一种降低SSD误码率的数据编码方法及其系统技术方案

本发明专利技术涉及一种降低SSD误码率的数据编码方法及其系统；其中，降低SSD误码率的数据编码方法，包括以下步骤：S1，将数据输入到原始数据；S2，将数据按照设定的规则进行分段；S3，根据调整规则，在每个数据段前面插入控制位；S4，根据控制位对源数据进行调整；S5，将调制后的数据写入NAND。本发明专利技术针对容易出错的电压分布区域，通过动态调节数据编码的方式，改变NAND Cell在不同电压区间的分布,降低了容易出错的电压区间的Cell分布，进而降低数据出错的概率，能够更好地满足需求。

【技术实现步骤摘要】
一种降低SSD误码率的数据编码方法及其系统
本专利技术涉及固态硬盘读设计
，更具体地说是指一种降低SSD误码率的数据编码方法及其系统。
技术介绍
SSD(固态硬盘)已经被广泛应用于各种场合，由于其在性能、功耗、环境适应性等方面的优秀指标，正逐步替换传统的硬盘。由于NAND的物理特性，其存储数据的CELL单元存在不同的失效场景：例如随着擦写次数/读取次数/数据保存时间等因素的影响，其CELL的状态会产生翻转，进而导致NAND内存储的数据出错。典型地，SSD内部由专门的ECC纠错算法来处理一定范围内的错误，但是随着错误数据的积累，会需要引入特定的电压偏移的方式来读取数据，这会极大地影响读写性能；进一步地，随着错误数据的增加，以上的方法无法再保证数据纠错，进而导致用户数据丢失，因此无法满足需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种降低SSD误码率的数据编码方法及其系统。为实现上述目的，本专利技术采用于下技术方案：一种降低SSD误码率的数据编码方法，包括以下步骤：S1，将数据输入到原始数据；S2，将数据按照设定的规则进行分段；S3，根据调整规则，在每个数据段前面插入控制位；S4，根据控制位对源数据进行调整；S5，将调制后的数据写入NAND。其进一步技术方案为：所述S1中，所述数据的每两个bit代表一个cell的状态，从而映射到一个物理页中的Cell电压分布。其进一步技术方案为：所述S2中，所述设定的规则为以4个bit,即2个Cell的值，将数据进行分段。其进一步技术方案为：所述S3中，所述调整规则为1代表该数据段数据将会被取反，0代表保持不变。其进一步技术方案为：所述S4中，所述调整将控制位为1的数据段按位取反。一种降低SSD误码率的数据编码系统，包括：输入单元，分段单元，插入单元，调整单元，及写入单元；所述输入单元，用于将数据输入到原始数据；所述分段单元，用于将数据按照设定的规则进行分段；所述插入单元，用于根据调整规则，在每个数据段前面插入控制位；所述调整单元，用于根据控制位对源数据进行调整；所述写入单元，用于将调制后的数据写入NAND。其进一步技术方案为：所述输入单元中，所述数据的每两个bit代表一个cell的状态，从而映射到一个物理页中的Cell电压分布。其进一步技术方案为：所述分段单元中，所述设定的规则为以4个bit,即2个Cell的值，将数据进行分段。其进一步技术方案为：所述插入单元中，所述调整规则为1代表该数据段数据将会被取反，0代表保持不变。其进一步技术方案为：所述调整单元中，所述调整将控制位为1的数据段按位取反。本专利技术与现有技术相比的有益效果是：针对容易出错的电压分布区域，通过动态调节数据编码的方式，改变NANDCell在不同电压区间的分布,降低了容易出错的电压区间的Cell分布，进而降低数据出错的概率，能够更好地满足需求。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步描述。附图说明图1为NAND的物理组成示意图；图2为现有技术中NAND在一般场景下的电压分布示意图；图3为现有技术中NAND在电压右移后分布示意图；图4为本专利技术一种降低SSD误码率的数据编码方法的流程图；图5为一种降低SSD误码率的数据编码方法的应用示意图；图6为调整后的电压分布示意图；图7为写入NAND后，电压右移后分布示意图；图8为本专利技术一种降低SSD误码率的数据编码系统的方框图。10输入单元20分段单元30插入单元40调整单元50写入单元具体实施方式为了更充分理解本专利技术的
技术实现思路
，下面结合具体实施例对本专利技术的技术方案进一步介绍和说明，但不局限于此。如图1到图8所示的具体实施例，其中，如图1所示，典型的NAND组成如下：DIE，可独立并发操作的单元；Block，可独立擦除的单元，其内各个物理位置的数据写入后在下一次写之前必须要将整个Block擦除；Page，读写单元，同一物理块内的Page必需按顺序编程:0->1->2->3…。其中，如图2至图3所示，NAND在各个场景下的电压分布：以MLC(闪存)为例，每个CELL对应四个可能的状态:A/B/C/D,其中A为默认的擦除后的状态，B/C/D,分别为Program到某个状态；一般情形下，处于某个状态下的Cell数量呈正态分布，且彼此之间间隔比较清晰；在读取时，通过与Vref_A/Vref_B/Vref_C参考电压的比较，即可确认某个Cell所处的状态，进而可得知其存储的值；当某个物理块中的某些页反复被读取时，会导致ReadDisturb(读取扰动)效应，整体电压分布会右移，此时部分状态的电压分布会出现重合，使用默认的参考电压读取时，无法正确判断Cell的状态；此时需要尝试调整参考电压的位置到Vref_A’/Vref_B’/Vref_C’,尝试读取数据；该尝试过程会导致读性能的降低，并且如果电压偏移过大，则可能无法找到合适的参考电压，进而无法获取正确的数据。在现有的SSD产品中，NAND的数据存储是靠Cell不同状况来进行的，以MLC为例，每个Cell对应两个bit,可以分别编程为0/1,组合起来即可表示00,01,10,11四个值，而这四个值可关联到不同的电压分布；数据的读取，是靠不同电压分布中的参考电压进行比较来判别数据为0还是1的；当数据写入后，一般都会将数据随机化，使得各个电压范围内的cell数量一致；并且在早期，各个电压分布之间的间隔很大，可以很容易区分0/1，所以数据总能正确地读取；但在某些场景下，例如对于反复读取的数据来说，由于ReadDisturb的问题，导致物理块内的电压分布右移。这种情形下，NAND读取的默认电压都不能正确读回正确数据，需要尝试移动Vref电压来读取数据，大大降低了读性能；进一步地，当电压偏移较大时，使得数据不可纠错，从而导致数据丢失。如图4至图7所示，本专利技术公开了一种降低SSD误码率的数据编码方法，包括以下步骤：S1，将数据输入到原始数据；S2，将数据按照设定的规则进行分段；S3，根据调整规则，在每个数据段前面插入控制位；S4，根据控制位对源数据进行调整；S5，将调制后的数据写入NAND。其中，在所述S1中，所述数据的每两个bit代表一个cell的状态，从而映射到一个物理页中的Cell电压分布。其中，在所述S2中，所述设定的规则为以4个bit,即2个Cell的值，将数据进行分段。其中，在所述S3中，所述调整规则为1代表该数据段数据将会被取反，0代表保持不变。其中，在所述S4中，所述调整将控制位为1的数据段按位取反。其中，通过上述的方法，降低了容易出错的B：01状态的Cell分布，通过降低了原始数据中的01值，在写入NAND后，B状态的Cell分布大大减少；当发生电压偏移后，容易出错的B状态与C状态的重叠部分大大降低，进而降低了数据不可纠的概率。相应地，当读取数据时，按照固定的数据段以及控制位信息，进行相应的数据翻转，然后再ECC(错误检查和纠正)解码。其中，在传统SSD中，在数据写入NAND之前都会进行随机化，使得类似MLC的四个电压分布为均等的。通过对NAND的失效模型进行分析后，可以看到某些区域比较容易出现电压分布的重合，而这些区域正是错误数据的来源；而本专利技术通过改变写入到NAND上的数据值，即本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低SSD误码率的数据编码方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将数据输入到原始数据；S2，将数据按照设定的规则进行分段；S3，根据调整规则，在每个数据段前面插入控制位；S4，根据控制位对源数据进行调整；S5，将调制后的数据写入NAND。

【技术特征摘要】
1.一种降低SSD误码率的数据编码方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将数据输入到原始数据；S2，将数据按照设定的规则进行分段；S3，根据调整规则，在每个数据段前面插入控制位；S4，根据控制位对源数据进行调整；S5，将调制后的数据写入NAND。2.根据权利要求1所述的一种降低SSD误码率的数据编码方法，其特征在于，所述S1中，所述数据的每两个bit代表一个cell的状态，从而映射到一个物理页中的Cell电压分布。3.根据权利要求1所述的一种降低SSD误码率的数据编码方法，其特征在于，所述S2中，所述设定的规则为以4个bit,即2个Cell的值，将数据进行分段。4.根据权利要求1所述的一种降低SSD误码率的数据编码方法，其特征在于，所述S3中，所述调整规则为1代表该数据段数据将会被取反，0代表保持不变。5.根据权利要求1所述的一种降低SSD误码率的数据编码方法，其特征在于，所述S4中，所述调整将控制位为1的数据段按位取反。6.一种降低SSD误码率的数据编码系统，其特征在于，包括：输...

【专利技术属性】
技术研发人员：王猛，徐伟华，
申请(专利权)人：深圳忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44