【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体衬底及其制造方法。特别地本专利技术涉及用于制造电子器件、集成电路等的衬底以及制造该衬底的方法。更具体地,本专利技术涉及可再利用的回收衬底以及回收该衬底的方法,该衬底通过对在绝缘层上设置了单晶半导体层的衬底加工得到。在半导体加工方法中,大量的晶片被用作在制造步骤中检测膜厚和检测微粒的检验晶片以及加热设备中的虚拟晶片(dummy wafer)。在制造步骤中不可避免地要形成有缺陷的晶片,而且它们在最终检测步骤中要被除去。为了有效利用资源和降低半导体制造成本对大型晶片通常要回收和再利用。在回收过程中,晶片表面上形成的薄膜如LSI的多晶硅薄膜、绝缘膜和铝膜用腐蚀成磨光(lapping)、抛光或研磨(grinding)虚拟晶片等方法去除。机械清除如磨光用于去除仅用腐蚀去不掉的硬膜或复杂膜(多层)。如上所述,用作处理晶片、试验晶片、虚拟晶片之类的大型硅晶片在传统上是要回收的。日本专利特开平9-237771和7-122532中描述了典型的回收方法。另一方面,通过由各种步骤加工大型硅晶片得到的在绝缘层上设置有单晶半导体层的衬底(此后用“SOI衬底”)却不回收。制造后达不到质量标准如膜厚均匀性、层错密度、颗粒等要求的有缺陷SOI衬底总是被抛弃和扔掉。然而,从降低SOI衬底制造成本的角度考虑,应当回收有缺陷SOI衬底以在SOI衬底制造中重复利用或用作其它半导体衬底的晶片。单晶硅半导体层即SOI衬底在绝缘体上的形成工艺已被熟知为硅-绝缘体(silicon-on-insulator,SOI)技术。用SOI技术的器件具有许多硅集成电路的普通大型硅衬底所无法比 ...
【技术保护点】
一种回收SOI衬底的方法,包括下列步骤: 提供SOI衬底的步骤,该SOI衬底具有半导体基板和在其上形成的单晶半导体层,且在该基板和该单晶半导体层之间夹有绝缘层; 去除该单晶半导体层的第一去除步骤;以及 选择性地去除该绝缘层的第二去除步骤。
【技术特征摘要】
JP 1998-1-30 018811/981.一种回收SOI衬底的方法,包括下列步骤提供SOI衬底的步骤,该SOI衬底具有半导体基板和在其上形成的单晶半导体层,且在该基板和该单晶半导体层之间夹有绝缘层;去除该单晶半导体层的第一去除步骤;以及选择性地去除该绝缘层的第二去除步骤。2.如权利要求1所述的回收SOI衬底的方法,其中在第一去除步骤之前包括使所述单晶半导体层氧化的步骤。3.如权利要求1所述的回收SOI衬底的方法,其中执行第一去除步骤时采用腐蚀。4.如权利要求3所述的回收SOI衬底的方法,其中进行第一去除步骤的腐蚀时,腐蚀剂采用四甲基铵氢氧化物、KOH或三甲基-2-羟乙基铵氢氧化物。5.如权利要求1所述的回收SOI衬底的方法,其中执行第一去除步骤时采用抛光。6.如权利要求5所述的回收SOI衬底的方法,其中所述抛光是化学-机械抛光(CMP)。7.如权利要求1所述的回收SOI衬底的方法,其中执行第二去除步骤时采用腐蚀。8.如权利要求7所述的回收SOI衬底的方法,其中进行第二去除步骤的腐蚀时,腐蚀剂采用氢氟酸或缓冲氢氟酸。9.如权利要求1所述的回收SOI衬底的方法,其中包括在含氢的还原气氛中对由于第二去除步骤而裸露出的半导体基板热处理的步骤。10.如权利要求1所述的回收SOI衬底的方法,其中包括对由于第二去除步骤而裸露出的半导体基板进行抛光处理的步骤。11.如权利要求10所述的回收SOI衬底的方法,其中对由于第二去除步骤而裸露出的半导体基板进行的抛光处理采用化学-机械抛光法(CMP)。12.如权利要求10所述的回收SOI衬底的方法,其中对由于第二去除步骤而裸露出的半导体基板进行的抛光处理采用接触抛光法。13.如权利要求1所述的回收SOI衬底的方法,其中用粘接法准备SOI衬底。14.如权利要求13所述的回收SOI衬底的方法,其中粘接面是所述半导体基板和所述绝缘层的界面。15.如权利要求14所述的回收SOI衬底的方法,其中所述粘接法是通过下列步骤准备SOI衬底的方法,它包括准备第一基板的步骤,该基板具有多孔层上的单晶半导体层;以及通过把该第一基板和一个第二基板粘接起来形成多层结构的步骤,在两个基板之间夹有绝缘层并且单晶半导体层放置于里面。16.如权利要求15所述的回收SOI衬底的方法,其中在第一基板的所述单晶半导体层上形成所述绝缘层。17.如权利要求14所述的回收SOI衬底的方法,其中所述粘接法是通过下列步骤准备SOI衬底的方法,它包括准备第一基板的步骤,该第一基板具有分离层上的单晶半导体层;以及通过把该第一基板和一个第二基板粘接起来形成多层结构的步骤,在两个基板之间夹有绝缘层并且单晶半导体层放置于里面。18.如权利要求17所述的回收SOI衬底的方法,其中在第一基板的所述单晶半导体层上形成所述绝缘层。19.如权利要求17或18所述的回收SOI衬底的方法,其中通过将稀有气体离子或氢离子注入单晶硅基板形成分离层。20.如权利要求1所述的回收SOI衬底的方法,其中准备SOI衬底的方法包括将氧离子注入单晶硅基板的步骤以及对单晶硅基板热处理的步骤。21.如权利要求1~18中任一项所述的回收SOI衬底的方法,其中所述单晶半导体层是单晶硅层。22.如权利要求1~18中任一项所述的回收SOI衬底的方法,其中所述单晶半导体层...
【专利技术属性】
技术研发人员:米原隆夫,伊藤正孝,
申请(专利权)人:佳能株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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