【技术实现步骤摘要】
阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置
[0001]本申请涉及显示
,具体涉及一种阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)显示装置因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点,已被广泛地应用于各种电子设备中。在有源矩阵型有机发光二极管显示装置的驱动方式下,像素驱动电路设有用于驱动有机发光二极管发光的驱动晶体管。由于驱动晶体管工作在饱和区,流经驱动晶体管的电流会受到驱动晶体管自身的阈值电压以及迁移率的影响。因此,为保证有机发光二极管显示装置显示亮度的均匀性,需要对不同子像素之间的阈值电压差异以及迁移率差异进行侦测,再基于侦测进行补偿。
[0003]在传统的阈值电压侦测方法中,向驱动晶体管提供一初始Vgs(栅源电压),利用源跟随的方式,保持驱动晶体管的栅极电压不变,使驱动晶体管的源极电压抬升至Vgs=V
th
(驱动晶体管的阈值电压)状态,流过驱动晶体管的电流大小趋近于零,对此状态下的驱动晶体管的源极电压进行侦测,可计算出驱动晶体管的阈值电压,再将得到的阈值电压叠加至显示时的数据电压上,以实现阈值电压差异的补偿,解决阈值电压差异导致的显示亮度不均匀性。
[0004]然而,由于栅源电压随着侦测时间而减小以及侦测线路的寄生电容远大于单个子像素的存储电容,驱动晶体管的源极电压抬升越来越慢,侦测出像素中驱动晶体管的阈值电压需要很长时间。这在很大程度上会影响到工厂 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阈值电压侦测方法,其特征在于,包括:步骤S1,提供一像素,所述像素包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、电容及发光元件;所述驱动晶体管的栅极与第一节点电连接,所述驱动晶体管的源极与漏极中的一者与第一电源电连接,所述驱动晶体管的源极与漏极中的另一者与第二节点电连接;所述第一晶体管的栅极与扫描线电连接,所述第一晶体管的源极与漏极中的一者与数据线电连接,所述第一晶体管的源极与漏极中的另一者与所述第一节点电连接;所述第二晶体管的栅极与控制线电连接,所述第二晶体管的源极与漏极中的一者与所述第二节点电连接,所述第二晶体管的源极与漏极中的另一者与侦测线电连接;所述电容的第一端与所述第一节点电连接,所述电容的第二端与所述第二节点电连接;步骤S2,初始化所述第一节点的电压得到第一初始电压,初始化所述第二节点的电压得到第二初始电压,以使所述驱动晶体管导通;步骤S3,控制所述第一晶体管以及所述第二晶体管导通,并且控制所述侦测线处于浮置状态,以使所述第一节点的电压维持在所述第一初始电压,使所述第二节点的电压抬升,在预设时间段后,对所述第二节点的电压进行侦测,得到侦测电压;步骤S4,根据所述侦测电压以及所述第一初始电压得到参考阈值电压;步骤S5,将所述侦测电压与所述第二初始电压进行比较,若所述侦测电压等于所述第二初始电压,则将所述参考阈值电压设定为所述驱动晶体管的实际阈值电压。2.根据权利要求1所述的阈值电压侦测方法,其特征在于,所述阈值电压侦测方法还包括:若所述侦测电压不等于所述第二初始电压,则根据所述参考阈值电压以及所述第二初始电压得到第三初始电压,并返回所述步骤S2,所述第三初始电压用于在所述步骤S2中,初始化所述第一节点的电压。3.根据权利要求2所述的阈值电压侦测方法,其特征在于,所述步骤S4具体包括:根据所述第一初始电压和所述侦测电压之间的差值得到所述参考阈值电压;其中,V
参考
(n)=Vg(n)
‑
Vs(n),V
参考
(n)表示第n次侦测中得到的所述参考阈值电压,Vg(n)表示第n次侦测中的第一初始电压,Vs(n)表示第n次侦测中得到的侦测电压。4.根据权利要求3所述的阈值电压侦测方法,其特征在于,所述根据所述参考阈值电压以及所述第二初始电压得到第三初始电压的步骤,具体包括:根据所述参考阈值电压以及所述第二初始电压之和得到所述第三初始电压;其中,Vg(n+1)=Vpre+V
参考
(n),Vg(n+1)表示第n次侦测得到的所述第三初始电压,Vpre表示每次侦测中的第二初始电压,n为大于1的整数。5.根据权利要求1所述的阈值电压侦测方法,其特征在于,当第一次侦测时,所述步骤S2具体包括:所述扫描线提供扫描信号,使得所述第一晶体管导通,所述数据线提供第一预设电压至...
【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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