阵列基板及制作方法、显示面板技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，提出一种阵列基板及制作方法、显示面板，该阵列基板包括用于形成晶体管的有源层和栅极层，阵列基板还包括：绝缘层和电极层。绝缘层设置于所述栅极层的上方；电极层设置于所述绝缘层的上方，包括多个功能区；其中，所述绝缘层位于所述功能区位置具有预设深度的开槽。本公开提供的阵列基板制作方法通过在绝缘层设置开槽的方式能够控制不同功能区与有源层或栅极层之间的电容的大小。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及制作方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及制作方法、显示面板。
技术介绍
阵列基板一般包括有用于形成晶体管的有源层和栅极层，栅极层上设置有与其绝缘的电极层。电极层包括多个功能区，每个功能区具有不同的功能。例如，电极层可以包括第一功能区、第二功能区以及其他功能区，该第一功能区与有源层形成的电容可以减小显示串扰问题；第二功能区可以与栅极层形成储蓄电容；其他功能区具有其他特定的功能。相关技术中，该阵列基板的制作方法一般是在栅极层上形成绝缘层，并在该绝缘层上形成电极层。由于电极层中的其他功能区与有源层形成的寄生电容会影响显示效果，相关技术中通常会设置厚度较大的绝缘层以减小其他功能区与有源层之间的寄生电容。然而，较大厚度的绝缘层会减小第一功能区与有源层之间的电容，从而降低第一功能区改善显示串扰的效果。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分专利技术的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及制作方法、显示面板。该阵列基板可以解决相关技术中，较大厚度的绝缘层会降低第一功能区改善显示串扰效果的技术问题。本专利技术的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。根据本专利技术的一个方面，提供一种阵列基板，包括用于形成晶体管的有源层和栅极层，述阵列基板还包括：绝缘层和电极层。绝缘层设置于所述栅极层的上方；电极层设置于所述绝缘层的上方，包括多个功能区；其中，所述绝缘层位于所述功能区位置具有预设深度的开槽。本专利技术的一种示例性实施例中，多个所述功能区包括第一功能区；其中，所述绝缘层位于所述第一功能区位置具有第一预设深度的开槽，以使所述第一功能区与所述有源层之间具有第一预设大小的电容。本专利技术的一种示例性实施例中，多个所述功能区还包括第二功能区，所述绝缘层位于所述第二功能区位置具有第二预设深度的开槽，以使所述第二功能区与所述栅极层之间具有第二预设大小的电容。本专利技术的一种示例性实施例中，多个所述功能区还包括其他功能区。根据本专利技术的一个方面，提供一种阵列基板制作方法，所述阵列基板包括用于形成晶体管的有源层和栅极层，所述栅极层上方设置有与其绝缘的电极层，所述电极层包括多个功能区，所述方法包括：在所述栅极层上形成绝缘材料层；对所述绝缘材料层进行刻蚀以在所述功能区所在位置形成预设深度的开槽；在所述绝缘材料层上形成所述电极层。本专利技术的一种示例性实施例中，多个所述功能区包括第一功能区，对所述绝缘材料层进行刻蚀以在所述功能区所在位置形成预设深度的开槽，包括：对所述绝缘材料层进行刻蚀以在所述第一功能区所在位置形成第一预设深度的开槽，以使所述第一功能区与所述有源层之间具有第一预设大小的电容。本专利技术的一种示例性实施例中，多个所述功能区还包括第二功能区，对所述绝缘材料层进行刻蚀以在所述功能区所在位置形成预设深度的开槽，包括：对所述绝缘材料层进行刻蚀以在所述第二功能区所在位置形成第二预设深度的开槽，以使所述第二功能区与所述有源层之间具有第二预设大小的电容。本专利技术的一种示例性实施例中，对所述绝缘材料层进行刻蚀以在所述第一功能区位置形成第一预设深度的开槽，包括：在所述绝缘材料层上形成光刻胶层；利用曝光、显影、刻蚀工艺在所述绝缘材料层上形成第一预设深度的所述开槽。本专利技术的一种示例性实施例中，在所述绝缘材料层上形成所述电极层，包括：在所述绝缘材料层上形成电极材料层；利用构图工艺将所述电极材料层形成所述电极层。根据本专利技术的一个方面，提供一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板。本专利技术提供一种阵列基板及制作方法、显示面板。该阵列基板包括用于形成晶体管的有源层和栅极层，述阵列基板还包括：绝缘层和电极层。绝缘层设置于所述栅极层的上方；电极层设置于所述绝缘层的上方，包括多个功能区；其中，所述绝缘层位于所述功能区位置具有预设深度的开槽。一方面，本公开提供的阵列基板通过在绝缘层设置开槽的方式在功能区形成预设深度的开槽，从而控制不同功能区与有源层或栅极层之间的电容的大小；另一方面，该阵列基板制作方法不会影响电极层中第一功能区以外区域的特性。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为相关技术中阵列基板的结构示意图；图2为本公开阵列基板一种示例性实施例的结构示意图；图3为本公开阵列基板另一种示例性实施例的结构示意图；图4为本公开阵列基板另一种示例性实施例的结构示意图；图5为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例的流程图；图6-9为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例中制作流程的结构示意图；图10-12为本公开阵列基板制作方法另一种示例性实施例中制作流程的结构示意图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本专利技术将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”“左”“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。如图1所示，为相关技术中阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括基板11、设置于基板11上的缓冲层12、设置于缓冲层12上的有源层13，设置于有源层13上的第一绝缘层14、设置于第一绝缘层14上的栅极层15、设置于栅极层15上的第二绝缘层16以及设置第二绝缘层16上的电极层，该电极层可以包括第一功能区171、第二功能区172以及其他功能区173。其中，该第一功能区171与有源层形成的电容可以减小显示串扰问题；第二功能区172可以与栅极层形成储蓄电容；其他功能区173具有其他特定的功能。由于电极层中的其他功能区173与有源层13形成的寄生电容会影响显示效果，相关技术中通常会设置厚度较大的第二绝缘层16以减小其他功能区173与有源层13之间的寄生电容。然而，较大厚度的第二绝缘层16会减小第一功能区171与有源层13之间的电容，从而降低第一功能区171改善显示串扰的效果。同时，较大厚度的第二绝缘层16也会减小第二功能区17本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括用于形成晶体管的有源层和栅极层，其特征在于，所述阵列基板还包括：绝缘层，设置于所述栅极层的上方；电极层，设置于所述绝缘层的上方，包括多个功能区；其中，所述绝缘层位于所述功能区位置具有预设深度的开槽。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括用于形成晶体管的有源层和栅极层，其特征在于，所述阵列基板还包括：绝缘层，设置于所述栅极层的上方；电极层，设置于所述绝缘层的上方，包括多个功能区；其中，所述绝缘层位于所述功能区位置具有预设深度的开槽。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述功能区包括第一功能区；其中，所述绝缘层位于所述第一功能区位置具有第一预设深度的开槽，以使所述第一功能区与所述有源层之间具有第一预设大小的电容。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述功能区还包括第二功能区，所述绝缘层位于所述第二功能区位置具有第二预设深度的开槽，以使所述第二功能区与所述栅极层之间具有第二预设大小的电容。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述功能区还包括其他功能区。5.一种阵列基板制作方法，所述阵列基板包括用于形成晶体管的有源层和栅极层，所述栅极层上方设置有与其绝缘的电极层，所述电极层包括多个功能区，其特征在于，所述方法包括：在所述栅极层上形成绝缘材料层；对所述绝缘材料层进行刻蚀以在所述功能区所在位置形成预设深度的开槽；在所述绝缘材料层上形成所述电极层。6.根据权利要求5所述的阵列基板制作方...

【专利技术属性】
技术研发人员：张倩倩，刘亮亮，彭利满，刘祺，吴岩，张国苹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11