一种超导磁体和磁控直拉单晶设备制造技术

技术编号:21896073 阅读:42 留言:0更新日期:2019-08-17 16:10
本发明专利技术实施例提供了一种超导磁体和一种磁控直拉单晶设备。该超导磁体,包括超导开关、超导线圈、线圈骨架和低温恒温器,所述超导线圈固定于所述线圈骨架上,多个所述超导线圈相互串联。所述超导开关与所述超导线圈并联,并固定于所述线圈骨架上。所述线圈骨架置于所述低温恒温器中,所述低温恒温器带有制冷机。通过设置所述超导开关断开和闭合,实现了各超导线圈和超导开关之间电流的闭合导通,以便撤走励磁电源。本发明专利技术解决了现有磁控直拉单晶设备中超导磁体消耗电力成本和使用成本过大、生产单晶硅品质不佳、操作安全性低的问题。

A Superconducting Magnets and Magnetically Controlled Czochralski Single Crystal Equipment

【技术实现步骤摘要】
一种超导磁体和磁控直拉单晶设备
本专利技术实施例涉及半导体制造
,尤其涉及一种超导磁体和磁控直拉单晶设备。
技术介绍
单晶硅是晶体材料中的重要组成部分,广泛应用于大规模集成电路、整流器、大功率晶体管、二极管、太阳能电池板等半导体制造领域。单晶硅的生产方法一般为直拉法,直拉单晶的工艺步骤为引晶,缩颈,放肩,等径生长,收尾,出炉。而随着半导体微电子器件和大规模集成电路等器件制造技术的迅速发展,对单晶硅的品质和尺寸要求越来越高,对半导体材料单晶硅的制备要求更为严格,在此背景下,磁控直拉单晶磁体成为生产单晶硅的主流。磁控直拉单晶技术为:在常规的直拉单晶方法的基础上,在单晶炉外侧施加强磁场,对熔体的热对流进行抑制,降低晶体的杂质含量,提高纵向和径向杂质分布不均匀性,得到高品质的单晶体。随着超导技术的发展,人们发现超导磁体能够产生数倍于常规电磁铁或永磁体的磁场,可以明显降低熔体热对流对单晶品质的影响,因此越来越多的磁控直拉单晶设备配置了磁控直拉单晶超导磁体。现有技术中,用于磁控直拉单晶的超导磁体常为四线圈结构,一般采用的材料是NbTi(铌钛)超导线,也会采用MgB2(二硼化镁)制作超导磁体,包括低温容器和制冷机。采用MgB2制作超导磁体,解决了磁控直拉单晶用常导磁体系统复杂、功耗巨大、制冷成本高昂的问题。现有的用于磁控直拉单晶的超导磁体在使用时均需要励磁电源持续供电,以维持磁场的稳定存在。但由于用于大规模集成电路的硅单晶锭一般尺寸直径300mm,长约2m,其等径生长时间往往需要持续数天到一周时间,在这期间需要磁场的持续稳定,就需要励磁电源的持续供电支持,耗费了大量的电力成本,一台设备需要长时间占用一台励磁电源,也增大了使用成本。此外,励磁电源的纹波会造成磁场波动,不利于磁场的稳定性,进而影响了生产的单晶硅的品质。再者,励磁电源与电缆需要时刻与超导磁体连接,不利于单晶硅生产的空间布置和操作安全。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供一种超导磁体和磁控直拉单晶设备,以解决常规磁控直拉单晶超导磁体用电和使用成本高昂、磁场不够稳定而影响单晶品质、电源占用空间等问题。第一方面,本专利技术实施例提供了一种超导磁体,用于磁控直拉单晶制备过程,所述超导磁体:包括超导开关、超导线圈、线圈骨架和低温恒温器;其中:所述超导线圈的数量为一组或多组,固定于所述线圈骨架上,多个所述超导线圈相互串联;所述超导开关的数量为至少一个,与所述超导线圈并联,用于在所述超导线圈经过励磁电源励磁到设定磁场时闭合,以连通各所述超导线圈形成闭合回路;所述超导开关固定于所述线圈骨架的设定低磁场区域;所述线圈骨架放置于所述低温恒温器中,所述低温恒温器带有制冷机,用于制造满足设定低温条件的环境,以令所述超导线圈和所述超导开关处于超导状态。优选地,所述超导磁体还包括抱箍,所述抱箍用于固定所述超导线圈与所述线圈骨架。优选地,所述低温恒温器的结构为液氦浸泡结构,所述超导开关为加热式超导开关。优选地,所述超导开关包括:无感线圈、加热器、开关骨架和接线柱,所述无感线圈采用无感绕制方式绕制在所述开关骨架上,所述无感线圈的进线和出线与所述接线柱相连接,所述超导线圈连接于所述接线柱,所述加热器与所述无感线圈紧贴设置,并用玻璃丝布缠绕固定,所述加热器的进线和出线从所述超导磁体中引出来,并连接于外接加热电源模块,用于控制超导开关的断开和闭合。优选地,使用环氧树脂填充所述超导开关在绕制时产生的缝隙。优选地,所述开关骨架采用金属材料,其内表面贴敷一层绝缘材料。优选地,所述低温恒温器的结构也可为无液氦直接冷却结构;所述超导开关为加热式超导开关或机械式超导开关。优选地,所述超导磁体还包括:失超保护模块,与所述超导开关并联,用于在所述超导线圈失超或所述超导开关失超时,限制所述超导开关两端的电压,并作为磁场能量释放通路。优选地,所述失超保护模块包括反向并联的一组二极管。第二方面,本专利技术实施例还提供了一种磁控直拉单晶设备,包括单晶炉和超导磁体,其中,所述磁控直拉单晶设备采用本专利技术第一方面实施例所提供的超导磁体,所述超导磁体设置在所述单晶炉的外侧,用于经过励磁电源励磁到设定磁场时,闭合所述超导开关,使所述超导线圈形成磁控直拉单晶所需的磁场。本专利技术实施例提供的超导磁体和磁控直拉单晶设备,通过控制超导开关的断开和闭合,可令电流在超导开关和各超导线圈之间形成闭合回路,以撤走励磁电源,实现了在运用磁控直拉技术制备单晶时不需要励磁电源的持续供应,进而节省了电力成本和使用成本,防止了励磁电源纹波影响单晶品质,有利于单晶生产的空间布置和操作安全。附图说明图1为本专利技术实施例一中的超导磁体结构示意图;图2为本专利技术实施例二中的超导开关结构平面示意图;图3为本专利技术实施例三中的磁控直拉单晶设备的轴侧示意图。图中,1、超导线圈;2、线圈骨架;3、超导开关;4、失超保护模块;5、低温恒温器;6、制冷机;7、无感线圈;8、开关骨架;9、加热器;10、接线柱;11、单晶炉;12、单晶。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术,而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种超导磁体的结构示意图。如图1所示,该超导磁体用于磁控直拉单晶制备过程,具体包括超导开关3、超导线圈1、线圈骨架2和低温恒温器5,其中:超导线圈1的数量为一组或多组,固定于线圈骨架2上,多个超导线圈1相互串联。超导开关3的数量为至少一个,与超导线圈1并联,用于在超导线圈1经过励磁电源励磁到设定磁场时闭合,以连通各超导线圈1形成闭合回路。超导开关3固定于线圈骨架1的设定低磁场区域。线圈骨架2放置于低温恒温器5中,低温恒温器5带有制冷机6,用于制造满足设定低温条件的环境,以令超导线圈1和超导开关3处于超导状态。优选地,线圈骨架2为中空圆柱结构,表面设有圆形突起结构,以令超导线圈1绕制在线圈骨架2上。上述方案中设定低磁场区域可以为:对所采用的超导线圈1产生的磁场进行计算以确定的最低磁场区域,或用高斯计测量以确定的最低磁场区域。只要能够使超导线圈1产生的磁场,不对超导开关3的稳定运行产生影响即可。优选地,在线圈骨架2位于设定低磁场区域处设一突起结构,用于固定超导开关3。超导开关3位于设定低磁场区域可减小其载流性能的下降,使超导开关3能够安全平稳的运行。优选地,低温恒温器5为一圆环体容器,圆环体内部为中空,从外到内有三层结构,外层为常温真空容器,材质一般为不锈钢,用以维持系统真空状态;中间层为防辐射屏,材质一般为铝或铜,温度在50K以下,用以遮挡辐射热;最内层为液氦温区,容纳液氦。线圈骨架2设于低温恒温器5的液氦温区,液氦浸没超导开关3,部分浸没超导线圈1。低温恒温器5包括制冷机6,制冷机6连接冷头,制冷机6设于于真空容器外,冷头延伸至液氦温区并保持容器的密封性,用以制造超低温环境,优选降温至5K以下,以令超导线圈1和超导开关3处于超导状态。由于线圈之间存在较大的电磁力,超导线圈1与线圈骨架2之间需要采取加强措施,优选是本专利技术实施例还包括抱箍,用于固定超导线圈1与线圈骨架2,以防止电磁力较大而导致超导本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种超导磁体,用于磁控直拉单晶制备过程,其特征在于,所述超导磁体包括:超导开关、超导线圈、线圈骨架和低温恒温器;其中:所述超导线圈的数量为一组或多组,固定于所述线圈骨架上,多个所述超导线圈相互串联;所述超导开关的数量为至少一个,与所述超导线圈并联,用于在所述超导线圈经过励磁电源励磁到设定磁场时闭合,以连通各所述超导线圈形成闭合回路;所述超导开关固定于所述线圈骨架的设定低磁场区域;所述线圈骨架放置于所述低温恒温器中,所述低温恒温器带有制冷机,用于制造满足设定低温条件的环境,以令所述超导线圈和所述超导开关处于超导状态。

【技术特征摘要】
1.一种超导磁体,用于磁控直拉单晶制备过程,其特征在于,所述超导磁体包括:超导开关、超导线圈、线圈骨架和低温恒温器;其中:所述超导线圈的数量为一组或多组,固定于所述线圈骨架上,多个所述超导线圈相互串联;所述超导开关的数量为至少一个,与所述超导线圈并联,用于在所述超导线圈经过励磁电源励磁到设定磁场时闭合,以连通各所述超导线圈形成闭合回路;所述超导开关固定于所述线圈骨架的设定低磁场区域;所述线圈骨架放置于所述低温恒温器中,所述低温恒温器带有制冷机,用于制造满足设定低温条件的环境,以令所述超导线圈和所述超导开关处于超导状态。2.根据权利要求1所述的超导磁体,其特征在于:还包括抱箍,所述抱箍用于固定所述超导线圈与所述线圈骨架。3.根据权利要求1所述的超导磁体,其特征在于:所述低温恒温器的结构为液氦浸泡结构,所述超导开关为加热式超导开关。4.根据权利要求3所述的超导磁体,其特征在于:所述超导开关包括:无感线圈、加热器、开关骨架和接线柱;所述无感线圈采用无感绕制方式绕制在所述开关骨架上;所述无感线圈的进线和出线与所述接线柱相连接;所述超导线圈连接于所述接线柱;所述加热器与所述无感线圈...

【专利技术属性】
技术研发人员:汤洪明傅林坚刘黎明门玉娟
申请(专利权)人:杭州慧翔电液技术开发有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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