The embodiment of the disclosure provides a through-hole connection structure, a manufacturing method of the array substrate and the array substrate. The manufacturing method of the through-hole connection structure includes: forming an insulating layer on the substrate substrate and forming a first through-hole in the insulating layer; forming a connection part in the first through-hole; forming a protective layer covering the connection part on the surface of the insulating layer; forming a protective layer on the insulating layer and the protection layer A second through hole is formed in the protective layer; at least the protective layer is partially removed and the connection part is exposed. The manufacturing method protects the joint by forming a protective layer before forming the second through-hole, so as to avoid the damage of the joint caused by the stripping process of photoresist.
【技术实现步骤摘要】
过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板
本公开实施例涉及一种过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板。
技术介绍
显示面板通常包括显示区和焊盘(BondingPad)区,焊盘区用于在显示区器件制作完成后,与外部元件进行绑定(Bonding)以为显示面板提供信号,例如电源电压信号等。焊盘区的过孔连接结构的制作工艺如何不对显示区器件造成不利影响,是本领域关注的问题。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种过孔连接结构的制造方法,包括:在衬底基板上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成第一过孔;在所述第一过孔中形成连接部;在所述绝缘层的表面上形成覆盖所述连接部的保护层;在所述绝缘层和所述保护层中形成第二过孔;至少部分去除所述保护层,暴露出所述连接部。例如,所述制造方法还包括:在形成所述绝缘层之前,在所述衬底基板上形成第一接触电极和第二接触电极,所述绝缘层覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极,所述第一过孔和所述第二过孔分别至少部分暴露所述第一接触电极和所述第二接触电极,所述第一接触电极与所述连接部电连接。例如,所述第一接触电极和所述第二接触电极在所述衬底基板上的同一层中形成。例如,至少部分去除所述保护层包括:在所述保护层上涂覆第一光刻胶层,采用第一掩模板对所述第一光刻胶层曝光、显影,以形成第一刻蚀掩膜,所述第一刻蚀掩膜包括保留在所述第二过孔中的部分;采用所述第一刻蚀掩膜刻蚀所述保护层。例如,在所述绝缘层和所述保护层中形成所述第二过孔包括:在所述保护层上涂覆第二光刻胶层,采 ...
【技术保护点】
1.一种过孔连接结构的制造方法,包括:/n在衬底基板上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成第一过孔;/n在所述第一过孔中形成连接部;/n在所述绝缘层的表面上形成覆盖所述连接部的保护层;/n在所述绝缘层和所述保护层中形成第二过孔;/n至少部分去除所述保护层,暴露出所述连接部。/n
【技术特征摘要】
1.一种过孔连接结构的制造方法,包括:
在衬底基板上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成第一过孔;
在所述第一过孔中形成连接部;
在所述绝缘层的表面上形成覆盖所述连接部的保护层;
在所述绝缘层和所述保护层中形成第二过孔;
至少部分去除所述保护层,暴露出所述连接部。
2.如权利要求1所述的制造方法,还包括:在形成所述绝缘层之前,在所述衬底基板上形成第一接触电极和第二接触电极,
其中,所述绝缘层覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极,
所述第一过孔和所述第二过孔分别至少部分暴露所述第一接触电极和所述第二接触电极,
所述第一接触电极与所述连接部电连接。
3.如权利要求2所述的制造方法,其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极在所述衬底基板上的同一层中形成。
4.如权利要求1所述的制造方法,其中,至少部分去除所述保护层包括:
在所述保护层上涂覆第一光刻胶层,采用第一掩模板对所述第一光刻胶层曝光、显影,以形成第一刻蚀掩膜,所述第一刻蚀掩膜包括保留在所述第二过孔中的部分;
采用所述第一刻蚀掩膜刻蚀所述保护层。
5.如权利要求4所述的制造方法,其中,在所述绝缘层和所述保护层中形成所述第二过孔包括:
在所述保护层上涂覆第二光刻胶层,采用第二掩模板对所述第二光刻胶层曝光、显影,以形成第二刻蚀掩膜;
采用所述第二刻蚀掩膜对所述保护层和所述绝缘层进行刻蚀。
6.如权利要求5所述的制造方法,其中,所述第一掩模板和所述第二掩模板是同一掩模板或具有相同的图案,所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层采用性质相反的光刻胶材料。
7.如权利要求1所述的制造方法,其中,形成所述连接部包括:
形成在所述绝缘层上形成导电层,其中所述导电层填充所...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢鹏程,陈小川,杨盛际,黄冠达,王辉,王晏酩,王维海,秦国红,宋亚歌,李健通,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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