感测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种感测装置，包括：基板、至少一晶体管、至少一感测元件及闪烁层，晶体管设置于基板上，感测元件设置于晶体管上并电性连接晶体管。感测元件包括：第一电极层、半导体层及第二电极层，半导体层设置于第一电极层上，第二电极层设置于半导体层上。闪烁层设置于基板的一侧，其中闪烁层的至少一角落区域包括弧形结构或斜边结构。

Sensing device

The invention provides a sensing device, which comprises a substrate, at least one transistor, at least one sensing element and a scintillation layer. The transistor is arranged on the substrate, and the sensing element is arranged on the transistor and electrically connected to the transistor. The sensing element comprises a first electrode layer, a semiconductor layer and a second electrode layer. The semiconductor layer is arranged on the first electrode layer, and the second electrode layer is arranged on the semiconductor layer. The scintillation layer is arranged on one side of the substrate, in which at least one corner area of the scintillation layer includes an arc structure or an oblique structure.

【技术实现步骤摘要】
感测装置
本专利技术是有关于感测装置，且特别是有关于一种闪烁层具有弧形结构或斜边结构的感测装置。
技术介绍
X光感测装置由于无损检测的特性在许多领域得到广泛的应用。X光感测装置通常包括X光感测面板及与其电性连接的感测驱动电路。X光感测面板将光信号转换成电信号，并将电信号传递至感测驱动电路，从而获得相应的图像信息。然而，由于感测装置轻薄及窄边框的需求日益增加，在此趋势之下，感测装置中的闪烁层容易因碰撞而产生缺陷，造成感测装置的检测效果及显示品质不佳。
技术实现思路
本专利技术提供一种感测装置，包括：基板、至少一晶体管、至少一感测元件及闪烁层，晶体管设置于基板上，感测元件设置于晶体管上并电性连接晶体管。感测元件包括：第一电极层、半导体层及第二电极层，半导体层设置于第一电极层上，第二电极层设置于半导体层上。闪烁层设置于基板的一侧，其中闪烁层的至少一角落区域包括弧形结构或斜边结构。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：图1A是本专利技术实施例的感测装置的上视示意图。图1B是本专利技术另一实施例的感测装置的上视示意图。图2是图1A或图1B中的感测单元的上视示意图。图3是图2中沿A-A’线段的剖面示意图。图4是本专利技术另一实施例的感测装置的上视示意图。图5是图4中B部分的放大图。图6是图5的感测装置弯折后的部分示意图。图7A是本专利技术另一实施例的感测装置的上视示意图。图7B是本专利技术另一实施例的感测装置的上视示意图。图8A是本专利技术另一实施例的感测装置的上视示意图。图8B是本专利技术另一实施例的感测装置的上视示意图。图8C是本专利技术另一实施例的感测装置的上视示意图。图9A是本专利技术实施例的感测装置的剖面示意图。图9B是本专利技术另一实施例的感测装置的剖面示意图。图9C是本专利技术另一实施例的感测装置的剖面示意图。符号说明：1感测装置；10基板；11感测单元；12闪烁层；13栅极驱动元件；131集成电路；132软性电路板；14源极驱动元件；15反射层；C角落区域；GL栅极线；DL源极线；BL偏压线；TFT晶体管；G栅极；GI栅极绝缘层；A有源层；S源极；D漏极；V1第一穿孔；V2第二穿孔；PD感测元件；BP第一电极层；TP第二电极层；SL半导体层；NLn型掺杂半导体层；IL本质层；PLp型掺杂半导体层；INL1第一绝缘层；INL2第二绝缘层；INL3第三绝缘层；N缺口结构；E1第一侧边；E2第二侧边；P交点；D距离；L角平分线；θ、θ1、θ2角度；F弯折部。具体实施方式以下针对本专利技术的触控显示装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本专利技术的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本专利技术。当然，这些仅用以举例而非本专利技术的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。必需了解的是，附图的元件或装置可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板“上”时，有可能是指“直接”在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本专利技术的教示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇揭露所属
的技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有一与相关技术及本专利技术的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。本专利技术实施例可配合附图一并理解，本专利技术的附图亦被视为专利技术说明的一部分。需了解的是，本专利技术的附图并未以实际装置及元件的比例绘示。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本专利技术的特征。此外，附图中的结构及装置是以示意的方式绘示，以便清楚表现出本专利技术的特征。在本专利技术中，相对性的用语例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“之下”、“之上”、“顶部”、“底部”等等应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。应注意的是，在后文中“基板”一词可包括半导体晶圆上已形成的元件与覆盖在晶圆上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的半导体元件，不过此处为了简化附图，仅以平整的基板表示之。此外，“基板表面”是包括半导体晶圆上最上方且暴露的膜层，例如一硅表面、一绝缘层及/或金属线。本专利技术实施例提供闪烁层的至少一角落区域具有弧形结构或斜边结构的感测装置，借此可改善感测装置的检测效果及显示品质。图1A与图1B为本专利技术两不同实施例的感测装置1的上视示意图。如图1A与图1B所示，感测装置1包括一基板10，且多个感测单元11排列设置于基板10与闪烁层12之间。为了简化说明，于第1A-1B图中仅绘示三个感测单元11，并部分地省略感测单元11的驱动电路(例如：晶体管、栅极线、资料线、或电容)。基板10的材料可包括石英、玻璃、金属箔膜、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，PEN)、以及聚萘二甲酸丁二醇酯(polybutylenenaphthalate，PBN)等，但不以此为限，只要适用于当作基板10的材料皆可使用。值得注意的是，基板10的厚度范围为大于或等于5微米(um)且小于或等于100微米(um)。于另一实施例中，基板10的厚度范围可为大于或等于5微本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种感测装置，其特征在于，包括：一基板；至少一晶体管，设置于该基板上；至少一感测元件，设置于该晶体管上，并电性连接该晶体管，该感测元件包括：一第一电极层；一半导体层，设置于该第一电极层上；一第二电极层，设置于该半导体层上；以及一闪烁层，设置于该基板的一侧，其中该闪烁层的至少一角落区域包括一弧形结构或一斜边结构。

【技术特征摘要】
1.一种感测装置，其特征在于，包括：一基板；至少一晶体管，设置于该基板上；至少一感测元件，设置于该晶体管上，并电性连接该晶体管，该感测元件包括：一第一电极层；一半导体层，设置于该第一电极层上；一第二电极层，设置于该半导体层上；以及一闪烁层，设置于该基板的一侧，其中该闪烁层的至少一角落区域包括一弧形结构或一斜边结构。2.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该基板的至少一转角区域包括一缺口结构。3.如权利要求2所述的感测装置，其特征在于，该缺口结构具有一第一侧边及一第二侧边，该第一侧边与该第二侧边是相交于一交点且夹有一角度，其中该交点沿该角度的角平分线延伸方向至该闪烁层具有一距离，该距离是大于0厘米(mm)且小于或等于4厘米(mm)。4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智濠，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71