感光器件及其制备方法、显示基板、光强度的检测方法技术

本发明专利技术提供一种感光器件及其制备方法、显示基板、光强度的检测方法，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的感光器件检测的光强的准确性差的问题。本发明专利技术的一种感光器件，包括：衬底；位于衬底上的双栅晶体管，双栅晶体管包括第一栅极和第二栅极；用于感光的感光结构，其包括：感光结构层，能够接收外界光线并根据光照强度不同产生相应电荷；分别与感光结构层连接的第一极和第二极，第一极与第一栅极连接。

Photosensitive devices and their preparation methods, display substrates and detection methods of light intensity

【技术实现步骤摘要】
感光器件及其制备方法、显示基板、光强度的检测方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种感光器件及其制备方法、显示基板、光强度的检测方法。
技术介绍
近年来，随着科学技术的高速发展，具有感光器件的产品逐渐进入人们的生活工作中，例如触控移动终端、指纹识别、脉搏检测等。如图1所示，现有技术中的一种感光器件主要包括感光结构91和晶体管92，感光结构91的一个电极911与晶体管92的源极921连接。其中，感光结构91能够接收外界光线并根据光照强度不同产生不同的电流，并通过该晶体管92输出来用于控制发光器件或者其他器件。然而，由于感光结构91中感光结构层本身的性质，其接收的不同强度的光照产生的电流的差别不大，因此根据该电流测试出的光强的准确度差。
技术实现思路
本专利技术至少部分解决现有的感光器件检测的光强的准确性差的问题，提供一种能够通过光强产生的电流准确的测试出该光强的感光器件。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种感光器件，包括：衬底；位于所述衬底上的双栅晶体管，所述双栅晶体管包括第一栅极和第二栅极；用于感光的感光结构，其包括：感光结构层，能够接收外界光线并根据光照强度不同产生相应电荷；分别与所述感光结构层连接的第一极和第二极，所述第一极与所述第一栅极连接。进一步优选的是，所述双栅晶体管还包括：位于所述衬底上的第一电极，所述第一电极具有两个间隔的连接区以及位于两所述连接区之间的非连接区；位于所述第一电极远离所述衬底一侧、且至少覆盖所述非连接区的第一介质层，在所述连接区处无第一介质层；位于所述第一介质层远离所述衬底一侧、且位于非连接区的第二电极；位于所述第二电极远离所述衬底一侧的有源层，所述有源层覆盖所述第二电极，所述有源层在两个所述连接区与所述第一电极连接；位于所述有源层远离所述衬底一侧的第二介质层；所述第一栅极和所述第二栅极位于所述第二介质层远离所述衬底一侧，且分别对应所述第一电极的两个所述连接区与非连接区的交界。进一步优选的是，所述第一极与所述第一栅极同层设置且连为一体。进一步优选的是，所述感光结构层位于所述第一极远离所述衬底一侧；所述第二极位于所述感光结构层远离所述衬底一侧。进一步优选的是，该感光器件还包括：位于所述第一栅极和所述第一极远离所述衬底一侧的平坦化层，所述平坦化层具有开口，所述感光结构层通过所述开口与所述第一极连接。进一步优选的是，所述第一栅极和第二栅极同层设置。进一步优选的是，所述感光结构层为PIN结，所述PIN结包括叠置的P型层、本征层、N型层，所述第一极和第二极中的一者与所述P型层连接，另一者与所述N型层连接。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种感光器件的制备方法，所述感光器件为上述的感光器件，所述方法包括：在所述衬底上形成所述双栅晶体管和所述感光结构。进一步优选的是，所述在所述衬底上形成双栅晶体管包括：在所述衬底上依次形成所述第一电极、第一介质层、第二电极、有源层、第二介质层、第一栅极和第二栅极。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括：上述的感光器件；显示器件，所述显示器件包括驱动晶体管以及与所述驱动晶体管的漏极连接的发光结构。进一步优选的是，该显示基板还包括：像素限定层，用于限定出发光区；所述发光结构为有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述发光区中。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种光强度的检测方法，所述检测方法是上述的感光器件完成的，所述方法包括：向所述双栅晶体管的所述第二栅极、第一电极和第二电极，以及所述感光结构的第二极输入定压信号；检测所述第一电极和第二电极之间的电流，以确定所述感光结构所接收的光强度。附图说明图1为现有的感光器件的结构示意图；图2为本专利技术的实施例的一种感光器件的结构示意图；图3a-c为本专利技术的实施例的一种感光器件各个形成步骤中的结构示意图；图4a为本专利技术的感光器件的双栅晶体管的第一栅极的电压、第二栅的电压以及电流曲线关系；图4b为本专利技术的感光器件的双栅晶体管的第一栅极的电压、第二栅的电压以及电流曲线关系；图5为本专利技术的双栅晶体管的阈值电压与第一栅极的电压的曲线关系；图6为本专利技术的实施例的一种显示基板的结构示意图。其中，附图标记为：91感光结构；911电极；92晶体管；921源极；11衬底；12第一栅极；13第二栅极；14感光结构层；15a第一极；15b第二极；16a第一电极；16b第二电极；17a第一介质层；17b第二介质层；18有源层；19平坦化层；21驱动晶体管；22发光结构；23像素限定层；30供电线。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。在本专利技术中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离相等，也不代表它们与基底间的其它层结构完全相同。在本专利技术中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。实施例1：如图2和图3所示，本实施例提供一种感光器件，包括：衬底11；位于衬底11上的双栅晶体管，双栅晶体管包括第一栅极12和第二栅极13；用于感光的感光结构，其包括：感光结构层14，能够接收外界光线并根据光照强度不同产生相应电荷；分别与感光结构层14连接的第一极15a和第二极15b，第一极15a与第一栅极12连接。其中，双栅晶体管中的第一栅极12用于与感光结构连接，感光结构可将光照后的电荷产生的电压通过第一栅极12传输至双栅晶体管，即第一栅极12的电压与感光结构接收的光强度有关。同时可以给双栅晶体管中的第二栅极13输入一个信号，则根据双栅晶体管的第一栅极12和第二栅极13的电压，双栅晶体管内会产生一个对应的电流。当第二栅极13所输入的信号一定时，双栅晶体管的电流随第一栅极12的电压变化(相当于光强度的变化)而变化，即双栅晶体管的电流与第一栅极12的电压符合一定的曲线关系，也就是双栅晶体管的电流与感光结构接收的光强度有关。由此，通过检测双栅晶体管的电流，即可确定感光结构接收的光强度，实现感光器件对光强的检测。而第二栅极13所输入的信号不同时，双栅晶体管的电流与第一栅极12的电压的曲线关系也不同。具体的，如图4a所示，图中不同的曲线为双栅晶体管中的第二栅极13输入的定压信号不同时的曲线，可以看出在第二栅极13输入的信号不同时，横坐标的第一栅极12的电压Vg1与纵坐标双栅晶体管的电流Id的对应关系不同，即第二栅极13的信号不同时，感光结构的光强度与双栅晶体管的电流Id的对应关系不同。例如，若第二栅极13输入的信号为10V时，第一栅极12的电压Vg1大致小于-7V时，双栅晶体管的电流Id变化趋势不明显，而第一栅极12的电压Vg1大致大于-7V时，双栅晶体管的电流Id随第一栅极12的电压Vg1的增大而增大；若第二栅极13输入的信号为0V时，第一栅极12的电压Vg1大致小于-2V时，双栅晶体管的电流Id变化趋势不明显，而第一栅极12的电压Vg1大致大于-2V时，双栅晶体管的电流Id随第一栅极12的电压Vg1的增大而增大。此外，如图4b本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种感光器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的双栅晶体管，所述双栅晶体管包括第一栅极和第二栅极；用于感光的感光结构，其包括：感光结构层，能够接收外界光线并根据光照强度不同产生相应电荷；分别与所述感光结构层连接的第一极和第二极，所述第一极与所述第一栅极连接。

【技术特征摘要】
1.一种感光器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的双栅晶体管，所述双栅晶体管包括第一栅极和第二栅极；用于感光的感光结构，其包括：感光结构层，能够接收外界光线并根据光照强度不同产生相应电荷；分别与所述感光结构层连接的第一极和第二极，所述第一极与所述第一栅极连接。2.根据权利要求1所述的感光器件，其特征在于，所述双栅晶体管还包括：位于所述衬底上的第一电极，所述第一电极具有两个间隔的连接区以及位于两所述连接区之间的非连接区；位于所述第一电极远离所述衬底一侧、且至少覆盖所述非连接区的第一介质层，在所述连接区处无第一介质层；位于所述第一介质层远离所述衬底一侧、且位于非连接区的第二电极；位于所述第二电极远离所述衬底一侧的有源层，所述有源层覆盖所述第二电极，所述有源层在两个所述连接区与所述第一电极连接；位于所述有源层远离所述衬底一侧的第二介质层；所述第一栅极和所述第二栅极位于所述第二介质层远离所述衬底一侧，且分别对应所述第一电极的两个所述连接区与非连接区的交界。3.根据权利要求2所述的感光器件，其特征在于，所述第一极与所述第一栅极同层设置且连为一体。4.根据权利要求3所述的感光器件，其特征在于，所述感光结构层位于所述第一极远离所述衬底一侧；所述第二极位于所述感光结构层远离所述衬底一侧。5.根据权利要求3所述的感光器件，其特征在于，还包括：位于所述第一栅极和所述第一极远离所述衬底一侧的平坦化层，所述平坦化层具有开口，所述感光结构层通过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭锦涛，高雪岭，彭宽军，张方振，史鲁斌，牛亚男，秦纬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11