本发明专利技术公开了一种堆叠芯片的失效定位方法、装置、设备及存储介质，应用于缺陷检测领域，该方法包括：基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；相位值信息表征热信号从缺陷位置发出到被热发射显微镜采集所经过的路径；利用温度分布信息确定缺陷位置的平面位置信息；根据相位值信息与相位值映射表进行比对，确定缺陷位置的深度位置信息；其中，相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与测量点的深度位置信息组建立的映射表；根据平面位置信息和深度位置信息确定缺陷位置的三维位置信息。本发明专利技术通过上述方法解决了对多层堆叠产品在三维空间上进行失效定位耗时耗力，效率低的问题。题。题。
【技术实现步骤摘要】
一种堆叠芯片的失效定位方法、装置、设备及存储介质
[0001]本专利技术涉及缺陷检测领域，特别涉及一种堆叠芯片的失效定位方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
[0002]随着半导体制造工艺的进步，具有三维结构的多层堆叠产品已被开发出来，该类型产品在垂直方向上堆叠多片wafer(晶圆)，可以成倍的提高单位面积wafer上的集成度，并且可以降低制造工艺的成本。但是，这种三维堆叠技术的发展，同样也导致对该类型芯片的失效定位非常困难。由于该类型产品包括很多层堆叠的wafer，通过热发射显微镜等机台无法确定这些缺陷点来自于哪一层wafer。
[0003]现有技术中若想剖析出该类型芯片的缺陷的深度信息，需对该样品一层一层逐层地研磨下去，边研磨边借助OM(光学显微镜)、SEM(扫描电子显微镜)等机台去寻找缺陷，耗时耗力，效率很低。因此如何高效地对多层堆叠产品在三维空间上进行失效定位，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种堆叠芯片的失效定位方法、装置、设备及存储介质，解决了相关技术中对多层堆叠产品在三维空间上进行失效定位耗时耗力，效率低的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种堆叠芯片的失效定位方法，包括：
[0006]基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；所述相位值信息表征热信号从所述缺陷位置发出到被所述热发射显微镜采集所经过的路径；
[0007]利用所述温度分布信息确定所述缺陷位置的平面位置信息；
[0008]根据所述相位值信息与相位值映射表进行比对，确定所述缺陷位置的深度位置信息；其中，所述相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与所述测量点的深度位置信息组建立的映射表；
[0009]根据所述平面位置信息和所述深度位置信息确定所述缺陷位置的三维位置信息。
[0010]可选的，所述基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息，包括：
[0011]接收红外辐射信号；
[0012]基于红外热像部件采集所述温度分布信息；
[0013]基于相位采集部件采集所述相位值信息。
[0014]可选的，所述利用所述温度分布信息确定所述缺陷位置的平面位置信息，包括：
[0015]根据所述温度分布信息确定温差区域，将所述温差区域的位置信息作为所述缺陷位置的所述平面位置信息。
[0016]可选的，所述相位值映射表的建立过程，包括：
[0017]研磨所述无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露所述目标膜层的金属互联层；
[0018]将所述金属互联层进行短路处理，作为所述测量点；
[0019]利用所述热发射显微镜采集所述测量点的相位值信息；
[0020]将沿预设方向的下一膜层作为所述目标膜层，循环所述研磨所述无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露所述目标膜层的金属互联层的步骤至所述将沿预设方向的下一膜层作为所述目标膜层的步骤，直至确定所述无缺陷堆叠芯片所有膜层对应的所述测量点的所述相位值信息和层数信息；
[0021]根据所述相位值信息和所述层数信息，建立所述相位值映射表。
[0022]可选的，所述根据所述相位值信息和所述层数信息，建立所述相位值映射表，包括：
[0023]沿所述预设方向依次将所述目标膜层的所述测量点对应的所述相位值信息，至下一膜层的所述测量点对应的所述相位值信息的区间，作为所述目标膜层的相位值区间；
[0024]利用所述相位值区间与所述层数信息建立所述相位值映射表。
[0025]可选的，在所述根据所述平面位置信息和所述深度位置信息确定所述缺陷位置的三维位置信息之后，还包括：
[0026]输出所述三维位置信息。
[0027]本专利技术还提供了一种堆叠芯片的失效定位装置，包括：
[0028]采集模块，用于基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；所述相位值信息表征热信号从所述缺陷位置发出到被所述热发射显微镜采集所经过的路径；
[0029]第一确定模块，用于利用所述温度分布信息确定所述缺陷位置的平面位置信息；
[0030]第二确定模块，用于根据所述相位值信息与相位值映射表进行比对，确定所述缺陷位置的深度位置信息；其中，所述相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与所述测量点的深度位置信息组建立的映射表；
[0031]第三确定模块，用于根据所述平面位置信息和所述深度位置信息确定所述缺陷位置的三维位置信息。
[0032]可选的，所述第二确定模块中相位值映射表的建立过程，包括：
[0033]研磨单元，用于研磨无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露目标膜层的金属互联层；
[0034]执行单元，用于将金属互联层进行短路处理，作为测量点；
[0035]采集单元，用于利用热发射显微镜采集测量点的相位值信息；
[0036]循环单元，用于将沿预设方向的下一膜层作为目标膜层，循环研磨无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露目标膜层的金属互联层的步骤至将沿预设方向的下一膜层作为目标膜层的步骤，直至确定无缺陷堆叠芯片所有膜层对应的测量点的相位值信息和层数信息；
[0037]相位值映射表建立单元，用于根据相位值信息和层数信息，建立相位值映射表。
[0038]本专利技术还提供了一种堆叠芯片的失效定位设备，包括：
[0039]热发射显微镜，用于采集温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；
[0040]存储器，用于存储计算机程序；
[0041]处理器，用于执行所述计算机程序实现上述的堆叠芯片的失效定位方法的步骤。
[0042]本专利技术还提供了一种存储介质，用于保存计算机程序，其中，所述计算机程序被处
理器执行时实现上述的堆叠芯片的失效定位方法的步骤。
[0043]可见，本专利技术基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息，其中，相位值信息表征热信号从缺陷位置发出到被热发射显微镜采集所经过的路径；利用温度分布信息确定缺陷位置的平面位置信息，根据相位值信息与相位值映射表进行比对，确定缺陷位置的深度位置信息，其中，相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与测量点的深度位置信息组建立的映射表；根据平面位置信息和深度位置信息确定缺陷位置的三维位置信息。本专利技术通过利用相位值信息与相位值映射表进行比对，获取缺陷位置的深度信息，解决了对多层堆叠产品在三维空间上进行失效定位耗时耗力，效率低的问题。
[0044]此外，本专利技术还提供了一种堆叠芯片的失效定位装置、设备及存储介质，同样具有上述有益效果。
附图说明
[0045]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种堆叠芯片的失效定位方法，其特征在于，包括：基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；所述相位值信息表征热信号从所述缺陷位置发出到被所述热发射显微镜采集所经过的路径；利用所述温度分布信息确定所述缺陷位置的平面位置信息；根据所述相位值信息与相位值映射表进行比对，确定所述缺陷位置的深度位置信息；其中，所述相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与所述测量点的深度位置信息组建立的映射表；根据所述平面位置信息和所述深度位置信息确定所述缺陷位置的三维位置信息。2.根据权利要求1所述的堆叠芯片的失效定位方法，其特征在于，所述基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息，包括：接收红外辐射信号；基于红外热像部件采集所述温度分布信息；基于相位采集部件采集所述相位值信息。3.根据权利要求1所述的堆叠芯片的失效定位方法，其特征在于，所述利用所述温度分布信息确定所述缺陷位置的平面位置信息，包括：根据所述温度分布信息确定温差区域，将所述温差区域的位置信息作为所述缺陷位置的所述平面位置信息。4.根据权利要求1至3任一项所述的堆叠芯片的失效定位方法，其特征在于，所述相位值映射表的建立过程，包括：研磨所述无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露所述目标膜层的金属互联层；将所述金属互联层进行短路处理，作为所述测量点；利用所述热发射显微镜采集所述测量点的相位值信息；将沿预设方向的下一膜层作为所述目标膜层，循环所述研磨所述无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露所述目标膜层的金属互联层的步骤至所述将沿预设方向的下一膜层作为所述目标膜层的步骤，直至确定所述无缺陷堆叠芯片所有膜层对应的所述测量点的所述相位值信息和层数信息；根据所述相位值信息和所述层数信息，建立所述相位值映射表。5.根据权利要求4所述的堆叠芯片的失效定位方法，其特征在于，所述根据所述相位值信息和所述层数信息，建立所述相位值映射表，包括：沿所述预设方向依次将所述目标膜层的所述测量点对应的所述相位值信息，至下一膜层的所述测量点对应的所述相位值信息的区间，作为所述目标膜层的相位值区间；...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈子豪，叶红波，吴大海，朱子轩，苟元华，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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