用于制造激光二极管条的方法和激光二极管条技术

描述一种制造激光二极管条的方法，包括如下步骤：制造多个彼此并排设置的发射体，其中发射体分别具有半导体层序列，半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层、p型接触部和n型接触部；检查发射体的至少一个光学和/或电学特性，将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体与第一发射体的组相关联，并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体与第二发射体的组相关联；将电绝缘层至少施加到第二发射体的p型接触部上；通过将p型联接层施加到第一发射体的p型接触部上来电接触第一发射体的p型接触部，其中通过电绝缘层将第二发射体的p型接触部与p型联接层电绝缘。此外，提出可借助该方法制造的激光二极管条。

Method and Laser Diode Bar for Manufacturing Laser Diode Bar

Describes a method for manufacturing laser diode bars, including the following steps: fabricating multiple emitters arranged side by side with a semiconductor layer sequence having an active layer, a p-type contact part and an n-type contact part suitable for generating laser radiation; checking at least one optical and/or electrical characteristics of the emitter to identify optical and/or electrical characteristics The transmitter within the preset theoretical value range is associated with the group of the first emitter, and the transmitter whose optical and/or electrical characteristics are outside the preset theoretical value range is associated with the group of the second emitter; the electrical insulating layer is applied at least to the p-type contact part of the second emitter; and the first transmitter is electrically contacted by applying the p-type connection layer to the p-type contact part of the first emitter. The p-type contact part of the emitter is electrically insulated between the p-type contact part of the second emitter and the p-type connection layer by an electric insulating layer. In addition, a laser diode bar which can be manufactured by this method is proposed.

【技术实现步骤摘要】
用于制造激光二极管条的方法和激光二极管条
本专利技术涉及一种用于制造激光二极管条的方法和一种可借助该方法制造的激光二极管条。本申请要求德国专利申请102017123755.0的优先权，其公开内容通过参引的方式并入本文。
技术介绍
尤其提出用于下述激光二极管条的方法，所述激光二极管条基于氮化物半导体材料，尤其InAlGaN。这种激光二极管条尤其能够发射可见光谱范围中的辐射。但是，由氮化物半导体制造有效的激光二极管条是困难的，因为在该材料体系中与例如InAlGaAs的其他材料体系相比会出现提高的缺陷密度。
技术实现思路
要实现的目的在于：提出一种激光二极管条和一种用于制造激光二极管条的方法，其中激光二极管条的特征在于改进的效率。所述目的通过一种用于制造激光二极管条的方法和激光二极管条来实现。本专利技术的有利的设计方案和改进形式是实施例的主题。一种用于制造激光二极管条的方法，所述方法包括如下步骤：-制造多个彼此并排设置的发射体，其中所述发射体分别具有半导体层序列、p型接触部和n型接触部，所述半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层，-检查所述发射体的至少一个光学和/或电学特性，其中将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体与第一发射体的组相关联，并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体与第二发射体的组相关联，-将电绝缘层至少施加到所述第二发射体的所述p型接触部上，-通过将p型联接层施加到所述第一发射体的所述p型接触部上来电接触所述第一发射体的所述p型接触部，其中通过所述电绝缘层将所述第二发射体的所述p型接触部与所述p型联接层电绝缘。一种激光二极管条，其包括多个彼此并排设置的发射体，其中所述发射体分别具有半导体层序列、p型接触部和n型接触部，所述半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层，其中-所述发射体包括被电接触的第一发射体的组和不被电接触的第二发射体的组，-所述第一发射体的所述p型接触部借助于p型联接层被电接触，和-所述第二发射体的所述p型接触部通过电绝缘层与所述p型联接层分开并且不被电接触。根据用于制造激光二极管条的方法的至少一个实施方式，制造多个彼此并排设置的发射体，其中所述发射体有利地能够分开地电接触。发射体尤其分别具有适合于发射激光辐射的半导体层序列。发射体的半导体层序列例如分别具有n型半导体区域、p型半导体区域和设置在其之间的有源层，所述有源层适合于产生激光辐射。n型半导体区域、有源层和p型半导体区域能够分别具有一个或多个子层。可行的是：n型半导体区域、有源层和p型半导体区域包含一个或多个未掺杂的层。此外，发射体分别具有p型接触部和n型接触部。优选地，发射体的p型接触部设置在激光二极管条的第一主面上，并且n型接触部设置在激光二极管条的相对置的第二主面上。换言之，p型接触部和n型接触部从有源层观察彼此相对置。在一个设计方案中，发射体具有共同的n型接触部和分开的p型接触部。p型接触部和/或n型接触部尤其能够是由金属或金属合金构成的接触焊盘，例如具有金或由金构成的接触焊盘。第一主面能够朝向载体、例如热沉并且用作为用于激光二极管条的安装面。第二主面能够是激光二极管条的背离载体的表面。在所述方法中，检查发射体的至少一个光学和/或电学特性。在这种情况下，将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体与第一发射体的组相关联。另一方面，将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体与第二发射体的组相关联。发射体与第一发射体组或第二发射体组的关联例如能够通过如下方式进行：执行发射体的测试运行并且在这种情况下测量至少一个光学和/或电学特性。在测试运行中，发射体能够至少被暂时地电接触并且借助电流运行。光学和/或电学特性尤其能够是在预设的电流强度下的发射的强度。此外，在发射体中检查的光学和/或电学特性例如是阈值电流强度，在所述阈值电流强度下开始发射体的激光发射。根据至少一个实施方式，在另一步骤中，将电绝缘层至少施加到第二发射体的p型接触部上。电绝缘层有利地完全覆盖第二发射体的p型接触部，尤其在背离半导体层序列的表面上和在p型接触部的侧面上覆盖。根据至少一个实施方式，在后续的方法步骤中，对第一发射体的p型接触部进行电接触。对此，将p型联接层施加到第一发射体的p型接触部上。p型联接层例如是金属层，尤其是焊料层。p型联接层例如能够尤其整面地施加到设置在第一主面上的p型接触部上。第二发射体有利地通过之前施加的电绝缘层与p型联接层分开进而不被电接触。因为第二发射体不被电接触，所以在激光二极管条运行时不对所述第二发射体供电。通过根据在此提出的原理的方法实现：在制成的激光二极管条运行时，仅对如下发射体供电，对于所述发射体而言至少一个所检查的电学和/或光学特性位于预设的理论值范围之内。以该方式有利地防止：在激光二极管条运行时也对如下发射体供电，所述发射体例如由于制造公差和/或缺陷而不会有助于或至少不足以有助于发射辐射。第二发射体的组尤其能够包括故障的发光体，其中不超过在预设的运行电流强度下的阈值电流强度。通过这种故障的发射体在这里描述的方法中不被电连接而防止：该发射体在制成的激光二极管条运行时具有电通流并且有助于加热激光二极管条，但是不有助于发射辐射。因此，通过避免故障的发射体的电连接，降低激光二极管条的电消耗并且改进效率。根据至少一个设计方案，p型联接层是焊料层。尤其能够提出：激光二极管条在第一主面上借助于焊料层与载体连接，其中发射体的p型接触部设置在所述第一主面上。载体尤其能够是用于激光二极管条的热沉。根据至少一个设计方案，电绝缘层包括漆或墨并且选择性地施加到第二发射体的p型接触部上。漆或墨尤其能够借助喷墨方法(喷射方法)选择性地施加到第二发射体的p型接触部上。“选择性”在此表示：第一发射体的p型接触部没有漆或墨。根据一个替选的设计方案，电绝缘层包括光刻胶层，所述光刻胶层施加到第一发射体和第二发射体的p型接触部上。光刻胶层尤其能够整面地施加到激光二极管条的第一主面上，使得第一发射体的p型接触部和第二发射体的p型接触部被光刻胶层覆盖。光刻胶层有利地在另一步骤中从第一发射体的p型接触部移除，使得第一发射体的p型接触部露出并且在施加p型联接层时被电接触。从第一发射体移除光刻胶层尤其能够通过如下方式进行：光刻胶层在第一发射体的p型接触部上被曝光并且通过显影再次从第一发射体移除。曝光尤其能够借助UV光进行。与此相反，光刻胶层在第二发射体的p型接触部上不被曝光并且不被再次移除。根据一个替选的设计方案，电绝缘层包括氧化物层，所述氧化物层施加到第一发射体和第二发射体的p型接触部上，其中氧化物层后续地从第一发射体的p型接触部再次移除。氧化物层优选是氧化硅层，尤其SiO2层。氧化物层例如能够首先整面地施加到激光二极管条的第一主面上，使得其覆盖第一发射体的p型接触部和第二发射体的p型接触部。氧化物层的施加例如借助真空覆层方法，尤其借助CVD方法进行。在将电绝缘层作为氧化物层的实施方案中，第一和第二发射体的p型接触部尤其能够具有金或者在施加氧化物层之前用氧等离子处理，以便在p型接触部的表面上产生氧化金层。电绝缘层、尤其氧化硅层随后施加到氧化金层上。在另一步骤中，电运行第一发射体，以便产生热量，借助所述热量至少部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造激光二极管条(10)的方法，所述方法包括如下步骤：‑制造多个彼此并排设置的发射体(1，2)，其中所述发射体(1，2)分别具有半导体层序列(9)、p型接触部(6)和n型接触部(7)，所述半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层(4)，‑检查所述发射体(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体(1)与第一发射体(1)的组相关联，并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体(2)与第二发射体(2)的组相关联，‑将电绝缘层(8)至少施加到所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上，‑通过将p型联接层(14)施加到所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)上来电接触所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)，其中通过所述电绝缘层(8)将所述第二发射体(2)的所述p型接触部与所述p型联接层(14)电绝缘。

【技术特征摘要】
2017.10.12 DE 102017123755.01.一种用于制造激光二极管条(10)的方法，所述方法包括如下步骤：-制造多个彼此并排设置的发射体(1，2)，其中所述发射体(1，2)分别具有半导体层序列(9)、p型接触部(6)和n型接触部(7)，所述半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层(4)，-检查所述发射体(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体(1)与第一发射体(1)的组相关联，并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体(2)与第二发射体(2)的组相关联，-将电绝缘层(8)至少施加到所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上，-通过将p型联接层(14)施加到所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)上来电接触所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)，其中通过所述电绝缘层(8)将所述第二发射体(2)的所述p型接触部与所述p型联接层(14)电绝缘。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述p型联接层(14)是焊料层，并且其中所述激光二极管条(10)在第一主面(11)上借助于所述焊料层与载体(13)连接，将所述发射体(1，2)的所述p型接触部(6)设置在所述第一主面上。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述电绝缘层(8)包括漆或墨并且选择性地施加到所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上。4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述电绝缘层(8)包括光刻胶层，所述光刻胶层施加到所述第一发射体(1)的和所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上，其中所述光刻胶层在所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)上曝光并且随后被再次移除，并且其中所述光刻胶层在所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上未曝光并且不被再次移除。5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述电绝缘层(8)包括氧化物层，所述氧化物层施加到所述第一发射体(1)的和所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上，并且其中所述氧化物层从所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)再次移除。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯文·格哈德，安德烈亚斯·莱夫勒，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE