【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种微细光刻技术,它是通过平行紫外光透过掩模版,在近场条件下对涂有抗蚀剂的基片曝光,实现图形的加工。其特征在于所述的曝光方法为接近式衍射缩小曝光,掩模版至基片的间隙距离为0~50微米。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:胡思福,
申请(专利权)人:成都电讯工程学院,
类型:发明
国别省市:51[中国|四川]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。