一种显示基板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种显示基板，涉及显示技术领域，以降低封装薄膜边缘拐角处的应力。所述显示基板包括衬底基板，以及覆盖于所述衬底基板一侧的封装薄膜，所述封装薄膜的边缘拐角处为圆角。本实用新型专利技术提供的显示基板通过将封装薄膜的边缘拐角处设置为圆角，有利于降低封装薄膜边缘拐角处的应力，防止封装薄膜破裂而发生水、氧侵入的情况，具有良好的密封效果，增加了显示装置的使用寿命。

A Display Substrate and Display Device

The utility model discloses a display substrate, which relates to the display technology field, in order to reduce the stress at the edge corner of the packaging film. The display substrate comprises a substrate substrate and a packaging film covering one side of the substrate substrate, with rounded corners at the edge corner of the packaging film. The display substrate provided by the utility model can reduce the stress at the edge corner of the packaging film by setting the edge corner of the packaging film to a round corner, prevent the water and oxygen intrusion caused by the rupture of the packaging film, have good sealing effect and increase the service life of the display device.

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板和显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板和显示装置。
技术介绍
有机电致发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示装置与液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)相比，具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高等优点，而有望成为取代LCD的下一代新型平面显示器。由于有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，AMOLED)的电极以及有机层容易受到水、氧的侵蚀导致其寿命降低，因此需要对AMOLED显示面板进行封装。其中，薄膜封装(ThinFilmEncapsulation，TFE)为最常用的封装方式之一。通常，封装薄膜设置在AMOLED显示装置的边框区中，以实现阻隔外界水、氧的作用。相关技术中，显示装置中封装薄膜的形状与矩形显示装置的形状相适应，在显示装置的拐角处，封装薄膜为直角拐角，其容易因局部应力过大而产生破裂，从而导致外界水、氧侵入显示装置内部，影响显示装置的使用寿命。
技术实现思路
针对上述现有技术中所存在的问题，本技术的实施例提供一种显示基板和显示装置，以防止因封装薄膜产生破裂而导致外界水、氧侵入的问题。为了实现上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，本技术的实施例提供一种显示基板，包括衬底基板，所述显示基板还包括覆盖于所述衬底基板一侧的封装薄膜，所述封装薄膜的边缘拐角处为圆角。与现有技术相比，本技术提供的显示基板通过将封装薄膜的边缘拐角处设置为圆角，有利于降低封装薄膜边缘拐角处的应力，防止封装薄膜破裂而发生水、氧侵入的情况，具有良好的密封效果，增加了显示装置的使用寿命。可选的，所述封装薄膜的边缘拐角处的圆角的半径RF满足：RF＝L×α1；其中，L为所述显示基板的对角线长度；α1为系数，0.001≤α1≤0.004。可选的，所述显示基板还包括设置于所述衬底基板一侧的至少一个阻挡坝，所述至少一个阻挡坝与所述封装薄膜设置于所述衬底基板的同一侧；所述封装薄膜包括至少一个有机薄膜层，所述至少一个阻挡坝围绕所述至少一个有机薄膜层设置，用于阻挡所述有机薄膜层；所述至少一个阻挡坝的拐角处为圆角。可选的，所述有机薄膜层的厚度为1～20μm。可选的，所述至少一个阻挡坝的拐角处的圆角的半径Rd满足：Rd＝L×α2；其中，L为所述显示基板的对角线长度；α2为系数，0.001≤α2≤0.004。可选的，所述封装薄膜还包括至少两层无机薄膜层；所述无机薄膜层与所述有机薄膜层间隔层叠设置，且所述封装薄膜中，与所述衬底基板距离最近和与所述衬底基板距离最远的薄膜层均为无机薄膜层；所述至少两层无机薄膜层覆盖所述至少一个阻挡坝。可选的，所述无机薄膜层的厚度为0.1～1μm。可选的，所述显示基板包括第一阻挡坝和第二阻挡坝，所述第二阻挡坝设置于所述第一阻挡坝的外围。可选的，所述第一阻挡坝的拐角处的圆角半径为200～280μm，所述第二阻挡坝的拐角处的圆角半径为300～360μm，所述封装薄膜的边缘拐角处的圆角半径为360～440μm。可选的，所述第一阻挡坝和所述第二阻挡坝的宽度为10～100μm，高度为3.5～6μm。第二方面，基于上述显示基板的技术方案，本技术的实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面所述的显示基板。本技术实施例所提供的显示装置所能实现的有益效果，与第一方面所提供的显示基板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本技术实施例中显示基板的剖面图；图2为本技术实施例中显示基板的示意图；图3为本技术实施例中显示基板的边缘拐角处局部放大图。附图标记：1-衬底基板，2-缓冲层，31-有源层，32-源极，33-漏极，34-栅极，35-栅级绝缘层，36-层间绝缘层，4-钝化层，5-平坦化层，6-像素界定层，7-封装薄膜，711-第一无机薄膜层，712-第二无机薄膜层，72-有机薄膜层，8-阻挡坝，81-第一阻挡坝，82-第二阻挡坝，9-显示基板。具体实施方式下面将结合本技术申请实施例中的附图，对本技术申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术申请保护的范围。请参阅图1，本技术实施例提供的显示基板9，包括衬底基板1，以及覆盖于衬底基板1一侧的封装薄膜7，如图2所示，封装薄膜7的边缘拐角处为圆角。与现有技术相比，本技术提供的显示基板9通过将封装薄膜7的边缘拐角处设置为圆角，与直角或者尖角相比，有利于降低封装薄膜7边缘拐角处的应力，防止封装薄膜7破裂而发生水、氧侵入的情况，具有良好的密封效果，增加了显示装置的使用寿命。如图1所示，上述显示基板9可以包括衬底基板1、形成于衬底基板1上的缓冲层2，以及制作于该缓冲层2上呈阵列排布的像素电路。该像素电路中包括多个薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)和电容。本申请对薄膜晶体管的类型可以不做限定。例如，上述薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管，以图1所示薄膜晶体管为例，该薄膜晶体管包括有源层31、栅极34、分别与有源层31连接的源极32和漏极33，以及隔离栅极34与有源层31的栅极绝缘层35、隔离栅极34与源极32和漏极33的层间绝缘层36(InterLevelDielectric，ILD)。此外，上述衬底基板1上还形成有依次覆盖像素电路的钝化层4、平坦化层5(PIN)和像素界定层6(PixelDefinitionLayer，PDL)。在此基础上，上述像素界定层6上形成有开孔，每个开孔内形成有OLED器件的有机功能层(或者有机发光二极管，EL)。该有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层等。其中，上述有机发光层可以为红色(R)有机发光层、绿色(G)有机发光层或者蓝色(B)有机发光层。又或者，当上述显示基板9中设置有彩色滤光层时，上述有机发光层还可以为白色有机发光层。封装薄膜7覆盖在OLED器件之上，且封装薄膜7的宽度越宽，越有利于防止水氧侵入发光器件。如图3所示，在一些实施例中，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角的半径RF满足：RF＝L×α1；其中，L为显示基板9的对角线长度；α1为系数，0.001≤α1≤0.004。示例性的，显示基板9的对角线长度L为200mm，α1取值0.001，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角的半径RF可以为200μm；或者，显示基板9的对角线长度L为150mm，α1取值0.002，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角的半径RF本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，包括衬底基板，其特征在于，所述显示基板还包括覆盖于所述衬底基板一侧的封装薄膜，所述封装薄膜的边缘拐角处为圆角。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括衬底基板，其特征在于，所述显示基板还包括覆盖于所述衬底基板一侧的封装薄膜，所述封装薄膜的边缘拐角处为圆角。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述封装薄膜的边缘拐角处的圆角的半径RF满足：RF＝L×α1，其中，L为所述显示基板的对角线长度；α1为系数，0.001≤α1≤0.004。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置于所述衬底基板一侧的至少一个阻挡坝，所述至少一个阻挡坝与所述封装薄膜设置于所述衬底基板的同一侧；所述封装薄膜包括至少一个有机薄膜层，所述至少一个阻挡坝围绕所述至少一个有机薄膜层设置，用于阻挡所述有机薄膜层；所述至少一个阻挡坝的拐角处为圆角。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述有机薄膜层的厚度为1～20μm。5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个阻挡坝的拐角处的圆角的半径Rd满足：Rd＝L×α2，其中，L为所述显示基板的对角线长度；α2为系数，0.001≤α2≤0.004。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙春平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11