The utility model discloses a high-speed switching diode chip, which has a circular cross-section, including: a substrate on which an epitaxy layer is grown; the upper surface of the epitaxy layer is a first oxide layer, and the photolithographic annular partition groove on the first oxide layer. The partition groove is a diffusion zone, and the outer surface of the partition groove is a truncation ring; and the upper surface of the first oxide layer is a first cut-off ring. The photolithographic lead hole on the dioxide layer extends to the upper surface of the second oxide layer and is provided with an aluminium evaporation layer. The utility model can make the switching time of the high-speed switch diode less than 5 ns, the breakdown voltage greater than 100V, and the reverse leakage current less than 25nA.
【技术实现步骤摘要】
一种高速开关二极管芯片
本技术属于二极管芯片制造
,尤其涉及一种高速开关二极管芯片。
技术介绍
开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点,广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。针对于开关二极管,最重要的特点是高频条件下的表现。高频条件下,二极管的势垒电容表现出来极低的阻抗,并且与二极管并联。当这个势垒电容本身容值达到一定程度时,就会严重影响二极管的开关性能。因此开关二极管的速度是影响二极管性能的主要指标。依据开关二极管的用途,因此其独特的功能,无法被击穿电路等取代。随着电路技术要求的发展,高速开关二极管芯片的需求也越来越多。
技术实现思路
为克服上述现有技术的不足,本技术提供了一种高速开关二极管芯片,其具有版图设计简单、工艺制程方便、具有普及性,且具有关断时间小的效果。为实现上述目的,本技术的一个或多个实施例提供了如下技术方案:一种高速开关二极管芯片,所述芯片横截面为圆形,包括:衬底,所述衬底上表面生长有外延层;所述外延层上表面为第一氧化层,所述第一氧化层上光刻环形隔断槽,所述隔断槽内为扩散区,所述隔断槽外为截断环;所述第一氧化层上表面为第二氧化层,所述第二氧化层上光刻引线孔;所述光刻引线孔内延伸至第二氧化层上表面设有蒸铝层。进一步地,所述衬底的材料选择<111>为晶向,电阻率为0.006Ω·cm~0.008Ω·cm的低阻硅单晶片。进一步地,所述外延层的材料选择生长有厚度8μm~12μm、掺杂浓度Nc=1.7~1.8×1015/cm3外延层的硅晶片。进一步地,所述的扩散结深最大为3μm。进一步地,所述 ...
【技术保护点】
1.一种高速开关二极管芯片,其特征在于,所述芯片横截面为圆形,包括:衬底,所述衬底上表面生长有外延层;所述外延层上表面为第一氧化层,所述第一氧化层上光刻环形隔断槽,所述隔断槽内为扩散区,所述隔断槽外为截断环;所述第一氧化层上表面为第二氧化层,所述第二氧化层上光刻引线孔;所述光刻引线孔内延伸至第二氧化层上表面设有蒸铝层。
【技术特征摘要】
1.一种高速开关二极管芯片,其特征在于,所述芯片横截面为圆形,包括:衬底,所述衬底上表面生长有外延层;所述外延层上表面为第一氧化层,所述第一氧化层上光刻环形隔断槽,所述隔断槽内为扩散区,所述隔断槽外为截断环;所述第一氧化层上表面为第二氧化层,所述第二氧化层上光刻引线孔;所述光刻引线孔内延伸至第二氧化层上表面设有蒸铝层。2.如权利要求1所述的一种高速开关二极管芯片,其特征在于,所述衬底的材料选择<111>为晶向,电阻率为0.006Ω·cm~0.008Ω·cm的低阻硅单晶片。3.如权利要求1所述的一种高速开关二极管芯片,其特征在于,所述外延层的材料选择生长有厚度8μm~12μm、掺杂浓度Nc=1.7~1.8×1015/cm3外延层的硅晶片。4.如权利要求1所述的一种高速开关二极管芯片,...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵志桓,巩光昊,张礼,王传超,潘莹月,刘伟丽,郭英华,刘彩虹,王春凤,唐雪娇,
申请(专利权)人:山东农业工程学院,
类型:新型
国别省市:山东,37
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