介质陶瓷滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种介质陶瓷滤波器，包括微带线基板，所述微带线基板的表面上贴介质体块，所述介质陶瓷滤波器的输入端、输出端上各设有一按照一定长度突出的金属传导盖，所述金属传导盖是盖住介质体块部分上端和部分两侧端的导热性金属板。本实用新型专利技术中的介质体块两端盖上的金属传导盖可以把滤波器输入／出端因阻抗差异产生的损耗降到最小化，提高阻抗匹配，优化介质陶瓷滤波器的频率应答特性。而且在介质体块两端形成的导体传导线和金属传导盖上面开槽，更方便了调试作业，所以组装后也可以微调产品特性，更能提高介质陶瓷滤波器的特性，增加生产效率。在传导线上面盖上金属传导盖可把磁场辐射降到最小。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种滤波器，特别涉及一种介质陶瓷滤波器。
技术介绍
通讯技术的飞速发展带来高频带的广域通讯系统的需求急增，因此越来越需要能 在高功率上运作且频率的稳定性较高的射频滤波器。介质陶瓷滤波器是应用介质谐振器的 谐振特性的滤波器，符合以上要求，所以在通讯设备及直放站等的射频装置的配件上广泛 运用。介质陶瓷滤波器是比起应用一般LC电路的滤波器，在高频段上的谐振特性更好，频 率波动的稳定性高，而且能承受高功率的优点。如图la、图Ib所示，此类介质陶瓷滤波器中普遍使用的同轴型介质谐振器10及它 的等价电路20。介质谐振器10是使用介质材料的直角三角形块，沿着轴方向形成了完全贯 穿介质体的孔11，除了介质块轴方向一面以外的其它5面和内部贯穿孔11表面通过真空覆 盖的方法，用银、铝或其它导电率比较好的导电性物质涂层，也就是开放(open) —端，关闭 (short)另一端，如图Ib所示的LC谐振器20—样运作。在此，介质谐振器10的轴方向长 度L是谐振频带的λ/4。图2是应用介质谐振器10制作的结合型介质陶瓷滤波器30。如图2所示，此介质 陶瓷滤波器30是在微带线(microstrip line)基板上组装几个排列整齐的介质谐振器10 上各缠上线32和电容器，应用这种容量型耦合和引导型耦合形成。但是，这介质陶瓷滤波 器30是使用最简单的TEM模式，所以插入特性下降，而且对高频特性有限制，所以会产生使 用频带狭窄的缺点。比如5GHz以上，在高频上介质谐振器10的轴方向长度L要求非常短， 所以在制作上有难度，也很难准确的满足要求的频率特性。图3所示的介质陶瓷滤波器40是改善上述图2滤波器的缺点。如图3所示，此介 质陶瓷滤波器40是介质体块41长度方向的两边形成几个垂直槽42，除了介质体块41两端 侧面以外的四个面涂导电性物质形成导电层后，在微带线的基板43上面组装介质体块41。 此介质陶瓷滤波器40可以把前面讲的同轴型介质滤陶瓷波器30的缺点在一定程度上改善 过来。不过在特性方面还遗留了一些问题。而且，此介质陶瓷滤波器40在滤波器的输入/出的端子与外部链接端子之间阻抗 匹配(impedance matching)上存在问题。介质陶瓷滤波器40的输入/出端子与外部链接 端子之间的阻抗匹配不好，无法体现良好的滤波器特性。因为阻抗匹配不上会影响通过微 带线44传输的电器信号(比如磁场)不能完好的传送到介质体块41上。阻抗匹配问题可以通过输入/出端口的前端输入接地45并前端输入形式46的长 度以及宽度来调整。但以往的介质陶瓷滤波器40在介质体块接触空气时输入/出端口产 生媒介，阻抗急剧变化，影响匹配。阻抗匹配不上，导致介质陶瓷滤波器40的输入/出端的 接地和导电性传导线之间产生磁场辐射，特别是产生插损特性和衰减特性，影响滤波器的 特性大幅下降。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本技术所要解决的技术问题是提供一种高阻抗匹 配、阻抗差异、频率应答特性好的介质陶瓷滤波器。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案一种介质陶瓷滤波器，包括微带线基板，所述微带线基板的表面上贴介质体块，所 述介质陶瓷滤波器的输入端、输出端上各设有一按照一定长度突出的金属传导盖，所述金 属传导盖是盖住介质体块部分上端和部分两侧端的导热性金属板。 优选的，所述金属传导盖能盖住所述微带线。优选的，所述金属传导盖表面沿着长度方向形成槽。优选的，所述金属传导盖表面形成的槽沿着长度方向完全贯通所述金属传导盖， 把所述金属传导盖分为两部分。优选的，所述介质体块两侧沿着长度方向形成了数个垂直槽，所述介质体块除两 端面以外其它面都有导电性物质覆盖。优选的，没覆盖导电性物质的介质体块的两端面形成导体传导线和接地，所述接 地与微带线基板的微带线电连接，所述导体传导线是与地连接。优选的，所述介质体块端面形成的导体传导线与所述金属传导盖相连接。优选的，所述接地的高度与所述介质体块端部突出的金属传导盖的长度成反比。本技术还公开了另一种机构的介质陶瓷滤波器，其包括介质体块，所述介质 体块的两侧面上设有数个垂直槽，所述介质体块除两端面以外的其它面有导电性物质覆 盖，所述介质体块两端各盖上金属传导盖、此金属传导盖是从介质体块的两端按照一定长 度突出的导电性金属板。进一步的，所述介质体块两端面形成导体传导线和接地。上述技术方案具有如下有益效果本技术中的介质体块两端盖上的金属传导 盖可以把滤波器输入/出端因阻抗差异产生的损耗降到最小化，提高阻抗匹配，优化介质 陶瓷滤波器的频率应答特性。而且在介质体块两端形成的导体传导线和金属传导盖上面 开槽，更方便了调试作业，所以组装后也可以微调产品特性，更能提高介质陶瓷滤波器的特 性，增加生产效率。在传导线上面盖上金属传导盖可把磁场辐射降到最小。附图说明图Ia为以往同轴型介质谐振器图Ib为图Ia的对应等价电路。图2是运用同轴型介质谐振器的以往的组合型介质陶瓷滤波器。图3是另一种以往的介质陶瓷滤波器的斜视图。图4是本技术中连接金属传导盖的介质陶瓷滤波器的斜视图。图5a是本技术中连接金属传导盖的介质陶瓷滤波器的分解斜视图。图5b是装在微带线基板上的在介质体块两端面形成的导体传导线的正面图。图5c是图4中展示的金属传导盖的另一种形态的斜视图。图6a是本技术中另一种实施例的连接金属传导盖的介质陶瓷滤波器的斜视 图。图6b是图6a中展示的金属传导盖的另一种形态的斜视图。图7a是本技术中另一种实施例中连接金属传导盖的介质陶瓷滤波器的斜视 图。图7b是图7a中展示的金属传导盖的另一种形态的斜视图。图8是图3中展示的以往介质陶瓷滤波器中的频率回应特性的曲线图。图9是图6a中展示的本技术中的介质陶瓷滤波器的频率回应的曲线图。具体实施方式以下结合附图详细说明本技术的优选实施例。图4是本技术的第一种实施例所述的连接金属传导盖的介质陶瓷滤波器100 的斜视图。如图4所示，此介质陶瓷滤波器100包含微带线基板150上组装介质体110和 介质体块110的两端输入/出端口上结合的金属传导盖130。本技术是在图3中展示 的以往的介质陶瓷滤波器140的输入/出端上连接金属传导盖130来减少输入/出端口附 近与空气接触产生的阻抗，优化介质陶瓷滤波器100的输入/出端的阻抗匹配。所以，本实 用新型是在介质陶瓷滤波器100的输入/出端子与外部端子时形成的阻抗匹配起来，能让 微带线160中通过的微波无损耗的通过介质陶瓷滤波器100的介质体块110。跟以往技术相同，此介质体块110的两侧面沿着长度方向形成了几个垂直槽120。 此介质体块110和垂直槽120的长度与宽度等尺寸是根据使用频带有所变动。也就是，根 据要求的使用带宽的频率来准确的计算此介质体块110和垂直槽120的尺寸。这是属于本 技术
里已经公开过的技术，所以本技术简略了详细尺寸的说明。此介质体块110除两端面以外的其它面都已导电性物质所涂层。此导电性物质是 银(Ag)或铝(Al)等导电率高的材料，通过真空吸附等方法把导电性物质覆盖在介质体块 110的表面形成导电层，此介质体块110就充当谐振器的功能。如图5a的分解斜视图所示，此介质体块110本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种介质陶瓷滤波器，包括微带线基板，所述微带线基板的表面上贴介质体块，其特征在于：所述介质陶瓷滤波器的输入端、输出端上各设有一按照一定长度突出的金属传导盖，所述金属传导盖是盖住介质体块部分上端和部分两侧端的导热性金属板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柳济天，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]