本发明专利技术提供一种评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法具备：使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段；在开关动作过程中测定流过负载电缆的共模电流的阶段；以及基于共模电流输出辐射噪声的评价指标的阶段。
Evaluation method, comprehensive evaluation method, evaluation device and comprehensive evaluation device
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置
本专利技术涉及评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置。
技术介绍
以往，对于以逆变器和PWM整流器等功率转换装置为代表的电气电子设备所产生的电磁噪声(传导和辐射)，按照EMC(电磁兼容)标准规定了限值，要求充分地降低电磁噪声。提出了通过仿真或简单的测定来评价这种功率转换装置在工作时产生的电磁噪声的方法(例如参照专利文献1～3)。专利文献1：日本专利特开平6-309420号专利文献2：日本专利特开平2014-135095号专利文献3：日本专利特开2005-233833号本专利技术所要解决的技术问题上述仿真使用分析模型。但该分析模型必须要在功率转换装置的电路基板和壳体的具体结构决定了之后才能生成。另外，通过简单的测定来评价电磁噪声也必须在功率转换装置制造完成之后才能进行评价。因此，在功率转换装置制造完成之后，电磁噪声的评价结果有可能是“不符合标准”，而在这种情况下，必须再次进行EMC滤波器设计、零部件选定、基板布线和结构研究等等。
技术实现思路
(第一项)评价方法可以具有使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段。评价方法可以具有在所述开关动作过程中测定流过所述负载电缆的共模电流的阶段。评价方法可以具备基于共模电流来输出辐射噪声的评价指标的阶段。(第二项)输出评价指标的阶段可以计算共模电流中包含的频率分量的辐射电场强度来作为辐射噪声的评价指标。(第三项)负载电缆可以至少有一部分被金属屏蔽罩覆盖。(第四项)金属屏蔽罩可以与其上隔着绝缘构件安装半导体器件的导电性构件进行电连接。(第五项)导电性构件可以是调节半导体器件的温度的温度调节部的一部分。(第六项)评价方法可以具备将针对半导体器件输出的评价指标与针对不同于半导体器件的基准器件输出的评价指标进行比较的阶段。评价方法可以具备根据比较结果来评价半导体器件相对于基准器件的辐射噪声强度的阶段。(第七项)综合评价方法可以是推定具备半导体器件的装置的辐射噪声的推定方法。综合评价方法可以具备利用第一至第六项中任一项所述的评价方法，获取与多个条件下的开关动作分别对应地输出的半导体器件的多个评价指标的阶段。综合评价方法可以具备将多个评价指标组合起来推定装置的辐射噪声的阶段。(第八项)评价指标的组合可以是半导体器件的多个评价指标的最大值或多个评价指标之和。(第九项)评价指标的组合可以是半导体器件的多个评价指标的平均值。(第十项)评价指标的组合可以是将与多个条件分别对应的各个加权分别乘以半导体器件的多个评价指标中的对应的评价指标而计算出的平均值。(第十一项)评价装置可以具备与半导体器件并联电连接的负载。评价装置可以具备将半导体器件与负载电连接的负载电缆。评价装置可以具备向半导体器件提供预先设定的开关信号的信号提供部。评价装置可以具备检测负载电缆中流过的共模电流的检测部。评价装置可以具备基于检测部的检测结果来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的评价指标输出部。(第十二项)负载电缆可以至少有一部分被金属屏蔽罩覆盖。(第十三项)检测部可以设置在电缆中的被金属屏蔽罩覆盖的部位以外的部位。(第十四项)金属屏蔽罩可以与其上固定有隔着绝缘构件配置半导体器件的基板的导电性构件进行电连接。(第十五项)导电性构件可以是调节半导体器件的温度的温度调节部的一部分。(第十六项)评价装置可以具备电源。评价装置可以具备与半导体器件分别并联连接的多个电容部。(第十七项)多个电容部中的至少一个电容部可以具有串联连接的第一电容元件和第二电容元件。基准电位可以连接在第一电容元件与第二电容元件之间。(第十八项)半导体器件可以包含串联连接的第一器件和第二器件。负载电缆可以具有一端连接至第一器件的一端的第一连接线。负载电缆可以具有一端连接至第一器件的另一端的第二连接线。负载电缆可以具有连接在第一连接线的另一端与第二连接线的另一端之间的负载。信号提供部可以将开关信号提供给第二器件。(第十九项)检测部可以在第一连接线和第二连接线具有检测从第一器件流向负载的共模电流的电流探针。(第二十项)评价装置可以具备存储评价指标输出部输出的评价指标的存储部。评价装置可以具备将评价指标输出部输出的评价指标、与存储在存储部中的针对不同于半导体器件的基准器件的评价指标进行比较的比较部。评价装置可以具备根据比较结果来评价半导体器件的辐射噪声的相对强度变化的评价部。(第二十一项)评价装置可以具备获取部，利用第十一至第二十项中任一项所述的评价装置，获取与多个条件下的开关信号分别对应地输出的半导体器件的多个评价指标。评价装置可以具备将多个评价指标组合起来推定具备半导体器件的装置的辐射噪声的推定部。上述专利技术的概要并不是对本专利技术的所有必要特征的列举。这些特征群的亚组合也可以构成专利技术。附图说明图1表示对半导体器件10的开关特性进行评价的评价电路100的结构例。图2表示使用评价电路100测定半导体器件10的开关特性的结果的一例。图3中一并示出了本实施方式的评价装置200的结构例和评价对象的半导体器件10。图4表示本实施方式所涉及的评价装置200的工作流程。图5表示本实施方式所涉及的评价指标输出部230输出的评价指标的一例。图6表示本实施方式所涉及的评价装置200的变形例。图7中一并示出了本实施方式的综合评价装置300的结构例和数据库410。图8表示本实施方式所涉及的综合评价装置300的工作流程。图9表示本实施方式所涉及的评价对象的半导体器件10输出的电流波形的一例。具体实施方式下面，通过专利技术的实施方式对本专利技术进行说明，但以下的实施方式并不是对权利要求书所涉及的专利技术进行的限定。另外，实施方式中说明的特征的组合并不全是解决本专利技术的技术问题的技术手段所必需的。图1表示对半导体器件10的开关特性进行评价的评价电路100的结构例。所示为评价对象的半导体器件10包括串联连接的第一器件12和第二器件14的例子。图1示出了第一器件12为二极管，第二器件14为二极管与IGBT等半导体开关反向并联连接的二极管组合的示例。使用图1所示的评价电路100，使第二器件14进行导通动作和截止动作等，从而可以评价半导体器件10的开关损耗和浪涌电压等。评价电路100具备电源110、第一电容部120、第二电容部130、负载电抗器140和信号提供部150。电源110是输出直流电压VDC的直流电源。电源110连接在半导体器件10的两端。电源110例如与第一器件12的一端(阴极端子)和第二器件14的另一端(发射极端子)连接，向第一器件12和第二器件14提供直流电压。这种情况下，第一器件12的另一端(阳极端子)与第二器件14的一端(集电极端子)连接。第一电容部120与半导体器件10并联连接，对从电源110输出的直流电压VDC进行平滑化。第一电容部120例如是电容值为CDC的电容器。第一电容部120例如是电解电容器。第二电容部130与半导体器件10并联连接，用于抑制浪涌电压。第二电容部130例如是电容值为CS的电容器。第一电容部120和第二电容部130优选为不同电容值的电容器，例如电容值CDC是大于电容值CS的电容值。负载电抗器140连接在第一器件12的两端。负载电抗器140例如具有电感值L。信号提供部150向半导体器件10提供预先本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种评价方法，其特征在于，包括：使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段；在所述开关动作的过程中测定流过所述负载电缆的共模电流的阶段；以及基于所述共模电流输出辐射噪声的评价指标的阶段。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.24 JP 2017-0341471.一种评价方法，其特征在于，包括：使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段；在所述开关动作的过程中测定流过所述负载电缆的共模电流的阶段；以及基于所述共模电流输出辐射噪声的评价指标的阶段。2.如权利要求1所述的评价方法，其特征在于，在输出所述评价指标的阶段中，计算所述共模电流所包含的频率分量的辐射电场强度并将其作为所述辐射噪声的评价指标。3.如权利要求1或2所述的评价方法，其特征在于，所述负载电缆的至少一部分被金属屏蔽罩覆盖。4.如权利要求3所述的评价方法，其特征在于，所述金属屏蔽罩与其上隔着绝缘构件安装所述半导体器件的导电性构件进行电连接。5.如权利要求4所述的评价方法，其特征在于，所述导电性构件是调节所述半导体器件的温度的温度调节部的一部分。6.如权利要求1至5的任一项所述的评价方法，其特征在于，还包括：将针对所述半导体器件输出的所述评价指标与针对不同于所述半导体器件的基准器件输出的所述评价指标进行比较的阶段；以及根据所述比较结果来评价所述半导体器件相对于所述基准器件的所述辐射噪声的强度的阶段。7.一种综合评价方法，是推定具备半导体器件的装置的辐射噪声的推定方法，其特征在于，包括：利用权利要求1至6中任一项所述的评价方法，获取与多个条件下的所述开关动作分别对应地输出的所述半导体器件的多个评价指标的阶段；以及将所述多个评价指标加以组合来推定所述装置的辐射噪声的阶段。8.如权利要求7所述的综合评价方法，其特征在于，所述评价指标的组合是所述半导体器件的所述多个评价指标的最大值或它们的和。9.如权利要求7或8所述的综合评价方法，其特征在于，所述评价指标的组合是所述半导体器件的所述多个评价指标的平均值。10.如权利要求9所述的综合评价方法，其特征在于，所述评价指标的组合是将与所述多个条件分别对应的各个加权分别乘以所述半导体器件的所述多个评价指标中的对应的评价指标而计算出的平均值。11.一种评价装置，其特征在于，包括：与半导体器件并联电连接的负载；将所述半导体器件与所述负载电连接的负载电缆；向所述半导体器件提供预先设定的开关信号的信号提供部；检测流过所述负载电缆的...
【专利技术属性】
技术研发人员：胜又洋树，玉手道雄，藤田美和子，浅野达见子，铃木佑平，皆见崇之，砂坂祐太，山田忠则，荒木龙，邱宝璁，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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