道场效应管。电路工作时,无论是交流电正半周或负半周,绝缘栅双极型晶体管或N沟道场效应管均处于饱和导通状态或关断状态,无整流二极管导通,一定工作电流时,其饱和导通压降比二极管导通压降低,减少了导通损耗,提高了效率;所使用的绝缘栅双极型晶体管IGBT均是不带反并联二极管的器件,保证了电流检测电路单元检测精准性,最大限度的提高了功率因数,减小电流谐波。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及PFC (功率因数校正)技术和交流整流
,具体是指一种能够同时实现交流整流功能和功率因数校正功能的电路。
技术介绍
功率因数是衡量电器设备性能的一项重要指标。功率因数(Power Factor)是指交流输入有功功率(P)与输入视在功率(S)的比值。功率因数可以衡量电力被有效利用的程度,当功率因数值越大,代表其电力利用率越高。功率因数校正(Power Factor Correction)是使输入交流电压与输入交流电流同相位,使输入电流正弦化,进而让功率因数趋近于1。如图1,为目前常用的一种单相交流输入功率因数校正电路。该电路包括两级电路结构。第一级结构是由二极管D1、D2、D3、D4组成的交流整流电路;第一级结构是由PFC 控制器、电感Li、开关管Ql、电流检测电阻Rl、二极管Dl、滤波电容Cl组成的第二级BOOST 升压电路。当开关管Ql导通时,在交流电的正负半波,均有两个二极管导通,两个二极管截止,半导体总的损耗是开关管Ql的导通损耗加上两个二极管正向导通损耗;当开关管Ql关断时,在交流电的正负半波,均有三个二极管导通,两个二极管截止,半导体总的损耗是三个二极管正向导通损耗。一般带功率因数校正功能的大功率电源的整流二极管在流过大电流状态下的正向压降超过0. 7V,可见图1所示的现有的FPC电路的功率损失比较大,系统效率低,发热严重。为减少二极管导通时的功率损失,出现了无整流桥功率因数校正技术,图2是现有技术中一种单周期控制的无整流桥功率因数校正电路。该电路工作原理是,开关场效应管Ql和开关场效应管Q2交替导通,在交流电的正半周,开关场效应管Ql导通、Q2关断,交流电流经EMI滤波器、储能电感Li、开关管Q1、电流检测电阻、二极管D2组成的环路流通, 储能电感Ll储能;当开关场效应管Ql关断时,二极管D3导通,电感Ll的储能经EMI滤波器、二极管D3、滤波电容Cl、负载、电流检测电阻、二极管D2、交流电网组成的环路释放能量;在交流电的负半周开关场效应管Q2导通、Ql关断时,交流电流经EMI滤波器、储能电感 L2、开关管Q2、电流检测电阻、二极管Dl组成的环路流通,储能电感L2储能;当开关场效应管Q2关断时,二极管D4导通,电感L2的储能经EMI滤波器、二极管D4、滤波电容Cl、负载、 电流检测电阻、二极管D1、交流电网组成的环路释放能量。可见,在交流电的正半周开关场效应管Ql导通时,有一个二极管导通,此时半导体总的损耗是开关场效应管Ql导通损耗加上一个二极管的导通损耗,在开关场效应管Ql关断时,有二个二极管导通,此时半导体总的损耗是二个二极管导通损耗,在交流电的负半波的损耗情况和正半波的损耗类似。图2所示的单周期控制的无整流桥FPC电路比图1所示的单相交流输入的PFC电路在每个交流半波时减少了一个二极管的损耗,提高了效率,减少了发热量,但图2所示电路还存在以下缺点1、控制开关器件采用了场效应管,场效应管具有正温度系数特性,在高温条件下,场效应管的沟道电阻会变大,使得导通损耗增加;2、场效应管是具有寄生体二极管的器件,在电路中,会有部分电感电流流过场效应管的寄生体二极管,使得电流检测出现误差,造成电流畸变,功率因数下降;3、在控制开关场效应管导通时,至少有一个二极管导通损耗,而在控制开关场效应管关断时,有二个二极管导通损耗,因此,二极管的导通损耗仍然比较大,仍有降低的空间;4、当PFC控制开关器件采用场效应管时,因场效应管的沟道电阻一般在几十豪欧以上,当工作电流达到IOA以上,场效应管的导通损耗也会比较大,因此,在大工作电流的情况下,不适合用场效应管作为PFC控制开关器件。
技术实现思路
本专利技术需解决的技术问题是提供一种具有PFC功能的交流整流电路,该电路能够实现(1)、解决作为PFC控制开关的场效应管在高温条件下因正温度系数而引起的导通损耗增加的问题;(2)、解决电流检测误差问题;(3)、最大限度减少功率半导体器件在流过大电流状态下的导通损耗;(4)、降低PFC控制开关器件在大工作电流情况下的损耗比较大的问题。为解决上述技术问题,本专利技术所采取的技术方案是提供一种具有PFC功能的交流整流电路,包括串联于交流回路中的第一、第二同步整流管,第一、第二整流二极管,第一至第四控制开关及电流检测电路单元。所述第一控制开关的集电极、第四控制开关射极连接于第一交流输入端,并与第一同步整流管集电极及第一整流二极管阳极相连;第二控制开关的集电极、第三控制开关漏极连接于第二交流输入端,并与第二同步整流管集电极及第二整流二极管阳极相连;第一控制开关射极与第二控制开关射极相连并接地,第三控制开关集电极与第四控制开关集电极相连,电流检测电路单元连接于该相连的集电极与地之间;第一、第二同步整流管射极相连,并与第一整流二极管、第二整流二极管阴极相连,共同作为交流整流电路输出端连接负载;所述第一控制开关栅极、第二控制开关栅极、第三控制开关栅极、第四控制开关栅极分别接受外部控制信号控制其导通和关断;所述第一同步整流管栅极和第二同步整流管栅极分别接受外部同步整流信号控制实现同步整流。优选的,所述交流整流电路还包括EMI滤波器,交流电源通过EMI滤波器滤波后输出至交流输入端。更优选的,所述交流整流电路还包括第一升压电感及第二升压电感;所述第一升压电感一端连接EMI滤波器输出端,另一端作为第一升压整流输入端,所述第二升压电感一端连接EMI滤波器另一输出端,另一端作为第二升压整流输入端。针对本专利技术所要解决的问题,本专利技术还提供一种类似的解决方案,即一种具有PFC 功能的交流整流电路,包括串联于交流回路中的第一、第二同步整流管,第一至第四控制开关及电流检测电路单元。所述第一控制开关的集电极、第四控制开关漏极连接于第一交流输入端,并与第一同步整流管源极相连;第二控制开关的集电极、第三控制开关漏极连接于第二交流输入端,并与第二同步整流管源极相连;第一控制开关射极与第二控制开关射极相连并接地,第三控制开关源极与第四控制开关源极相连,电流检测电路单元连接于该相连的源极与地之间;第一、第二同步整流管漏极相连作为交流整流电路输出端连接负载;所述第一控制开关栅极、第二控制开关栅极、第三控制开关栅极、第四控制开关栅极分别接受外部控制信号控制其导通和关断;所述第一同步整流管栅极和第二同步整流管栅极分别接受外部同步整流信号控制实现同步整流。同样,上述方案的优选方案如下所述交流整流电路还包括EMI滤波器,交流电源通过EMI滤波器滤波后输出至交流输入端。上述方案的更优选方案如下所述交流整流电路还包括第一升压电感及第二升压电感;所述第一升压电感一端连接EMI滤波器输出端,另一端作为第一交流输入端,所述第二升压电感一端连接EMI滤波器另一输出端,另一端作为第二交流输入端。相对于现有技术,本专利技术的有益效果在于1)、PFC控制开关器件采用负温度系数的绝缘栅双极型晶体管IGBT,在高温条件下,导通损耗会更低,不会增加;2)、PFC电路的电感电流全部流过电流检测单元,使得电流检测精准,提高了功率因数, 减小了电流畸变;3)、电路中所有功率半导体器件均工作在饱和导通和截止关断状态,功率半导体器件的饱和导通损耗比二极管的导通损耗要低很多,因此效率得到极大提升;本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.具有PFC功能的交流整流电路,包括串联于交流整流回路中的第一、第二同步整流管(Q5、Q6),第一、第二整流二极管(D1、D2),第一至第四控制开关(Q1、Q2、Q3、Q4)及电流检测电路单元,其特征在于,所述第一控制开关(Q1)的集电极、第四控制开关(Q4)射极连接于第一升压整流输入端(C),并与第一同步整流管(Q5)集电极及第一整流二极管(D1)阳极相连;第二控制开关(Q2)的集电极、第三控制开关(Q3)射极连接于第二升压整流输入端(D),并与第二同步整流管(Q6)集电极及第二整流二极管(D2)阳极相连;第一控制开关(Q1)射极与第二控制开关(Q2)射极相连并接输出地,第三控制开关(Q3)集电极与第四控制开关(Q4)集电极相连,电流检测电路单元连接于该相连的集电极与输出地之间;第一、第二同步整流管(Q5、Q6)射极相连,并与第一整流二极管(D1)、第二整流二极管(D2)阴极相连,共同作为交流整流电路输出正端并连接负载;所述第一控制开关(Q1)栅极、第二控制开关(Q2)栅极、第三控制开关(Q3)栅极、第四控制开关(Q4)栅极分别接受外部控制信号控制其导通和关断;所述第一同步整流管(Q5)栅极和第二同步整流管(Q6)栅极分别接受外部同步整流信号控制实现同步整流。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:洪光岱
申请(专利权)人:天宝电子惠州有限公司
类型:发明
国别省市:44

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