Mura识别方法、装置和设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种Mura识别方法、装置和设备，其中，所述方法包括：获取对显示面板进行阵列测试所得到的各像素点的电学数据；根据各像素点的电学数据，计算阵列测试时各像素区域的灰阶值，所述显示面板包括多个像素区域，各所述像素区域包括阵列排布的多个所述像素点；根据各像素区域的灰阶值，识别各像素区域中的Mura显示区域。本发明专利技术能够解决现有技术难以找到显示区域出现Mura现象的根本影响因素的技术问题。术问题。术问题。

【技术实现步骤摘要】
Mura识别方法、装置和设备


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种Mura识别方法、装置和设备。

技术介绍

[0002]在OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板行业中，由于OLED显示面板工作时，存在局部显示亮度不均，造成各种显示痕迹的现象，即Mura现象，因此在出厂前需要对面板出现Mura现象的位置进行识别，进而通过各种手段进行亮度补偿。目前，现有技术的Mura识别方案难以找到显示区域出现Mura现象的根本影响因素。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供了一种Mura识别方法、装置和设备，能够解决现有技术难以找到显示区域出现Mura现象的根本影响因素的技术问题。
[0004]第一方面，提供一种Mura识别方法，包括：
[0005]获取对显示面板进行阵列测试所得到的各像素点的电学数据；
[0006]根据各像素点的电学数据，计算阵列测试时各像素区域的灰阶值，显示面板包括多个像素区域，各像素区域包括阵列排布的多个像素点；
[0007]根据各像素区域的灰阶值，识别各像素区域中的Mura显示区域。
[0008]可选地，根据各像素点的电学数据，计算阵列测试时各像素区域的灰阶值，包括：
[0009]分别对各像素区域中多个像素点的电学数据进行卷积处理，得到各像素区域的区域电学数据；
[0010]获取各像素区域的区域电学数据的平均值，以及各像素区域的区域电学数据中的最大值和最小值；
[0011]根据各像素区域的区域电学数据、最大值、最小值以及平均值，计算阵列测试时各像素区域的灰阶值。
[0012]本方案为后续Mura显示区域的识别，提供了有效的电学特性参数，帮助实现了电学Mura现象的量化识别，重复性和准确度高。
[0013]可选地，根据各像素区域的区域电学数据、最大值、最小值以及平均值，计算阵列测试时各像素区域的灰阶值，包括：
[0014]根据以下公式计算阵列测试时各像素区域的灰阶值，
[0015][0016]其中，为阵列测试时像素区域A的灰阶值，I
A
为像素区域A的区域电学数据，avg(I)为平均值，MAX(I)为最大值，MIN(I)为最小值。
[0017]本方案通过显示面板每个像素点的电学数据获得了各像素区域的区域电学数据，进而转换得到了阵列测试时各像素区域的灰阶值，由此可以依据各像素区域的灰阶值，从多个像素区域中识别出Mura显示区域，实现干扰度低的电学Mura识别。
[0018]可选地，根据各像素区域的灰阶值，识别各像素区域中的Mura显示区域，包括：
[0019]计算各像素区域的灰阶值相对于参考灰阶的Mura显示率；
[0020]将目标灰阶值所在的像素区域识别为Mura显示区域，目标灰阶值为Mura显示率超过预设值的灰阶值。
[0021]本方案能够基于灰阶值准确识别出Mura显示位置，使得能够直接识别出受阵列端电学因素影响的Mura现象，从而能够解决现有技术中的难以找到显示区域出现Mura现象的根本影响因素的技术问题，且能够替代人工识别，可量化执行，提高了检测速度和准确率。
[0022]可选地，计算各像素区域的灰阶值相对于参考灰阶的Mura显示率，包括：
[0023]分别计算各像素区域的灰阶值与参考灰阶的差值的绝对值；
[0024]根据以下公式计算各像素区域的灰阶值相对于参考灰阶的Mura显示率，
[0025][0026]其中，g
A
为像素区域A相对于参考灰阶的Mura显示率，为像素区域A的灰阶值与参考灰阶的差值的绝对值。本方案通过设定参考灰阶计算Mura显示率，能够得到每个像素区域的电学Mura现象显示几率，为后续Mura识别提供了可量化的参数。
[0027]可选地，参考灰阶为根据各像素区域的灰阶值，计算得到的平均灰阶，提供了Mura识别的参考规格。
[0028]可选地，根据各像素区域的灰阶值，识别各像素区域中的Mura显示区域，包括：
[0029]按照各像素区域的灰阶值，模拟显示面板显示时的灰阶图像；
[0030]从灰阶图像中识别出Mura显示区域。
[0031]本方案通过模拟显示面板的灰阶图像，实现了可视化电学Mura识别，同时该电学Mura的识别也不受蒸镀材料影响。
[0032]可选地，各像素点的电学数据包括各像素点在阵列测试时进行充放电过程中的电压值、电流值以及累积电荷量中的至少一种。
[0033]第二方面，提供一种Mura识别装置，包括：
[0034]获取模块，用于获取对显示面板进行阵列测试所得到的各像素点的电学数据；
[0035]计算模块，用于根据各像素点的电学数据，计算阵列测试时各像素区域的灰阶值，显示面板包括多个像素区域，各像素区域包括阵列排布的多个像素点；
[0036]识别模块，用于根据各像素区域的灰阶值，识别各像素区域中的Mura显示区域。
[0037]第三方面，提供了一种Mura识别设备，Mura识别设备包括存储器、处理器以及存储在存储器中，并在处理器上运行的计算机程序，计算机程序实现如第一方面的Mura识别方法的步骤。
[0038]第四方面，提供了一种计算机存储介质，计算机存储介质被处理器执行时实现如第一方面的Mura识别方法的步骤。
[0039]第五方面，提供了一种计算机程序产品，计算机程序产品包括计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如第一方面的Mura识别方法的步骤。
[0040]与现有技术相比，本申请实施例提供的Mura识别方法、装置和设备，根据各像素点的电学数据，计算阵列测试时各像素区域的灰阶值，进而根据各像素区域的灰阶值，识别各像素区域中的Mura显示区域。而因为识别到Mura显示区域所使用的参数，是直接读取到的
阵列测试时各像素点的电学数据，因此不需要在蒸镀制程后点亮显示面板即可识别出受阵列端因素影响所出现的Mura显示区域，因此直接区分出了受阵列因素影响的Mura现象，解决了现有技术难以找到显示区域出现Mura现象的根本影响因素的技术问题，且能够替代人工识别，可量化执行，提高了检测速度和准确率。
附图说明
[0041]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0042]图1是本专利技术一实施例的Mura识别方法的示意性流程图。
[0043]图2是本专利技术另一实施例的Mura识别方法中步骤S120的细化流程示意图。
[0044]图3是本专利技术一实施例的Mura识别装置的示意性框图。
[0045]图4是本专利技术一实施例的Mura识别设备的示意性框图。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mura识别方法，其特征在于，包括：获取对显示面板进行阵列测试所得到的各像素点的电学数据；根据各所述像素点的电学数据，计算阵列测试时各像素区域的灰阶值，所述显示面板包括多个像素区域，各所述像素区域包括阵列排布的多个所述像素点；根据各所述像素区域的灰阶值，识别各所述像素区域中的Mura显示区域。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据各所述像素点的电学数据，计算阵列测试时各像素区域的灰阶值，包括：分别对各所述像素区域中多个所述像素点的电学数据进行卷积处理，得到各所述像素区域的区域电学数据；获取各所述像素区域的区域电学数据的平均值，以及各所述像素区域的区域电学数据中的最大值和最小值；根据各所述像素区域的区域电学数据、所述最大值、所述最小值以及所述平均值，计算阵列测试时各所述像素区域的灰阶值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据各所述像素区域的区域电学数据、所述最大值、所述最小值以及所述平均值，计算阵列测试时各所述像素区域的灰阶值，包括：根据以下公式计算阵列测试时各所述像素区域的灰阶值，其中，为阵列测试时像素区域A的灰阶值，I
A
为像素区域A的区域电学数据，avg(I)为所述平均值，MAX(I)为所述最大值，MIN(I)为所述最小值。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据各所述像素区域的灰阶值，识别各所述像素区域中的Mura显示区域，包括：计算各所述像素区域的灰阶值相对于参考灰阶的Mura显示率；将目标灰阶值所在的像素区域识别为所述Mura显示区域，所述目标灰阶值为所述Mura显示率超过预设值的灰阶值。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：马领玉，曹聪聪，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：