【技术实现步骤摘要】
本申请涉及超导磁体领域，具体涉及一种超导磁体装置。
技术介绍
1、超导磁体装置需在超低温环境下使导线进入超导状态，因此超导磁体对内部工作环境有着相当高的要求。传统的超导磁体内部的导线往往存在着失超的问题。
技术实现思路
1、经申请人研究发现，超导磁体内部的电子元器件需要连接外部电源，通常情况下会采用导线连接超导磁体内的电子元器件与外部电源。外界环境与超导磁体内部环境的温差较大，因此外部热量会通过导线传递至超导磁体内部，进而影响电子元器件的工作，极端情况下，这些漏热会使超导线失去超导状态，即失超。
2、本申请实施例提供一种超导磁体装置，可以有效解决导线失超的问题。
3、本申请实施例提供一种超导磁体装置，包括：
4、导线；
5、外部电源和内部冷区，所述导线连接所述外部电源和所述内部冷区；以及
6、制冷区，所述制冷区设置在所述外部电源和所述内部冷区之间，所述制冷区设置有制冷管；部分所述导线靠近所述制冷管设置。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，超导磁体装置还包括主体框架，所述主体框架设置在制冷区，所述主体框架上设置有容置腔，部分所述导线位于所述容置腔中。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述容置腔还包括至少一限位槽。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述主体框架的表面设置有凸台，所述容置腔设置在所述凸台上。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述主体框架外表面设置有至
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述主体框架包括至少两个子框架，至少两个所述子框架拼接设置形成所述主体框架。
12、可选的，在本申请的一些实施例中，所述子框架上设置有减重结构。
13、可选的，在本申请的一些实施例中，所述主体框架还包括固定组件，所述固定组件设置在所述主体框架本体的内壁。
14、可选的，在本申请的一些实施例中，所述固定组件还包括环形结构，所述环形结构与所述主体框架的内壁活动连接，所述环形结构的圆心与所述主体框架的中心重叠设置。
15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述主体框架和/或所述固定组件的材料包括轻质绝缘材料。
16、本申请实施例采用一种超导磁体装置，包括：导线、外部电源、内部冷区和制冷区，导线连接外部电源和内部冷区；制冷区设置在所述外部电源和所述内部冷区之间，所述制冷区设置有制冷管；部分导线靠近所述制冷管设置。在本申请实施例中，采用制冷区来冷却导线，减少通过导线传递至内部冷区的热量，解决了传统超导磁体装置导线内部失超的问题。
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1.一种超导磁体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超导磁体装置，其特征在于，还包括主体框架，所述主体框架设置在制冷区，所述主体框架上设置有至少一容置腔，部分所述导线位于所述容置腔中。
3.根据权利要求2所述的超导磁体装置，其特征在于，所述容置腔还包括至少一限位槽。
4.根据权利要求2所述的超导磁体装置，其特征在于，所述主体框架的表面设置有凸台，所述容置腔设置在所述凸台上。
5.根据权利要求2所述的超导磁体装置，其特征在于，所述主体框架外表面设置有至少一冷却区，所述容置腔设置在所述冷却区，部分所述导线绕设在所述冷却区。
6.根据权利要求2所述的超导磁体装置，其特征在于，所述主体框架包括至少两个子框架，至少两个所述子框架拼接设置形成所述主体框架。
7.根据权利要求6所述的超导磁体装置，其特征在于，所述子框架上设置有减重结构。
8.根据权利要求2所述的超导磁体装置，其特征在于，所述主体框架还包括固定组件，所述固定组件设置在所述主体框架本体的内壁。
9.根据权利要求9所述的超导
10.根据权利要求8所述的超导磁体装置，其特征在于，所述主体框架和/或所述固定组件的材料包括轻质绝缘材料。
...【技术特征摘要】
1.一种超导磁体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超导磁体装置，其特征在于，还包括主体框架，所述主体框架设置在制冷区，所述主体框架上设置有至少一容置腔，部分所述导线位于所述容置腔中。
3.根据权利要求2所述的超导磁体装置，其特征在于，所述容置腔还包括至少一限位槽。
4.根据权利要求2所述的超导磁体装置，其特征在于，所述主体框架的表面设置有凸台，所述容置腔设置在所述凸台上。
5.根据权利要求2所述的超导磁体装置，其特征在于，所述主体框架外表面设置有至少一冷却区，所述容置腔设置在所述冷却区，部分所述导线绕设在所述冷却区。
6.根据权利要求2所述的超导...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘赛波，苏小海，牛加振，刘统亮，张海栋，郑国栋，刘黎明，许皆平，朱根强，吕志浩，张锋，
申请(专利权)人：杭州慧翔电液技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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