【技术实现步骤摘要】
无铅低熔点玻璃组合物以及使用组合物的玻璃材料和元件本申请是2015年8月27日提出的申请号为201510532989.5的同名专利申请的分案申请。要求优先权本申请要求2014年8月29日提交的日本专利申请第2014-175642号的优先权,其内容通过引用的方式在此并入本申请。
本专利技术涉及无铅低熔点玻璃组合物。具体而言,本专利技术涉及一种防止或抑制结晶从而可在较低温度下令人满意地软化和流动的无铅低熔点玻璃组合物。本专利技术还涉及低温密封玻璃粉、低温密封玻璃浆、导电材料和导电玻璃浆,其各自包含无铅低熔点玻璃组合物;并且涉及通过使用它们中的任意种制备的玻璃密封的元件和电气/电子元件。
技术介绍
在一些物品中,通常使用包括低熔点玻璃组合物和低热膨胀陶瓷颗粒的低温密封玻璃粉进行密封和/或接合。这些物品示例为通常应用于窗玻璃的真空隔离双层玻璃板;显示板例如等离子体显示板、有机电致发光显示板和荧光显示管;以及电气/电子元件例如石英谐振器、IC陶瓷封装和半导体传感器。低温密封玻璃粉通常以低温密封玻璃浆的形式应用。低温密封玻璃浆通常通过丝网印刷法或点胶(dispensing)进行施用、干燥并烧制,以用于密封和/或接合。在密封和/或接合时,低温密封玻璃粉或相应的低温密封玻璃浆中包含的低熔点玻璃组合物软化,流动,并由此与待被密封和/或待被接合的元件密切接触。同样地,将包括低熔点玻璃组合物和金属颗粒的导电材料用于在很多电气/电子元件例如太阳能电池、图像显示装置、多层电容器、石英谐振器、LED(发光二极管) ...
【技术保护点】
1.一种无铅低熔点玻璃组合物,包括:/n钒氧化物、碲氧化物和银氧化物,/n其中以氧化物换算计V
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20140829 JP 2014-1756421.一种无铅低熔点玻璃组合物,包括:
钒氧化物、碲氧化物和银氧化物,
其中以氧化物换算计V2O5、TeO2和Ag2O的总含量为85摩尔%或更高,
TeO2和Ag2O的含量各自为V2O5的含量的1~2倍,
还包括0~13摩尔%的次级成分,该次级成分为选自BaO、WO3和P2O5中的至少一种;
包括0.1~3.0摩尔%的附加成分,该附加成分为选自元素周期表第13族元素的氧化物中的至少一种,
具有280℃或更低的软化点,所述软化点通过差热分析而确定为第二吸热峰值温度,
结晶起始温度比所述软化点高出60℃或更多,所述结晶起始温度通过差热分析而确定。
2.根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃组合物,
其中所述附加成分以氧化物换算为B2O3、Al2O3、Ga2O3和In2O3中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃组合物,
其中所述附加成分以氧化物换算为B2O3、Ga2O3和In2O3中的至少一种。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物,
其中所述附加成分的含量为0.1~2.0摩尔%。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物,
V2O5的含量为17摩尔%或更高且为27摩尔%或更低,
TeO2的含量为34摩尔%或更高,
Ag2O的含量为40摩尔%或更低。
6.一种低温密封玻璃粉,包括:
根据权利要求1~5中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物;以及
低热膨胀陶瓷颗粒,
其中所述无铅低熔点玻璃组合物的含量为40~100体积%,并且
所述低热膨胀陶瓷颗粒的含量为0~60体积%。
7.根据权利要求6所述的低温密封玻璃粉,
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒包括选自钨酸磷酸锆、石英玻璃、硅酸锆、氧化铝、莫来石和氧化铌中的至少一种。
8.根据权利要求6或7所述的低温密封玻璃粉,
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒为钨酸磷酸锆或主要包括钨酸磷酸锆的化合物,并且
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒的含量为30~50体积%。
9.一种低温密封玻璃浆,包括:
根据权利要求1~5中任一项所述的无铅低熔点玻璃组合物的颗粒;
低热膨胀陶瓷颗粒;以及
溶剂。
10.根据权利要求9所述的低温密封玻璃浆,
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒包括选自钨酸磷酸锆、石英玻璃、硅酸锆、氧化铝、莫来石和氧化铌中的至少一种,并且
其中所述溶剂为α-松油醇或二乙二醇正丁醚乙酸酯。
技术研发人员:内藤孝,立园信一,吉村圭,桥场裕司,青柳拓也,小野寺大刚,三宅龙也,
申请(专利权)人:日立化成株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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