形成顶层导电层的方法技术

本发明专利技术提供一种形成顶层导电层的方法，包括：形成第一材料层；在所述第一材料层上形成金属层，所述金属层的厚度小于或者等于

Method of forming top conductive layer

The invention provides a method for forming a top conductive layer, which comprises: forming a first material layer; forming a metal layer on the first material layer, and the thickness of the metal layer is less than or equal to

【技术实现步骤摘要】
形成顶层导电层的方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种形成顶层导电层的方法。
技术介绍
在半导体工艺中，半导体结构上通常会形成一顶层导电层，所述顶层导电层用于后续形成顶层导电互连结构。半导体发光单元是半导体器件中的重要组成单元，半导体发光单元因其特殊的产品需要，对其顶层导电层的要求较高，具体是需要其顶层导电层的表面粗糙度小以及反射率高，所以顶层导电层的表面粗糙度及反射率是验证半导体发光单元的质量及良率的重要参数之一。但是目前在半导体工艺中，半导体发光单元中的顶层导电层存在表面粗糙度过大、反射率低的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种形成顶层导电层的方法，以解决顶层导电层的表面粗糙度过大且反射率低的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种形成顶层导电层的方法，包括：形成第一材料层；形成金属层，所述金属层覆盖所述第一材料层，所述金属层的厚度小于或者等于形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述金属层，所述第二材料层的厚度小于或者等于对所述第二材料层的表面执行灰化工艺，其中，所述第一材料层、所述金属层及所述第二材料层构成顶层导电层。可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，所述第一材料层的材质为氮化钛。可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，所述第一材料层的厚度大于或者等于可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，所述第二材料层的材质为氮化钛。可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，所述金属层的材质为铝。r>可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，采用溅射工艺形成所述金属层。可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，采用磁控溅射工艺形成所述金属层。可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，在对所述第二材料层的表面执行灰化工艺之后，还包括：刻蚀所述顶层导电层以得到顶层导电互连结构。可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，所述灰化工艺为等离子体增强灰化工艺。可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，执行所述灰化工艺的时间介于25min～30min。可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，执行所述灰化工艺时，通入介于3000sccm～5000sccm流量的氧气参与灰化反应以去除所述第二材料层的表面残余的高聚物杂质。综上，本专利技术提供了一种形成顶层导电层的方法，包括：形成第一材料层；在所述第一材料层上形成金属层，所述金属层的厚度小于或者等于在所述金属层上形成第二材料层，所述第二材料层的厚度小于或者等于以及对所述第二材料层的表面执行灰化工艺，其中，所述第一材料层、所述金属层及所述第二材料层构成顶层导电层。通过控制所述金属层及所述第二材料层的厚度，并增加一道灰化所述第二材料层的工艺，可以降低由所述第一材料层、所述金属层及所述第二材料层构成的所述顶层导电层的表面粗糙度，并提高顶层导电层的反射率，从而提高了半导体发光单元的产品良率。附图说明图1是本专利技术实施例的形成顶层导电层的方法流程图；图2-图4是本专利技术实施例的形成顶层导电层的方法的各步骤中的半导体结构示意图；其中，110-第一材料层，120-金属层，130-第二材料层。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的形成顶层导电层的方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。本专利技术提供一种形成顶层导电层的方法，参考图1，图1是本专利技术实施例的形成顶层导电层的方法流程图，所述形成顶层导电层的方法包括：S10：形成第一材料层；S20：形成金属层，所述金属层覆盖所述第一材料层，所述金属层的厚度小于或者等于S30：形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述金属层，所述第二材料层的厚度小于或者等于S40：对所述第二材料层的表面执行灰化工艺，其中，所述第一材料层、所述金属层及所述第二材料层构成顶层导电层。具体的，参考图2-图3，图2-图3是本专利技术实施例的形成顶层导电层的方法的各步骤中的半导体结构示意图。首先，如图2所示，形成第一材料层110，其中，所述第一材料层110的材质优选为氮化钛，所述第一材料层110的厚度优选大于或者等于例如，所述第一材料层110的厚度可以为或者等。然后，如图3所示，形成金属层120，所述金属层120覆盖所述第一材料层110，所述金属层120的厚度优选小于或者等于例如，所述金属层120的厚度可以为或者等。所述金属层120的设计与现有技术中金属层相比，明显本申请中的所述金属层120的厚度更薄，在形成所述金属层120后，后续还需要在所述金属层120上形成第二材料层以得到完整的顶层导电层，所述金属层120是顶层导电层的其中一层，在顶层导电层的总层数不变的基础上，所述金属层120越薄就相当于顶层金属层越薄，较薄的所述金属层120为后续形成表面粗糙度小且反射率高的顶层导电层作了良好的铺垫。在本实施例中，采用溅射工艺沉积所述金属层120，例如，采用磁控溅射工艺形成所述金属层120。优选的，所述金属层的材质为铝。采用溅射工艺形成的较薄的所述金属层120表面粗糙度小且反射率高。接着，如图4所示，形成第二材料层130，所述第二材料层130覆盖所述金属层120，所述第二材料层130的厚度优选小于或者等于例如，所述第二材料层130的厚度可以为或者等。其中，所述第二材料层130的材质为氮化钛。所述第二材料层130的设计与现有技术中的第二材料层相比，明显本申请中的所述第二材料层130的厚度更薄，所述第二材料层130是顶层导电层的其中一层，更重要的是，所述第二材料层130是顶层导电层的顶层，较薄的所述第二材料层130反射率相较于更厚的第二材料层的放射率更高，从而提高了后续形成的最终的顶层导电层的表面反射率。最后，对所述第二材料层130的表面执行灰化工艺，其中，所述第一材料层110、所述金属层120及所述第二材料层130构成顶层导电层。具体的，其中，本申请中采用等离子体增强灰化工艺对所述第二材料层130的表面进行灰化，且执行所述灰化工艺的时间介于25min～30min。执行所述灰化工艺时，通入介于3000sccm～5000sccm流量的氧气参与灰化反应以去除所述第二材料层的表面残余的高聚物杂质，通过控制所述金属层120及所述第二材料层130的厚度，并增加一道灰化所述第二材料层130的工艺，可以降低由所述第一材料层110、所述金属层120及所述第二材料层130构成的所述顶层导电层的表面粗糙度，并提高顶层导电层的反射率，从而提高了半导体发光单元的产品良率。进一步的，在对所述第二材料层130的表面执行灰化工艺之后，所述形成顶层导电层的方法还包括：刻蚀所述顶层导电层以得到顶层导电互连结构。具体的，得到顶层导电互连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成顶层导电层的方法，其特征在于，包括：/n形成第一材料层；/n形成金属层，所述金属层覆盖所述第一材料层，所述金属层的厚度小于或者等于

【技术特征摘要】
1.一种形成顶层导电层的方法，其特征在于，包括：
形成第一材料层；
形成金属层，所述金属层覆盖所述第一材料层，所述金属层的厚度小于或者等于
形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述金属层，所述第二材料层的厚度小于或者等于
对所述第二材料层的表面执行灰化工艺，其中，所述第一材料层、所述金属层及所述第二材料层构成顶层导电层。


2.根据权利要求1所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，所述第一材料层的材质为氮化钛。


3.根据权利要求1所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，所述第一材料层的厚度大于或者等于


4.根据权利要求1所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，所述第二材料层的材质为氮化钛。


5.根据权利要求1所述的形成顶层导电层的方法，其特征在于，所述金属层的材质为铝。


6.根据权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹永金，曹秀亮，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31