【技术实现步骤摘要】
无铅低熔点玻璃组合物以及使用组合物的玻璃材料和元件本申请是2015年8月27日提出的申请号为201510532989.5的同名专利申请的分案申请。要求优先权本申请要求2014年8月29日提交的日本专利申请第2014-175642号的优先权,其内容通过引用的方式在此并入本申请。
本专利技术涉及无铅低熔点玻璃组合物。具体而言,本专利技术涉及一种防止或抑制结晶从而可在较低温度下令人满意地软化和流动的无铅低熔点玻璃组合物。本专利技术还涉及低温密封玻璃粉、低温密封玻璃浆、导电材料和导电玻璃浆,其各自包含无铅低熔点玻璃组合物;并且涉及通过使用它们中的任意种制备的玻璃密封的元件和电气/电子元件。
技术介绍
在一些物品中,通常使用包括低熔点玻璃组合物和低热膨胀陶瓷颗粒的低温密封玻璃粉进行密封和/或接合。这些物品示例为通常应用于窗玻璃的真空隔离双层玻璃板;显示板例如等离子体显示板、有机电致发光显示板和荧光显示管;以及电气/电子元件例如石英谐振器、IC陶瓷封装和半导体传感器。低温密封玻璃粉通常以低温密封玻璃浆的形式应用。低温密封玻璃浆通常通过丝网印刷法或点胶(dispensing)进行施用、干燥并烧制,以用于密封和/或接合。在密封和/或接合时,低温密封玻璃粉或相应的低温密封玻璃浆中包含的低熔点玻璃组合物软化,流动,并由此与待被密封和/或待被接合的元件密切接触。同样地,将包括低熔点玻璃组合物和金属颗粒的导电材料用于在很多电气/电子元件例如太阳能电池、图像显示装置、多层电容器、石英谐振器、LED(发光二极管) ...
【技术保护点】
1.一种无铅低熔点玻璃组合物,包括:/n主成分,其包括钒氧化物、碲氧化物和银氧化物;/n次级成分,其包括选自BaO、WO
【技术特征摘要】
20140829 JP 2014-1756421.一种无铅低熔点玻璃组合物,包括:
主成分,其包括钒氧化物、碲氧化物和银氧化物;
次级成分,其包括选自BaO、WO3和P2O5中的至少一种;以及
附加成分,其包括选自元素周期表第13族元素的氧化物中的至少一种,
其中所述主成分的总含量以V2O5、TeO2和Ag2O计为85摩尔%或更高,
TeO2和Ag2O的含量各自为V2O5的含量的1~2倍,并且
其中所述次级成分的含量为0~13摩尔%,并且
所述附加成分的含量为0.1~3.0摩尔%。
2.根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃组合物,
其中所述附加成分包括选自B2O3、Al2O3、Ga2O3和In2O3中的至少一种,并且
其中所述附加成分的含量以氧化物计为0.1~2.0摩尔%。
3.根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃组合物,
其中所述附加成分包括选自Al2O3、Ga2O3和In2O3中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃组合物,
其中所述附加成分的含量以氧化物计为0.1~1.0摩尔%。
5.根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃组合物,
具有280℃或更低的软化点,所述软化点通过差热分析而确定为第二吸热峰值温度。
6.根据权利要求5所述的无铅低熔点玻璃组合物,
结晶起始温度比所述软化点高出60℃或更多,所述结晶起始温度通过差热分析而确定。
7.一种低温密封玻璃粉,包括:
根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃组合物;以及
低热膨胀陶瓷颗粒,
其中所述无铅低熔点玻璃组合物的含量为40体积%或更高且低于100体积%,并且
所述低热膨胀陶瓷颗粒的含量为高于0体积%且为60体积%或更低。
8.根据权利要求7所述的低温密封玻璃粉,
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒包括选自钨酸磷酸锆、石英玻璃、硅酸锆、氧化铝、莫来石和氧化铌中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的低温密封玻璃粉,
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒由钨酸磷酸锆和主要包括钨酸磷酸锆的化合物中的至少一种形成,并且
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒的含量为30~50体积%。
10.一种低温密封玻璃浆,包括:
由根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃组合物形成的颗粒;
低热膨胀陶瓷颗粒;以及
溶剂。
11.根据权利要求10所述的低温密封玻璃浆,
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒包括选自钨酸磷酸锆、石英玻璃、硅酸锆、氧化铝、莫来石和氧化铌中的至少一种,并且
其中所述溶剂包括α-松油醇和二乙二醇正丁醚乙酸酯中的至少一种。
12.根据权利要求10所述的低温密封玻璃浆,
其中所述低热膨胀陶瓷颗粒由钨酸磷酸锆和主要包括钨酸磷酸锆的化合物中的至少一种形成,并且
其中所述溶剂包括α-松油醇。
13.一种导电材料,包括:
根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃组合物;以及
金属颗粒,
其中所述无铅低熔点玻璃组合物的含量为5体积%或更高且低于100体积%,并且
所述金属颗粒的含量为高于0体积%且为95体积%或更低。
14.根据权利要求13所述的导电材料,
其中所述金属颗粒包括选自银、银合金、铜、铜合金、铝、铝合金、锡和锡合金中的至少一种。
15.根据权利要求13所述的导电材料,
其中所述金属颗粒包括银和铝中的至少一种,并且
其中所述金属颗...
【专利技术属性】
技术研发人员:内藤孝,立园信一,吉村圭,桥场裕司,青柳拓也,小野寺大刚,三宅龙也,
申请(专利权)人:日立化成株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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